公开(公告)号：DE102017210654A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102017210654

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEHLER ROBERT ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/32

Abstract: Eine elektronische Vorrichtung umfasst Folgendes: eine Lotkugel, eine dielektrische Schicht, die eine Öffnung umfasst, und eine Umverdrahtungsschicht (RDL: Redistribution Layer), die ein RDL-Pad umfasst, das mit der Lotkugel verbunden ist, wobei das RDL-Pad wenigstens einen Hohlraum umfasst, wobei der Hohlraum wenigstens teilweise in einem Bereich des RDL-Pads angeordnet ist, der sich lateral außerhalb der Öffnung der dielektrischen Schicht befindet.

公开(公告)号：DE102015100771A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100771

申请日：2015-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIESSNER MARTIN RICHARD ,  PAHLKE SEBASTIAN ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L23/64 ,  H05K1/02

Abstract: Ein Chipträger (100) zum Tragen eines gekapselten elektronischen Chips (102), wobei der Chipträger (100) eine Laminatstruktur, die als ein Stapel einer Mehrzahl von elektrisch isolierenden Strukturen (104) und einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Strukturen (106) ausgebildet ist, und einen Chipkopplungsbereich (108) auf einer freiliegenden Oberfläche der Laminatstruktur umfasst, der zum elektrischen und mechanischen Koppeln des gekapselten elektronischen Chips (102) konfiguriert ist, wobei eine der elektrisch isolierenden Strukturen (104) als ein Hochfrequenzdielektrikum (110) konfiguriert ist, das aus einem Material hergestellt ist, das mit einer verlustarmen Übertragung eines Hochfrequenzsignals kompatibel ist, wobei mindestens eines von einer weiteren der elektrisch isolierenden Strukturen (104) und einer der elektrisch leitfähigen Strukturen (106) als ein thermomechanischer Dämpfer (112) zum Dämpfen von thermisch eingebrachter mechanischer Belastung konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE102017210654B4

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102017210654

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEHLER ROBERT ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/32

Abstract: Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Substrat (26);eine erste dielektrische Schicht (25), die auf dem Substrat (26) angeordnet ist;ein erstes Metallschicht-Pad (23.1), das auf der ersten dielektrischen Schicht (25) angeordnet ist;eine zweite dielektrische Schicht (24), die auf dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) und auf der ersten dielektrischen Schicht (25) angeordnet ist, wobei die zweite dielektrische Schicht (24) eine Öffnung umfasst;ein zweites Metallschicht-Pad (22), das auf dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) in der Öffnung der zweiten dielektrischen Schicht (24) angeordnet ist;eine Lotkugel (21), die auf dem zweiten Metallschicht-Pad (22) angeordnet ist;eine Umverdrahtungsleitung (23.3), wobei das erste Metallschicht-Pad (23.1) ein Umverdrahtungs-Pad ist und ein Teil der Umverdrahtungsleitung (23.3) oder integral mit dieser ist;wobei das erste Metallschicht-Pad (23.1) wenigstens einen Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) umfasst, wobei der Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) wenigstens teilweise lateral außerhalb des zweiten Metallschicht-Pads (22) angeordnet ist und wobei der Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) als ein Schlitz gebildet ist, wobei der Schlitz eine längliche Form umfasst, die entlang eines kreisförmigen Bogensegments angeordnet ist,wobei der wenigstens eine Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) derart gebildet und angeordnet ist, dass ein innerer Teil des ersten Metallschicht-Pads (23.1) durch zwei Torsionsfedern oder durch eine Auslegerfeder aufgehängt ist, undwobei das Substrat (26) einen Halbleiter-Die umfasst, der Halbleiter-Die ein Kontakt-Pad umfasst und das Kontakt-Pad mittels der Umverdrahtungsleitung (23.3) wenigstens teilweise mit dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102015100771B4

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102015100771

申请日：2015-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIESSNER MARTIN RICHARD ,  PAHLKE SEBASTIAN ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L23/64 ,  H05K1/02

Abstract: Chipträger (100) zum Tragen eines gekapselten elektronischen Chips (102), wobei der Chipträger (100) umfasst:• eine Laminatstruktur, die als ein Stapel einer Mehrzahl von elektrisch isolierenden Schichten (104) und einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Schichten (106) ausgebildet ist;• einen Chipkopplungsbereich (108) auf einer freiliegenden Oberfläche der Laminatstruktur, der zum elektrischen und mechanischen Koppeln des gekapselten elektronischen Chips (102) konfiguriert ist;• wobei eine der elektrisch isolierenden Schichten (104) als ein Hochfrequenzdielektrikum (110) konfiguriert ist, das aus einem Material hergestellt ist, das mit einer verlustarmen Übertragung eines Hochfrequenzsignals kompatibel ist;• wobei mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus einer weiteren der elektrisch isolierenden Schichten (104) und einer der elektrisch leitfähigen Schichten (106) ein thermomechanischer Dämpfer (112) ist, der zum Dämpfen von thermisch induzierter mechanischer Belastung an einer elektrischen und mechanischen Schnittstelle zwischen dem Chipträger (100) und einem montierten elektronischen Chip (102) konfiguriert ist;• wobei der thermomechanische Dämpfer (112) und das Hochfrequenzdielektrikum (110) aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind;• wobei der thermomechanische Dämpfer (112) aus einem Material ist, das einen niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als die verbleibenden elektrisch isolierenden Schichten (104), abgesehen von dem Hochfrequenzdielektrikum (110), der Laminatstruktur aufweist.