公开(公告)号：DE102017117469A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102017117469

申请日：2017-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  NEIDHARDT THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden von Gräben, die mit einem Opfermaterial gefüllt sind. Die Gräben erstrecken sich von einer ersten Seite aus in ein Halbleitersubstrat. Eine epitaktische Schicht wird über der ersten Seite des Halbleitersubstrats und den Gräben gebildet. Von einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite des Halbleitersubstrats aus wird das Opfermaterial in den Gräben entfernt. Die Gräben werden mit einem leitfähigen Material gefüllt.