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    VERFAHREN UND SYSTEM ZUM FÜHREN VON ELEKTRISCHEN VERBINDUNGEN VON HALBLEITERCHIPS
    1.
    发明专利
    VERFAHREN UND SYSTEM ZUM FÜHREN VON ELEKTRISCHEN VERBINDUNGEN VON HALBLEITERCHIPS 未知

    公开(公告)号：DE102011053161B4

    公开(公告)日：2021-01-28

    申请号：DE102011053161

    申请日：2011-08-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEER GOTTFRIED ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ORT THOMAS ,  PRESSEL KLAUS ,  WAIDHAS BERND ,  WOLTER ANDREAS

    IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

    Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:mindestens einen Halbleiterchip (104, 106, 202, 306, 308);mindestens eine Leitungsführungsebene (108, 208, 310) mit einer Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904), die voneinander beabstandet parallel zueinander verlaufen;eine erste Isolationsschicht (326), die über dem mindestens einen Halbleiterchip und der mindestens einen Leitungsführungsebene (108, 208, 310) angeordnet ist; undeine Umverteilungsschicht (234, 334), die über der ersten Isolationsschicht (326) angeordnet ist und folgendes aufweist:eine erste Verbindungsleitung (218), die mit einer der Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904) und dem mindestens einen Halbleiterchip (104, 202, 306) elektrisch gekoppelt ist; undeine zweite Verbindungsleitung (220), die mit der einen der Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904) und mit einem zweiten Halbleiterchip (106, 308) oder mit einem ersten externen Kontaktelement (214) elektrisch gekoppelt ist.

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005034011B4

    公开(公告)日：2009-05-20

    申请号：DE102005034011

    申请日：2005-07-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PRESSEL KLAUS ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  THEUSS HORST

    IPC: H01L23/053 ,  G08G1/16 ,  H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/49 ,  H01L23/66

    Abstract: A semiconductor device for radio frequencies of more than 10 GHz comprises a semiconductor chip (4) which, on its active top side (5), comprises a radio-frequency region (6) and a low-frequency region (7) and/or a region which is supplied with a direct current (DC) voltage, where the low-frequency region and/or region supplied with DC voltage is embedded in a plastic housing composition (8) arranged such that the composition is spaced apart from the radio-frequency region by a cavity on the active top side of the semiconductor chip. An independent claim is also included for a method for producing a semiconductor device for radio frequencies of more than 10 GHz comprising (A) producing a semiconductor wafer having semiconductor chips arranged in rows and columns and having, on their active top sides, radio-frequency regions and low-frequency regions and/or regions supplied with DC voltage; (B) applying a wall structure (9) which surrounds the radio-frequency regions; (C) separating the semiconductor wafer into semiconductor chips; (D) applying individual semiconductor chips with a wall structure to a carrier having semiconductor device positions; (E) electrically connecting the semiconductor chips to a wiring structure of the carrier via connectors (18); (F) applying an adapted cover (10) to the wall structure; (G) packaging the semiconductor chips, connectors, wall structure, and at least parts of the cover and of the carrier in a plastic housing composition; and (H) separating the semiconductor device positions of the carrier into individual semiconductor devices.

    Singulation of semiconductor wafers to form semiconductor chips, by inducing crystallographic strains into region of separating tracks using ion implantation of charged particles, and laser ablating along separating tracks
    4.
    发明专利
    Singulation of semiconductor wafers to form semiconductor chips, by inducing crystallographic strains into region of separating tracks using ion implantation of charged particles, and laser ablating along separating tracks 未知

    公开(公告)号：DE102006028718A1

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：DE102006028718

    申请日：2006-06-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PRESSEL KLAUS ,  KOLLER ADOLF ,  THEUSS HORST

    IPC: H01L21/30

    Abstract: Singulation of semiconductor wafers (1) to form semiconductor chips, comprises inducing crystallographic strains (7) into a region of separating tracks (6) by using ion implantation of charged particles and/or ionized atoms that can be incorporated interstitially into the monocrystalline lattice of a semiconductor crystal; and laser ablating along the separating tracks. Induction of crystallographic strains into the region of separating tracks is effected by using ion implantation of carbon ions, nitrogen ions, oxygen ions, and/or silicon ions; noble gas ions; protons; or alpha -particles. Singulation of semiconductor wafers to form semiconductor chips, comprises producing a semiconductor wafer having semiconductor chip positions (5) arranged in rows and columns, separating tracks being arranged between the positions; inducing crystallographic strains into the region of the separating tracks by using ion implantation of charged particles and/or ionized atoms that can be incorporated interstitially into the monocrystalline lattice of a semiconductor crystal; laser ablating along the separating tracks; and separating of the semiconductor wafer into individual semiconductor chips. Induction of crystallographic strains into the region of separating tracks is effected by using ion implantation of carbon ions, nitrogen ions, oxygen ions, and/or silicon ions; noble gas ions; protons; alpha -particles; ions from the group of transition elements and/or from the group of lanthanides; or irradiation with formation of vacancy clusters effected by using infrared laser irradiation, laser irradiation with setting of depth-staggered focusing depths, or laser irradiation with staggered variation of the laser wavelength, in the range from near UV to far infrared. An independent claim is included for a semiconductor wafer.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-FLIP-CHIP-PACKAGE
    6.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-FLIP-CHIP-PACKAGE 未知

    公开(公告)号：DE102019115369A1

    公开(公告)日：2020-12-10

    申请号：DE102019115369

    申请日：2019-06-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEYER THORSTEN ,  PRESSEL KLAUS ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  RAKOW BERND

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/50

    Abstract: Halbleiter-Flip-Chip-Package (10), umfassend ein Substrat (11), umfassend eine erste Hauptfläche, eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche und eine oder mehrere leitende Strukturen (11.1), die auf der ersten Hauptfläche angeordnet sind, wobei eine oder mehrere Säulen (12) auf mindestens einer der leitenden Strukturen (11) angeordnet sind, ein Halbleiterdie (13), der eine oder mehrere Kontaktpads (13.1) auf einer Hauptfläche desselben umfasst, wobei der Halbleiterdie (13) mit dem Substrat (11) verbunden ist, so dass mindestens eines der Kontaktpads (13.1) mit einer der Säulen (12) verbunden ist, und ein Verkapselungsmittel (14), das auf dem Substrat (11) und dem Halbleiterdie (13) angeordnet ist.

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