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    Chipträgerlaminat mit Hochfrequenzdielektrikum und thermomechanischem Dämpfer
    1.
    发明专利
    Chipträgerlaminat mit Hochfrequenzdielektrikum und thermomechanischem Dämpfer 未知

    公开(公告)号：DE102015100771A1

    公开(公告)日：2016-07-21

    申请号：DE102015100771

    申请日：2015-01-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： NIESSNER MARTIN RICHARD ,  PAHLKE SEBASTIAN ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER

    IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L23/64 ,  H05K1/02

    Abstract: Ein Chipträger (100) zum Tragen eines gekapselten elektronischen Chips (102), wobei der Chipträger (100) eine Laminatstruktur, die als ein Stapel einer Mehrzahl von elektrisch isolierenden Strukturen (104) und einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Strukturen (106) ausgebildet ist, und einen Chipkopplungsbereich (108) auf einer freiliegenden Oberfläche der Laminatstruktur umfasst, der zum elektrischen und mechanischen Koppeln des gekapselten elektronischen Chips (102) konfiguriert ist, wobei eine der elektrisch isolierenden Strukturen (104) als ein Hochfrequenzdielektrikum (110) konfiguriert ist, das aus einem Material hergestellt ist, das mit einer verlustarmen Übertragung eines Hochfrequenzsignals kompatibel ist, wobei mindestens eines von einer weiteren der elektrisch isolierenden Strukturen (104) und einer der elektrisch leitfähigen Strukturen (106) als ein thermomechanischer Dämpfer (112) zum Dämpfen von thermisch eingebrachter mechanischer Belastung konfiguriert ist.

    Package mit einer erhöhten Leitung und einer Struktur, die sich vertikal vom Boden des Verkapselungsmittels erstreckt
    3.
    发明专利
    Package mit einer erhöhten Leitung und einer Struktur, die sich vertikal vom Boden des Verkapselungsmittels erstreckt 未知

    公开(公告)号：DE102020131070A1

    公开(公告)日：2022-05-25

    申请号：DE102020131070

    申请日：2020-11-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEMMERL THOMAS ,  GRUBER MARTIN ,  NIESSNER MARTIN RICHARD

    IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

    Abstract: Ein Package (100), das einen Träger (102), ein auf dem Träger (102) montiertes elektronisches Bauteil (104), ein Verkapselungsmittel (106), das zumindest einen Teil des elektronischen Bauteils (104) und zumindest einen Teil des Trägers (102) verkapselt und eine Unterseite (114) auf einem ersten vertikalen Niveau (182) aufweist, mindestens eine Leitung (108), die mit dem elektronischen Bauteil (104) elektrisch gekoppelt ist und einen ersten Leitungsabschnitt (110), der in dem Verkapselungsmittel (106) verkapselt ist, und einen zweiten Leitungsabschnitt (112), der sich an der Unterseite (114) des Verkapselungsmittels (106) aus dem Verkapselungsmittel (106) heraus erstreckt, aufweist, und eine Funktionsstruktur (180) an der Unterseite (114), die sich bis zu einem zweiten vertikalen Niveau (184) erstreckt, das sich von dem ersten vertikalen Niveau (182) unterscheidet, aufweist.

    Elektronische Vorrichtung, die ein einen Hohlraum umfassendes Umverdrahtungsschicht-Pad umfasst
    6.
    发明专利
    Elektronische Vorrichtung, die ein einen Hohlraum umfassendes Umverdrahtungsschicht-Pad umfasst 未知

    公开(公告)号：DE102017210654B4

    公开(公告)日：2022-06-09

    申请号：DE102017210654

    申请日：2017-06-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FEHLER ROBERT ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MEYER THORSTEN

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/32

    Abstract: Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Substrat (26);eine erste dielektrische Schicht (25), die auf dem Substrat (26) angeordnet ist;ein erstes Metallschicht-Pad (23.1), das auf der ersten dielektrischen Schicht (25) angeordnet ist;eine zweite dielektrische Schicht (24), die auf dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) und auf der ersten dielektrischen Schicht (25) angeordnet ist, wobei die zweite dielektrische Schicht (24) eine Öffnung umfasst;ein zweites Metallschicht-Pad (22), das auf dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) in der Öffnung der zweiten dielektrischen Schicht (24) angeordnet ist;eine Lotkugel (21), die auf dem zweiten Metallschicht-Pad (22) angeordnet ist;eine Umverdrahtungsleitung (23.3), wobei das erste Metallschicht-Pad (23.1) ein Umverdrahtungs-Pad ist und ein Teil der Umverdrahtungsleitung (23.3) oder integral mit dieser ist;wobei das erste Metallschicht-Pad (23.1) wenigstens einen Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) umfasst, wobei der Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) wenigstens teilweise lateral außerhalb des zweiten Metallschicht-Pads (22) angeordnet ist und wobei der Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) als ein Schlitz gebildet ist, wobei der Schlitz eine längliche Form umfasst, die entlang eines kreisförmigen Bogensegments angeordnet ist,wobei der wenigstens eine Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) derart gebildet und angeordnet ist, dass ein innerer Teil des ersten Metallschicht-Pads (23.1) durch zwei Torsionsfedern oder durch eine Auslegerfeder aufgehängt ist, undwobei das Substrat (26) einen Halbleiter-Die umfasst, der Halbleiter-Die ein Kontakt-Pad umfasst und das Kontakt-Pad mittels der Umverdrahtungsleitung (23.3) wenigstens teilweise mit dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) verbunden ist.

    Chipträgerlaminat mit Hochfrequenzdielektrikum und thermomechanischem Dämpfer
    7.
    发明专利
    Chipträgerlaminat mit Hochfrequenzdielektrikum und thermomechanischem Dämpfer 未知

    公开(公告)号：DE102015100771B4

    公开(公告)日：2022-05-05

    申请号：DE102015100771

    申请日：2015-01-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： NIESSNER MARTIN RICHARD ,  PAHLKE SEBASTIAN ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER

    IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L23/64 ,  H05K1/02

    Abstract: Chipträger (100) zum Tragen eines gekapselten elektronischen Chips (102), wobei der Chipträger (100) umfasst:• eine Laminatstruktur, die als ein Stapel einer Mehrzahl von elektrisch isolierenden Schichten (104) und einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Schichten (106) ausgebildet ist;• einen Chipkopplungsbereich (108) auf einer freiliegenden Oberfläche der Laminatstruktur, der zum elektrischen und mechanischen Koppeln des gekapselten elektronischen Chips (102) konfiguriert ist;• wobei eine der elektrisch isolierenden Schichten (104) als ein Hochfrequenzdielektrikum (110) konfiguriert ist, das aus einem Material hergestellt ist, das mit einer verlustarmen Übertragung eines Hochfrequenzsignals kompatibel ist;• wobei mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus einer weiteren der elektrisch isolierenden Schichten (104) und einer der elektrisch leitfähigen Schichten (106) ein thermomechanischer Dämpfer (112) ist, der zum Dämpfen von thermisch induzierter mechanischer Belastung an einer elektrischen und mechanischen Schnittstelle zwischen dem Chipträger (100) und einem montierten elektronischen Chip (102) konfiguriert ist;• wobei der thermomechanische Dämpfer (112) und das Hochfrequenzdielektrikum (110) aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind;• wobei der thermomechanische Dämpfer (112) aus einem Material ist, das einen niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als die verbleibenden elektrisch isolierenden Schichten (104), abgesehen von dem Hochfrequenzdielektrikum (110), der Laminatstruktur aufweist.

    HF-System mit einer HFIC und einem Antennensystem
    8.
    发明专利
    HF-System mit einer HFIC und einem Antennensystem 未知

    公开(公告)号：DE102015122708A1

    公开(公告)日：2016-06-23

    申请号：DE102015122708

    申请日：2015-12-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： TROTTA SAVERIO ,  BAHETI ASHUTOSH ,  HUYNH NGOC-HOA ,  NASR ISMAIL ,  NIESSNER MARTIN RICHARD

    IPC: H04B1/03 ,  G01S7/03 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/24 ,  H01Q23/00 ,  H04B1/08

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine eingehauste Hochfrequenz-(HF-)Schaltung eine integrierte Hochfrequenzschaltung (HFIC), die auf einem Substrat angeordnet ist, das eine Vielzahl an Empfangsschaltungen, die mit Empfangsanschlüssen an einer ersten Kante der HFIC gekoppelt sind, und eine erste Sendeschaltung, die mit einem ersten Sendeanschluss an einer zweiten Kante der HFIC gekoppelt ist, aufweist. Die eingehauste HF-Schaltung umfasst außerdem ein Empfangsantennensystem, das auf dem Gehäusesubstrat angrenzend an die erste Kante der HFIC angeordnet ist, und eine erste Sendeantenne, die auf dem Gehäusesubstrat angrenzend an die zweite Kante der HFIC angeordnet ist und mit dem ersten Sendeanschluss der HFIC elektrisch gekoppelt ist. Das Empfangsantennensystem umfasst eine Vielzahl an Empfangsantennenelementen, die jeweils mit einem entsprechenden Empfangsanschluss elektrisch gekoppelt sind.

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