公开(公告)号：DE102017121693B4

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：DE102017121693

申请日：2017-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/24 ,  H01L21/266 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:i) ein Einbringen einer ersten Dosis erster Dotierstoffe in einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101),ii) ein Erhöhen einer Dicke des Halbleiterkörpers (100) durch Ausbilden einer ersten Halbleiterschicht (190) auf der ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) und, während die erste Halbleiterschicht (190) ausgebildet wird, überwiegendes Einstellen einer endgültigen Dosis einer Dotierung in der ersten Halbleiterschicht (190), indem zumindest 20 % der ersten Dotierstoffe aus dem Halbleiterkörper (100) in zumindest einen Teil der ersten Halbleiterschicht (190) eingeführt werden;iii) ein Ausbilden, an einer Vorderseite des Halbleiterkörpers (100), von Transistorzellen (TC) oder einer Anodenzone, wobei die Vorderseite durch die erste Oberfläche (101) definiert ist; undiv) ein Ausbilden einer ersten Lastelektrode (310) auf der ersten Oberfläche (101) und Ausbilden einer zweiten Lastelektrode (320) auf einer zweiten Oberfläche (102) des Halbleiterkörpers (100), wobei die zweite Oberfläche (102) der ersten Oberfläche (101) gegenüberliegt.

公开(公告)号：DE102018122109A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102018122109

申请日：2018-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUENLE MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  ILLEMANN CHRISTIAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  STORBECK OLAF

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: Ein CDV-Reaktor (100), einschließlich einer Abscheidungskammer (110), die einen ersten Suszeptor (121a) und einen zweiten Suszeptor (121b) aufnimmt, wobei der erste Suszeptor (121a) eine Kavität zur Aufnahme eines ersten Substrats (101a) aufweist, das erste Substrat (101a) eine Vorderfläche (102a) und eine Rückfläche (103a) aufweist, der zweite Suszeptor (121b) eine Kavität zur Aufnahme eines zweiten Substrats (101b) aufweist, das zweite Substrat (101b) eine Vorderfläche (102b) und eine Rückfläche (103b) aufweist und der erste Suszeptor (121a) und der zweite Suszeptor (121b) angeordnet sind, so dass die Vorderfläche (102a) des ersten Substrats (101a) gegenüberliegend von der Vorderfläche (102b) des zweiten Substrats (101b) ist, wodurch ein Abschnitt eines Gasstromkanals ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102016122921A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102016122921

申请日：2016-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements beinhaltet das Ausbilden einer Öffnung in einem ersten epitaxialen lateralen Überwachsungsgebiet, um eine Oberfläche des Halbleitersubstrats innerhalb der Öffnung zu exponieren. Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden eines Isolationsgebiets an der exponierten Oberfläche des Halbleitersubstrats innerhalb der Öffnung und das Füllen der Öffnung mit einem zweiten Halbleitermaterial, um unter Verwendung eines lateralen epitaxialen Aufwachsprozesses ein zweites epitaxiales laterales Überwachsungsgebiet auszubilden.

公开(公告)号：DE102016120080A1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE102016120080

申请日：2016-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MURI INGO ,  MODER IRIS ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304

Abstract: Gemäß einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird eine Hilfsstruktur (102) an einer ersten Oberfläche (104) eines Siliziumhalbleiterkörpers (100) gebildet. Eine Halbleiterschicht (106) wird auf dem Halbleiterkörper (100) an der ersten Oberfläche gebildet. Halbleitervorrichtungselemente (108–110) werden an der ersten Oberfläche (104) gebildet. Der Halbleiterkörper (100) wird dann von einer zweiten Oberfläche (105) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche (104) wenigstens bis zu einem zur zweiten Oberfläche (105) ausgerichteten Rand der Hilfsstruktur (102) entfernt.

公开(公告)号：DE102015208097A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE102015208097

申请日：2015-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLÖGL DANIEL ,  KÜNLE MATTHIAS ,  LERCHER ERWIN ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1) wird vorgestellt. Das Verfahren (2) umfasst: Bereitstellen (20) eines Halbleitersubstrats (4), das eine Oberfläche (40) aufweist; epitaxiales Wachsenlassen (21) einer Rückseiten-Emitter-Schicht (125) auf der Oberseite der Oberfläche (40) entlang einer zur Oberfläche (40) senkrechten, vertikalen Richtung (Z), wobei die Rückseiten-Emitter-Schicht (125) Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps oder Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der zu dem ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist, aufweist; epitaxiales Wachsenlassen (23) einer Drift-Schicht (123), die Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps oberhalb der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) aufweist, entlang einer vertikalen Richtung (Z), wobei eine Dotierstoffkonzentration der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) höher als eine Dotierstoffkonzentration der Drift-Schicht (123) ist; und Erzeugen (24) entweder innerhalb oder auf der Oberseite der Drift-Schicht (123) einer Body-Region (124), die Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei ein Übergang zwischen der Body-Region (124) und der Drift-Schicht (123) eine pn-Sperrschicht (Zpn) bildet. Epitaxiales Wachsenlassen (23) der Drift-Schicht (123) umfasst das Erzeugen eines Dotierstoffkonzentrationsprofils (P) von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der vertikalen Richtung (Z) innerhalb der Drift-Schicht (123), wobei das Dotierstoffkonzentrationsprofil (P) in der Drift-Schicht (123) eine Variation einer Konzentration von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der vertikalen Richtung (Z) aufweist.

公开(公告)号：DE19953333A1

公开(公告)日：2001-05-31

申请号：DE19953333

申请日：1999-11-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHAEFER HERBERT ,  VIETZKE DIRK ,  STECHER MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  PERI HERMANN

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: Arrangement for realizing a trenched layer (2, 2') with a dopant comprises a counter compensation material inserted into the trenched layer, the material compensating for lattice mismatches. Preferred Features: The dopant is boron or phosphorus and germanium is the counter compensation material, or the dopant is arsenic or antimony and carbon is the counter compensation material.

公开(公告)号：DE102015208097B4

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102015208097

申请日：2015-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLÖGL DANIEL ,  KÜNLE MATTHIAS ,  LERCHER ERWIN ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Verfahren (2) zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1), umfassend:o Bereitstellen (20) eines Halbleitersubstrats (4), das eine Oberfläche (40) aufweist;o epitaxiales Wachsenlassen (21) einer Rückseiten-Emitter-Schicht (125) auf der Oberseite der Oberfläche (40) entlang einer zur Oberfläche (40) senkrechten, vertikalen Richtung (Z), wobei die Rückseiten-Emitter-Schicht (125) Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps oder Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist;o epitaxiales Wachsenlassen (23) einer Drift-Schicht (123), die Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, oberhalb der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) entlang der vertikalen Richtung (Z), wobei eine Dotierstoffkonzentration der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) höher als eine Dotierstoffkonzentration der Drift-Schicht (123) ist; undo Erzeugen (24) einer Body-Region (124) entweder innerhalb oder auf der Oberseite der Drift-Schicht (123) die Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei ein Übergang zwischen der Body-Region (124) und der Drift-Schicht (123) eine pn-Sperrschicht (Zpn) bildet; wobei das epitaxiale Wachsenlassen (23) der Drift-Schicht (123) das Erzeugen eines Dotierstoffkonzentrationsprofils (P) von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps innerhalb der Drift-Schicht (123) entlang der vertikalen Richtung (Z) umfasst, wobei das Dotierstoffkonzentrationsprofil (P) eine Variation einer Konzentration von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der vertikalen Richtung (Z) aufweist, und wobei das Verfahren ferner umfasst.o epitaxiales Wachsenlassen (22) einer Pufferschicht (126) auf der Oberseite der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) entlang der vertikalen Richtung (Z) vor dem epitaxialen Wachsenlassen (23) der Drift-Schicht auf der Oberseite der Pufferschicht (126), wobei die Pufferschicht (126) Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps mit einer höheren Dotierstoffkonzentration als die Drift-Schicht (123) aufweist, und wobei ein Dotierstoffkonzentrationsprofil (Q) in der Pufferschicht (126) mindestens einen im Wesentlichen linearen Teilbereich (L) umfasst, der eine einer im wesentlichen linearen Zunahme oder einer im Wesentlichen linearen Abnahme der Dotierstoffkonzentration entlang der vertikalen Richtung (Z) über einen Abstand von mindestens 50% der Gesamtausdehnung der Pufferschicht (126) entlang der vertikalen Richtung (Z) aufweist.

公开(公告)号：DE102018111213A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111213

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  HELLMUND OLIVER ,  NEIDHART THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT GERHARD ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Vorsehen eines Halbleitersubstrats (102) mit einer ersten Hauptoberfläche (104) und einer der ersten Hauptoberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (106), wobei das Halbleitersubstrat (102) einen ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierstoff aufweist und ein kovalenter Atomradius eines Materials des Halbleitersubstrats (102) i) größer als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und kleiner als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes oder ii) kleiner als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und größer als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes ist. Eine vertikale Ausdehnung des ersten Dotierstoffes in das Halbleitersubstrat (102) von der ersten Hauptoberfläche (104) aus endet bei einem Boden (109) eines ersten Halbleitersubstratbereichs (108) in einer ersten vertikalen Distanz (t1) zur ersten Hauptoberfläche (104). Danach umfasst das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Halbleiterschicht (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104) und ein Ausbilden von Halbleitervorrichtungselementen (1121, 1122) in der Halbleiterschicht (110). Weiter umfasst das Verfahren ein Reduzieren einer Dicke (t) des Halbleitersubstrats (102) durch Entfernen eines Materials des Halbleitersubstrats (102) von der zweiten Hauptoberfläche (106) aus zumindest bis zum ersten Halbleitersubstratbereich (108).

公开(公告)号：DE102014116834A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102014116834

申请日：2014-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  KOTEK MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: In einer Ausführungsform enthält der Halbleitereinzelchip (1) eine selektive Epitaxieschicht (60), die Vorrichtungsgebiete (100) enthält, und eine Maskierungsstruktur (50), die um Seitenwände der Epitaxieschicht (60) angeordnet ist. Die Maskierungsstruktur (50) ist Teil einer freiliegenden Oberfläche des Halbleitereinzelchips (1).

公开(公告)号：DE102013204275A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：DE102013204275

申请日：2013-03-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  HARFMANN MARKUS ,  KOTEK MANFRED ,  KRENN CHRISTIAN ,  NEIDHART THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleiterzone (1) von einem ersten Leitungstyp (n) weist ein Halbleitergrundmaterial auf, das mit einem ersten Dotierstoff und einem zweiten Dotierstoff dotiert ist. Bei dem ersten Dotierstoff und dem zweiten Dotierstoff handelt es sich um Stoffe, die voneinander sowie vom Stoff des Halbleitergrundmaterials verschieden sind. Der erste Dotierstoff ist elektrisch aktiv und bewirkt in dem Halbleitergrundmaterial eine Dotierung vom ersten Leitungstyp (n). Außerdem bewirkt der erste Dotierstoff in dem Halbleitergrundmaterial eine Verringerung oder eine Erhöhung einer Gitterkonstanten der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone. Der zweite Dotierstoff bewirkt (a) eine Härtung der ersten Halbleiterzone (1), und/oder (b) eine Erhöhung der Gitterkonstanten der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone (1), falls der erste Dotierstoff eine Verringerung der Gitterkonstante der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone (1) bewirkt, oder aber eine Verringerung der Gitterkonstanten der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone (1), falls der erste Dotierstoff eine Erhöhung der Gitterkonstanten der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone (1) bewirkt. Durch die Härtung und/oder die entgegengesetzten Wirkungen des ersten und/oder zweiten Dotierstoffes lässt sich eine zu starke Durchbiegung (b) der ersten Halbleiterzone (1) verringern.