公开(公告)号：DE102011053926B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102011053926

申请日：2011-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM ,  BEER GOTTFRIED ,  PLAGMANN JÖRN ,  POHL JENS ,  ROBL WERNER ,  STEINER RAINER ,  VAUPEL MATHIAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiter-Struktur, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines Werkstücks (210), das eine Öffnung (310') mit Seitenwandoberflächen (310S) und einer unteren Oberfläche (310B) aufweist;Ausbilden einer Sperrschicht (410) über dem Werkstück (210);Ausbilden einer Keimschicht (420) über der Sperrschicht (410);Ausbilden einer Hemmschicht (430) über der Keimschicht (420) derart, dass die Hemmschicht (430) die Seitenwandoberflächen (310S) und die untere Oberfläche (310B) der Öffnung (310') bedeckt;Entfernen eines Abschnitts der Hemmschicht (430) von den Seitenwandoberflächen (310S) und der unteren Oberfläche (310B) der Öffnung (310'), um einen Abschnitt der Keimschicht (420) freizulegen; undselektives Ablagern einer Füllschicht (510) auf der freiliegenden Keimschicht (420),wobei das Entfernen des Abschnitts der Hemmschicht (430) Laser-Ablation umfasst.