公开(公告)号：DE102008051443A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：DE102008051443

申请日：2008-10-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SOMMER GRIT ,  PLIENINGER RALF

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/60 ,  H01L23/535 ,  H01L25/16 ,  H01L27/08

公开(公告)号：DE102007020656A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：DE102007020656

申请日：2007-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  MEYER THORSTEN ,  BRADL STEPHAN ,  PLIENINGER RALF ,  POHL JENS ,  PRESSEL KLAUS ,  SEZI RECAI

IPC: H01L21/58

公开(公告)号：DE102008051443B4

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：DE102008051443

申请日：2008-10-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SOMMER GRIT ,  PLIENINGER RALF

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/535 ,  H01L25/16 ,  H01L27/08

Abstract: Halbleitermodul, umfassend: einen Halbleiterchip (1), der eine integrierte Schaltung mit einer ersten Elektrode (5) eines Kondensators (6) enthält; eine aus einem anorganischen Material bestehende Isolierschicht (7) auf der ersten Elektrode (5), wobei die Isolierschicht (7) Teil einer auf einer Halbleiterchipoberfläche aufgebrachten Passivierungsschicht des Halbleiterchips (1) ist; eine auf der Isolierschicht (7) aufgebrachte zweite Elektrode des Kondensators (6), wobei die zweite Elektrode (8) aus einer leitenden Schicht hergestellt ist, die eine Umverdrahtungsschicht ist; und eine über der zweiten Elektrode (8) angeordnete Polymerschicht (22).

公开(公告)号：DE102007020656B4

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：DE102007020656

申请日：2007-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  MEYER THORSTEN ,  BRADL STEPHAN ,  PLIENINGER RALF ,  POHL JENS ,  PRESSEL KLAUS ,  SEZI RECAI

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/552