公开(公告)号：DE102008051443A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：DE102008051443

申请日：2008-10-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SOMMER GRIT ,  PLIENINGER RALF

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/60 ,  H01L23/535 ,  H01L25/16 ,  H01L27/08

公开(公告)号：DE102006058068A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：DE102006058068

申请日：2006-12-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  WAIDHAS BERND ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  SOMMER GRIT ,  WAGNER THOMAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/50

Abstract: A semiconductor component includes a semiconductor chip, and a passive component, with the semiconductor component including a coil as the passive component. The semiconductor chip and the passive component are embedded in a plastic encapsulation compound with connection elements to external contacts.

公开(公告)号：DE102007019552B4

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：DE102007019552

申请日：2007-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DERTINGER STEPHAN ,  MARTIN ALFRED ,  HASLER BARBARA ,  SOMMER GRIT ,  BINDER FLORIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/50

Abstract: A substrate with first and second main surfaces includes at least one channel extending from the first main surface to the second main surface. The at least one channel includes a first cross-sectional area at a first location and a second cross-sectional area at a second location. An electrically conductive first material is disposed in the at least one channel.

公开(公告)号：DE102008034574A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：DE102008034574

申请日：2008-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DERTINGER STEPHAN ,  MARTIN ALFRED ,  HASLER BARBARA ,  SOMMER GRIT ,  BINDER FLORIAN

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: An integrated circuit having a semiconductor substrate with a barrier layer is disclosed. The arrangement includes a semiconductor substrate and a metallic element. A carbon-based barrier layer is disposed between the semiconductor substrate and the metallic element.

公开(公告)号：DE102008034574B4

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：DE102008034574

申请日：2008-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DERTINGER STEPHAN ,  MARTIN ALFRED ,  HASLER BARBARA ,  SOMMER GRIT ,  BINDER FLORIAN

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Integrierte Schaltung mit einer Halbleiteranordnung, umfassend: ein Halbleitersubstrat; ein metallisches Element; und eine zwischen dem Halbleitersubstrat und dem metallischen Element angeordnete kohlenstoffbasierte Barrierenschicht, wobei die kohlenstoffbasierte Barrierenschicht aus polykristallinem Kohlenstoff hergestellt ist.

公开(公告)号：DE102007014363B4

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：DE102007014363

申请日：2007-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SOMMER GRIT

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/60 ,  H01L25/04

Abstract: Modul, aufweisend: einen Halbleiterchip, wobei der Halbleiterchip einen funktionalen Bereich aufweist, welcher bei Hochfrequenz arbeitet; eine elektrisch leitende Schicht, angeordnet über dem Halbleiterchip, wobei die elektrisch leitende Schicht einen Kondensator oder eine Spule aufweist; eine Abstandsstruktur, wobei der Abstand zwischen der elektrisch leitenden Schicht und dem Halbleiterchip in einem Bereich über der Abstandsstruktur größer als in einem Bereich neben der Abstandsstruktur ist und wobei die Abstandsstruktur zwischen dem funktionalen Bereich und dem Kondensator oder der Spule angeordnet ist; und eine lateral an den Halbleiterchip angrenzende Vergussmasse, wobei sich die elektrisch leitende Schicht über den Halbleiterchip und über die Vergussmasse erstreckt und die Abstandsstruktur zumindest teilweise über der Vergussmasse angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102007019552A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：DE102007019552

申请日：2007-04-25

Applicant: QIMONDA AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DERTINGER STEPHAN ,  MARTIN ALFRED ,  HASLER BARBARA ,  SOMMER GRIT ,  BINDER FLORIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: A substrate with first and second main surfaces includes at least one channel extending from the first main surface to the second main surface. The at least one channel includes a first cross-sectional area at a first location and a second cross-sectional area at a second location. An electrically conductive first material is disposed in the at least one channel.

公开(公告)号：DE102008051443B4

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：DE102008051443

申请日：2008-10-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SOMMER GRIT ,  PLIENINGER RALF

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/535 ,  H01L25/16 ,  H01L27/08

Abstract: Halbleitermodul, umfassend: einen Halbleiterchip (1), der eine integrierte Schaltung mit einer ersten Elektrode (5) eines Kondensators (6) enthält; eine aus einem anorganischen Material bestehende Isolierschicht (7) auf der ersten Elektrode (5), wobei die Isolierschicht (7) Teil einer auf einer Halbleiterchipoberfläche aufgebrachten Passivierungsschicht des Halbleiterchips (1) ist; eine auf der Isolierschicht (7) aufgebrachte zweite Elektrode des Kondensators (6), wobei die zweite Elektrode (8) aus einer leitenden Schicht hergestellt ist, die eine Umverdrahtungsschicht ist; und eine über der zweiten Elektrode (8) angeordnete Polymerschicht (22).

公开(公告)号：DE102007014363A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：DE102007014363

申请日：2007-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SOMMER GRIT

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/60 ,  H01L25/04

Abstract: A module includes a semiconductor chip and a conductive layer arranged over the semiconductor chip. The module also includes a spacer structure arranged to deflect the conductive layer away from the semiconductor chip.

公开(公告)号：DE102006049562A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：DE102006049562

申请日：2006-10-20

Applicant: QIMONDA AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER FLORIAN ,  DERTINGER STEPHAN ,  HASLER BARBARA ,  MARTIN ALFRED ,  SOMMER GRIT ,  TORWESTEN HOLGER

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: The method involves providing a substrate (2) e.g. ceramic substrate, with a channel i.e. blind hole, from a main surface (6) of the substrate to another main surface (8) of the substrate. The channel is sealed with a material e.g. gold, and is filled with an electrically conductive material e.g. copper. The channel is produced by etching i.e. electrochemical etching, on the surface (6) of the substrate. A surface of the substrate is provided with an isolation layer, where the isolation layer is a silicon oxide and/or silicon nitride. An independent claim is also included for a semiconductor module comprising a substrate.