公开(公告)号：DE102019210285A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE102019210285

申请日：2019-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROETH ANDRE ,  KAUTZSCH THORALF ,  VOGT MIRKO ,  STEGEMANN MAIK ,  BINDER BORIS ,  RUDOLPH UWE

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/764 ,  H01L21/82 ,  H01L27/12

Abstract: Bei einem Verfahren zum Erzeugen eines vergrabenen Hohlraums in einem Halbleitersubstrat werden Gräben in einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats bis zu einer Tiefe, die größer ist als Querschnittsabmessungen des jeweiligen Grabens in einem Querschnitt senkrecht zu der Tiefe erzeugt, wobei auf Seitenwänden der Gräben eine Schutzschicht gebildet wird. Ein isotropen Ätzens durch Bodenbereiche der Gräben wird durchgeführt. Nach dem Durchführen des isotropen Ätzens werden die vergrößerten Gräben durch Aufbringen einer Halbleiter-Epitaxieschicht auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats verschlossen. Ein geschlossener durchgehender Hohlraum in dem Halbleitersubstrat wird dadurch gebildet wird, dass bei dem Durchführen des isotropen Ätzens die Querschnittsabmessungen der vergrößerten Gräben derart weiter vergrößert werden, dass sich benachbarte Gräben berühren und ein durchgehender Hohlraum entsteht, und/oder nach dem Verschließen der vergrößerten Gräben eine Temperaturbehandlung erfolgt, durch die Querschnittsabmessungen benachbarter Gräben vergrößert werden, so dass sie sich berühren und ein durchgehender geschlossener Hohlraum entsteht.