公开(公告)号：DE102005051330A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：DE102005051330

申请日：2005-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTT THOMAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/60

Abstract: A method of producing and cleaning external contacts of surface-mounted chips comprises galvanic deposition, tempering below the melting temperature performing high-temperature rapid thermal processing intervals during which the melting temperature is reached and moistening the surface. An independent claim is also included for a production method for surface-mounted chips as above.

公开(公告)号：DE102004023405B4

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：DE102004023405

申请日：2004-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  SCHULZE HOLGER ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L29/06 ,  H01L29/74

Abstract: The method involves fixing a carrier wafer (6) with a binder (5) onto the front of a product wafer (1), and thinning the product wafer from its rear side to a final thickness (d1). Back side processing is performed on the thinned wafer. Separating trenches (12) are formed between the integrated circuits in a saw guide region of the product wafer to form individual components. The carrier wafer is removed with the attached components and ribs engaging in the separating trenches. The carrier wafer and binder are released from the individual components. - An INDEPENDENT CLAIM is included for a holding device.

公开(公告)号：DE102012206531B4

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE102012206531

申请日：2012-04-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  BEHRENDT ANDREAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZGAGA MARTIN

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/265

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Systems mit folgenden Merkmalen: Bereitstellen eines dotierten Halbleitersubstrats mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüber liegenden zweiten Oberfläche; Durchführen eines Lithographieprozesses und einer anschließenden Implantation zur Herstellung eines umdotierten Bereichs innerhalb des dotierten Halbleitersubstrats, wobei ein pn-Übergang bei einer Tiefe innerhalb des Halbleitersubstrats gebildet wird, wobei die Tiefe des pn-Übergangs eine gewünschte Tiefe eines Bodens zumindest einer zu bildenden Kavität bestimmt; Durchführen eines Strukturierungsprozesses zur Herstellung von mikroelektromechanischen Strukturen in dem Halbleitersubstrat und an der zweiten Oberfläche, wobei zumindest ein Teil der vorgesehenen mikroelektromechanischen Strukturen sich in den umdotierten Bereich erstreckt; Trockenätzen des Halbleitersubstrats von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort, um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten, wobei das Trockenätzen gestoppt wird, bevor die gewünschte Tiefe der Kavität erreicht wird; Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden elektrochemischen Ätzprozesses an der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität; Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen; und elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität bis zu dem pn-Übergang, so dass dieser als elektrochemischer Ätzstopp den Boden der zumindest einen Kavität bildet, so dass die zumindest eine Kavität an den Teil der mikroelektromechanischen Strukturen angrenzt, der sich in den umdotierten Bereich erstreckt.

公开(公告)号：DE10355508A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：DE10355508

申请日：2003-11-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEEGANS MANFRED ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  MUELLER DIRK

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H01L23/485 ,  H01L23/525 ,  H01L23/48

Abstract: The invention relates to an ultrathin semiconductor circuit having contact bumps and to a corresponding production method. The semiconductor circuit includes a bump supporting layer having a supporting layer thickness and having a supporting layer opening for uncovering a contact layer element being formed on the surface of a semiconductor circuit. An electrode layer is situated on the surface of the contact layer element within the opening of the bump supporting layer, on which electrode layer is formed a bump metallization for realizing the contact bump. On account of the bump supporting layer, a thickness of the semiconductor circuit can be thinned to well below 300 micrometers, with the wafer reliably being prevented from breaking. Furthermore, the moisture barrier properties of the semiconductor circuit are thereby improved.

公开(公告)号：DE102020103732A1

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102020103732

申请日：2020-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  BERGMEISTER MARKUS ,  GOLLER BERNHARD ,  PIEBER DANIEL ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung von MEMS-Bauelementen umfasst ein Erzeugen eines Trägers mit mehreren Aussparungen. Eine adhäsive Struktur wird auf dem Träger und in den Aussparungen angeordnet. Ein Halbleiterwafer mit mehreren MEMS-Strukturen wird erzeugt, welche bei einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers angeordnet sind. Die adhäsive Struktur wird an der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers befestigt, wobei die Aussparungen über den MEMS-Strukturen angeordnet sind und die adhäsive Struktur die MEMS-Strukturen nicht kontaktiert. Der Halbleiterwafer wird durch Anwenden eines mechanischen Dicing-Prozesses in mehrere MEMS-Bauelemente vereinzelt.

公开(公告)号：DE102019208373A1

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102019208373

申请日：2019-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  JANSKI RAFAEL ,  KIRILLOV BORIS ,  OLDSEN MARTEN ,  ROESSLER CLEMENS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  SORSCHAG KURT

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Mikroelektromechanisches-System-, MEMS-, Bauelements wird ein MEMS-Substrat mit einem beweglichen Element bereitgestellt. Ein Glasabdeckbauteil mit einer Glasabdeckung wird durch Heiß-Prägen gebildet. Das Glasabdeckbauteil ist an das MEMS-Substrat gebunden, um so durch die Glasabdeckung eine Kavität, in der das bewegliche Element angeordnet ist, hermetisch abzudichten.

公开(公告)号：DE112013004299B4

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE112013004299

申请日：2013-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/17 ,  G02B6/12 ,  H01L31/0232

Abstract: Optoelektronischer Infrarot (IR)-Sensor, der aufweist:ein Halbleitersubstrat (202), das einen Silizium-Wellenleiter (110, 204) aufweist, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal (104), der zur Einkopplung von Strahlung in den Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, und einem Strahlungsauslasskanal (108), der zur Auskopplung von Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, erstreckt,eine Pufferschicht (120), die an eine Unterseite des Silizium-Wellenleiters (110, 204) zwischen dem Strahlungseinlasskanal (104) und dem Strahlungsauslasskanal (108) grenzt,wobei der Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, die Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal (104) zum Strahlungsauslasskanal (108) in einer einzelnen Mode zu übertragen, so dass ein abklingendes Feld ausgebildet wird, das sich vom Silizium-Wellenleiter (110, 204) nach außen erstreckt zur Wechselwirkung mit einer Probe (112), und wobei der Optoelektronische Infrarot (IR)-Sensor zudem aufweist:eine Kopplungsstruktur (302) zur Kopplung von Strahlung einer Strahlungsquelle (104a, 206) in den Silizium-Wellenleiter (110, 204), wobei die Kopplungsstruktur (302) eine Mehrzahl einzelner Schichten (302a, 302b, 302c) mit unterschiedlichen Materialien aufweist, die sich von einer Oberseite des Silizium-Wellenleiters (104, 204) zur Pufferschicht (120) vertikal erstrecken und in einer entlang einer Länge des Silizium-Wellenleiters (104, 204) verlaufenden horizontalen Richtung gestapelt sind.

公开(公告)号：DE102019110402A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019110402

申请日：2019-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KUENLE MATTHIAS ,  VOSS STEPHAN ,  MOSER ANDREAS ,  GRIEBL ERICH ,  KNABL MICHAEL ,  RUPP ROLAND ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers ist vorgeschlagen. Das Verfahren kann ein Reduzieren einer Dicke des Halbleiterwafers umfassen. Eine Trägerstruktur wird auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers platziert, z. B. vor oder nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Das Verfahren umfasst ferner ein Bereitstellen einer Stützstruktur auf einer zweiten Seite des Halbleiterwafers gegenüber der ersten Seite, z. B. nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Es werden Verfahren zum Schweißen einer Stützstruktur auf einen Halbleiterwafer vorgeschlagen. Ferner werden Halbleiter-Verbundstrukturen mit auf einen Halbleiterwafer geschweißten Stützstrukturen vorgeschlagen.

公开(公告)号：DE112013004299T5

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE112013004299

申请日：2013-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/77 ,  G01N33/543

Abstract: Einige Ausführungsformen der Beschreibung betreffen einen optoelektronischen Infrarot(IR)-Sensor mit einem in einem einzelnen integrierten Silizium-Chip implementierten Silizium-Wellenleiter. Der IR-Sensor weist ein Halbleitersubstrat mit einem Silizium-Wellenleiter auf, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal und einem Strahlungsauslasskanal erstreckt. Der Strahlungseinlasskanal koppelt Strahlung in den Silizium-Wellenleiter ein, während der Strahlungsauslasskanal Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter auskoppelt. Der Silizium-Wellenleiter überträgt die IR-Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal zum Strahlungsauslasskanal in einer einzelnen Mode. Beim Übertragen der Strahlung durch den Silizium-Wellenleiter wird ein abklingendes Feld ausgebildet, das sich vom Silizium-Wellenleiter nach außen erstreckt, um mit einer zwischen dem Strahlungseinlasskanal und dem Strahlungsauslasskanal positionierten Probe in Wechselwirkung zu treten.

公开(公告)号：DE102012206531A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：DE102012206531

申请日：2012-04-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  BEHRENDT ANDREAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZGAGA MARTIN

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/265

Abstract: Ein Verfahren zum Erzeugen zumindest einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats umfasst ein Trockenätzen des Halbleitersubstrats von einer Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten. Das Verfahren umfasst auch ein Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden Nassätzprozesses an der Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen. Es folgt ein elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität. Ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensorsystem, bei dem diese Art der Kavitätenbildung eingesetzt wird, ist ebenfalls offenbart. Ferner ist ein entsprechendes mikroelektromechanisches System (MEMS) offenbart.