公开(公告)号：DE102015100771A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100771

申请日：2015-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIESSNER MARTIN RICHARD ,  PAHLKE SEBASTIAN ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L23/64 ,  H05K1/02

Abstract: Ein Chipträger (100) zum Tragen eines gekapselten elektronischen Chips (102), wobei der Chipträger (100) eine Laminatstruktur, die als ein Stapel einer Mehrzahl von elektrisch isolierenden Strukturen (104) und einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Strukturen (106) ausgebildet ist, und einen Chipkopplungsbereich (108) auf einer freiliegenden Oberfläche der Laminatstruktur umfasst, der zum elektrischen und mechanischen Koppeln des gekapselten elektronischen Chips (102) konfiguriert ist, wobei eine der elektrisch isolierenden Strukturen (104) als ein Hochfrequenzdielektrikum (110) konfiguriert ist, das aus einem Material hergestellt ist, das mit einer verlustarmen Übertragung eines Hochfrequenzsignals kompatibel ist, wobei mindestens eines von einer weiteren der elektrisch isolierenden Strukturen (104) und einer der elektrisch leitfähigen Strukturen (106) als ein thermomechanischer Dämpfer (112) zum Dämpfen von thermisch eingebrachter mechanischer Belastung konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE102015100771B4

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102015100771

申请日：2015-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIESSNER MARTIN RICHARD ,  PAHLKE SEBASTIAN ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L23/64 ,  H05K1/02

Abstract: Chipträger (100) zum Tragen eines gekapselten elektronischen Chips (102), wobei der Chipträger (100) umfasst:• eine Laminatstruktur, die als ein Stapel einer Mehrzahl von elektrisch isolierenden Schichten (104) und einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Schichten (106) ausgebildet ist;• einen Chipkopplungsbereich (108) auf einer freiliegenden Oberfläche der Laminatstruktur, der zum elektrischen und mechanischen Koppeln des gekapselten elektronischen Chips (102) konfiguriert ist;• wobei eine der elektrisch isolierenden Schichten (104) als ein Hochfrequenzdielektrikum (110) konfiguriert ist, das aus einem Material hergestellt ist, das mit einer verlustarmen Übertragung eines Hochfrequenzsignals kompatibel ist;• wobei mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus einer weiteren der elektrisch isolierenden Schichten (104) und einer der elektrisch leitfähigen Schichten (106) ein thermomechanischer Dämpfer (112) ist, der zum Dämpfen von thermisch induzierter mechanischer Belastung an einer elektrischen und mechanischen Schnittstelle zwischen dem Chipträger (100) und einem montierten elektronischen Chip (102) konfiguriert ist;• wobei der thermomechanische Dämpfer (112) und das Hochfrequenzdielektrikum (110) aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind;• wobei der thermomechanische Dämpfer (112) aus einem Material ist, das einen niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als die verbleibenden elektrisch isolierenden Schichten (104), abgesehen von dem Hochfrequenzdielektrikum (110), der Laminatstruktur aufweist.