公开(公告)号：DE102020103732A1

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102020103732

申请日：2020-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  BERGMEISTER MARKUS ,  GOLLER BERNHARD ,  PIEBER DANIEL ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung von MEMS-Bauelementen umfasst ein Erzeugen eines Trägers mit mehreren Aussparungen. Eine adhäsive Struktur wird auf dem Träger und in den Aussparungen angeordnet. Ein Halbleiterwafer mit mehreren MEMS-Strukturen wird erzeugt, welche bei einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers angeordnet sind. Die adhäsive Struktur wird an der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers befestigt, wobei die Aussparungen über den MEMS-Strukturen angeordnet sind und die adhäsive Struktur die MEMS-Strukturen nicht kontaktiert. Der Halbleiterwafer wird durch Anwenden eines mechanischen Dicing-Prozesses in mehrere MEMS-Bauelemente vereinzelt.