公开(公告)号：DE102017121314B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102017121314

申请日：2017-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  KAHN MARKUS ,  PEKOLL KURT ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L23/482 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: Verfahren zur Erzeugung einer Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement, das aufweist:Bereitstellen eines Siliziumkarbid-Substrats (100), das aufweist: ein dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106), das unmittelbar an eine Hauptoberfläche (102) des Substrats (100) angrenzt, und eine dielektrische Schicht (112), die die Hauptoberfläche (102) bedeckt;Erzeugen einer Schutzschicht (116) auf der dielektrischen Schicht (112),Erzeugen einer strukturierten Maske (118) auf der Schutzschicht (116), wobei die strukturierte Maske (118) Öffnungen (120) aufweist, die an dem dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) ausgerichtet sind; undEntfernen von Abschnitten der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112), die durch die Öffnungen (120) exponiert sind, ohne verbleibende Abschnitte der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112), die sich unterhalb der Maske (118) befinden, zu entfernen;Entfernen der strukturierten Maske (118);Abscheiden einer Metallschicht (124) derart, dass ein erster Teil (126) der Metallschicht (124) das dotierte Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) unmittelbar kontaktiert und ein zweiter Teil (128) der Metallschicht (124) die verbleibenden Abschnitte der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112) beschichtet;Durchführen eines ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses bei einer Temperatur zwischen 600 °C und 800 °C und einer Dauer von nicht mehr als zwei Minuten;nach der Durchführung des ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses, Entfernen des zweiten Teils (128) der Metallschicht (124) und des verbleibenden Abschnitts der Schutzschicht (116), ohne den ersten Teil (126) der Metallschicht (124) zu entfernen; undDurchführen eines zweiten thermischen Wärmebehandlungsprozesses nach dem Entfernen des zweiten Teils (128) der Metallschicht (124), wobei der erste Teil (126) der Metallschicht (124) mit dem dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) weiter silizidiert,wobei ein thermisches Budget des zweiten thermischen Wärmebehandlungsprozesses größer ist als ein thermisches Budget des ersten thermischen Wärmebehandlungsprozesses.

公开(公告)号：DE102017121314A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：DE102017121314

申请日：2017-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  KAHN MARKUS ,  PEKOLL KURT ,  STEINBRENNER JUERGEN ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L23/482 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: Es wird ein Siliziumkarbid-Substrat, das ein dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet und eine dielektrische Schicht aufweist, bereitgestellt. Auf der dielektrischen Schicht wird eine Schutzschicht erzeugt. Auf der Schutzschicht wird eine strukturierte Maske erzeugt. Abschnitte der Schutzschicht und der dielektrischen Schicht, die durch Öffnungen der Maske exponiert sind, werden entfernt. Die strukturierte Maske wird entfernt. Eine Metallschicht wird derart abgeschieden, dass ein erster Teil der Metallschicht das dotierte Kontaktgebiet unmittelbar kontaktiert, und ein zweiter Teil der Metallschicht beschichtet die verbleibenden Abschnitte der Schutzschicht und der dielektrischen Schicht. Ein erster schneller thermischer Wärmebehandlungsprozess wird durchgeführt. Nach der Durchführung des ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses werden der zweite Teil der Metallschicht und der verbleibende Abschnitt der Schutzschicht entfernt, ohne den ersten Teil der Metallschicht zu entfernen.