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    Verfahren zum Herstellen von isolierten Halbleiterstrukturen sowie Vorrichtung
    2.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen von isolierten Halbleiterstrukturen sowie Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102012022829B4

    公开(公告)日：2018-08-02

    申请号：DE102012022829

    申请日：2012-11-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BINDER BORIS ,  HELM TORSTEN ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  PROBST MARC ,  RUDOLPH UWE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01J5/00 ,  G01L9/06

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, aufweisend:Ausbilden mehrerer erster Gräben (102) in einem Halbleitersubstrat (100),Ausbilden von mindestens einem zweiten Graben (104) in dem Halbleitersubstrat (100),derartiges Anwenden eines Migrationsprozesses, dass das Halbleitermaterial, das sich zwischen den ersten Gräben (100) befindet, derart migriert, dass sich eine fortlaufende Halbleiterschicht (112) und ein fortlaufender Hohlraum (111) ausbilden, wobei die fortlaufende Halbleiterschicht (112) im Wesentlichen parallel zu einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats (100) verläuft und von dem darunterliegenden Teil des Halbleitersubstrats (100) in einer Richtung, die senkrecht zu der Hauptfläche (100a) verläuft, durch den fortlaufenden Hohlraum (111) getrennt ist, wobei der fortlaufende Hohlraum (111) mit mindestens einer ersten Öffnung (114) in der Halbleitersubstratoberfläche (100a) verbunden ist, wobei sich die erste Öffnung (114) nach dem Migrationsprozess aus dem zweiten Graben (104) ausbildet,Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht (116) zum Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen ersten Öffnung (114), während der Hohlraum (111) ungefüllt bleibt,Entfernen von Abschnitten der fortlaufenden Halbleiterschicht (112) zum Ausbilden von mindestens einer zweiten Öffnung (118), die die Halbleitersubstratoberfläche (100a) mit einem ungefüllten Bereich des Hohlraums (111) verbindet,und Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen zweiten Öffnung (118) mit einer zweiten dielektrischen Schicht (120), so dass der Hohlraum (111) versiegelt ist.

    Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur mit Bilden einer Opferstruktur
    3.
    发明专利
    Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur mit Bilden einer Opferstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102011084024B4

    公开(公告)日：2016-07-21

    申请号：DE102011084024

    申请日：2011-10-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  MÜLLER MARCO

    IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01L9/00

    Abstract: Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur (100, 200), das folgende Schritte aufweist: Bilden einer Opferstruktur (110, 210) durch Ätzen einer Mehrzahl von Gräben (112, 212) von einer ersten Hauptoberfläche (103, 203) eines Substrats (102, 202), wobei die Opferstruktur (110, 210) eine oder mehrere Wände zwischen den Gräben (112, 212) aufweist; Abdecken der Mehrzahl von Gräben (112, 212) an der ersten Hauptoberfläche (103, 203) mit einem Abdeckungsmaterial (115, 215), um Hohlräume in dem Substrat (102, 202) zu definieren, so dass das Abdeckungsmaterial (115, 215) im Wesentlichen an der ersten Hauptoberfläche (103) des Substrats (102) bleibt, anstatt zu der Unterseite der Mehrzahl von Gräben (112, 212) zu fallen; Entfernen eines Teils des Substrats (102, 202) von einer zweiten Hauptoberfläche (104, 204) gegenüber der ersten Hauptoberfläche (103, 203) zu einer Tiefe, bei der die Mehrzahl von Gräben (112, 212) vorliegen; und Wegätzen der Opferstruktur (110, 210) durch Wegätzen der ein oder mehreren Wände von der zweiten Hauptoberfläche (104, 204) des Substrats (102, 202), so dass eine Ausnehmung (120, 220) mit einer Unterseite entsteht, die das Abdeckungsmaterial (115, 215) umfasst.

    Halbleiterherstellung
    4.
    发明专利
    Halbleiterherstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011112879B4

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：DE102011112879

    申请日：2011-09-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BINDER BORIS ,  HOFFMANN FRANK ,  KAUTZSCH THORALF ,  RUDOLPH UWE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

    Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst: Entfernen von Halbleitermaterial in einem ersten und zweiten Abschnitt (102a, b) eines Halbleitersubstrats (100), sodass eine Halbleiterstruktur (104) in dem Halbleitersubstrat (100) zwischen den Abschnitten (102a, b) ausgebildet wird; Ausbilden einer Schutzschicht (106) an einer Wand eines ersten Teils der Halbleiterstruktur (104), während eine Wand eines zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) nicht von der Schutzschicht (106) bedeckt ist, wobei der zweite Teil der Halbleiterstruktur (104) über dem ersten Teil der Halbleiterstruktur (104) ist; wobei die Schutzschicht (106) ein von dem Halbleitermaterial verschiedenes Material aufweist zum Schützen des Materials des ersten Teils der Halbleiterstruktur (104) vor einer Migration während eines nachfolgenden Migrationsprozesses; Anwenden des Migrationsprozesses auf das Halbleitersubstrat (104), sodass der erste Teil der Halbleiterstruktur (104) nach dem Migrationsprozess zurückbleibt und Halbleitermaterial des zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) derart migriert, dass ein kontinuierlicher Raum (112), der frei von Halbleitermaterial ist und sich über dem verbleibenden ersten Teil der Halbleiterstruktur (104) erstreckt, und eine kontinuierliche Halbleitermaterialschicht (114), die sich über dem kontinuierlichen Raum (112) von dem ersten zu dem zweiten Abschnitt (102a, b) erstreckt, durch die Migration des Halbleitermaterials des zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) ausgebildet werden.

    Erzeugen eines vergrabenen Hohlraums in einem Halbleitersubstrat
    7.
    发明专利
    Erzeugen eines vergrabenen Hohlraums in einem Halbleitersubstrat 未知

    公开(公告)号：DE102019210285A1

    公开(公告)日：2021-01-14

    申请号：DE102019210285

    申请日：2019-07-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ROETH ANDRE ,  KAUTZSCH THORALF ,  VOGT MIRKO ,  STEGEMANN MAIK ,  BINDER BORIS ,  RUDOLPH UWE

    IPC: H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/764 ,  H01L21/82 ,  H01L27/12

    Abstract: Bei einem Verfahren zum Erzeugen eines vergrabenen Hohlraums in einem Halbleitersubstrat werden Gräben in einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats bis zu einer Tiefe, die größer ist als Querschnittsabmessungen des jeweiligen Grabens in einem Querschnitt senkrecht zu der Tiefe erzeugt, wobei auf Seitenwänden der Gräben eine Schutzschicht gebildet wird. Ein isotropen Ätzens durch Bodenbereiche der Gräben wird durchgeführt. Nach dem Durchführen des isotropen Ätzens werden die vergrößerten Gräben durch Aufbringen einer Halbleiter-Epitaxieschicht auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats verschlossen. Ein geschlossener durchgehender Hohlraum in dem Halbleitersubstrat wird dadurch gebildet wird, dass bei dem Durchführen des isotropen Ätzens die Querschnittsabmessungen der vergrößerten Gräben derart weiter vergrößert werden, dass sich benachbarte Gräben berühren und ein durchgehender Hohlraum entsteht, und/oder nach dem Verschließen der vergrößerten Gräben eine Temperaturbehandlung erfolgt, durch die Querschnittsabmessungen benachbarter Gräben vergrößert werden, so dass sie sich berühren und ein durchgehender geschlossener Hohlraum entsteht.

    Beschleunigungssensor
    8.
    发明专利
    Beschleunigungssensor 未知

    公开(公告)号：DE102009055389B4

    公开(公告)日：2014-11-20

    申请号：DE102009055389

    申请日：2009-12-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  MEINHOLD DIRK ,  ROSAM BEN ,  THAMM ANDREAS ,  WINKLER BERNHARD

    IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

    Abstract: Halbleiterbauelement (106), das folgende Merkmale aufweist: ein Halbleitersubstrat (108); ein Halbleitermasseelement (112), das konfiguriert ist, um sich ansprechend auf eine ausgeübte Beschleunigung zu bewegen, wobei das Masseelement (112) durch Gräben, die in das Halbleitersubstrat (108) geätzt sind, und einen Hohlraum (110, 140) unter dem Masseelement (112) definiert ist; ein Erfassungselement, das konfiguriert ist, um eine Bewegung des Masseelements (112) zu erfassen; und eine Komplementärmetalloxidhalbleiterschaltung (CMOS-Schaltung), die auf dem Substrat (108) gebildet ist, wobei der Hohlraum (110, 140) eine erste Seitenwand (126), die einer ersten Seitenwand (128) des Masseelements (112) gegenüberliegt, und eine zweite, an die erste Seitenwand (126) angrenzende Seitenwand (130), die einer zweiten Seitenwand des Masseelements (112) gegenüberliegt, umfasst, wobei die Seitenwände (126, 128, 130) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) eine Dotierung mit einer ersten Polarität aufweisen, wobei ein Abschnitt (124) des Bodens des Hohlraums (110) zwischen den ersten Seitenwänden (126, 128) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) und eine Ecke (122) zwischen der ersten und zweiten Seitenwand (126, 130) des Hohlraums (110, 140) eine Dotierung mit einer zweiten, der ersten Polarität entgegengesetzten Polarität aufweisen, um die erste und zweite Seitenwand (126, 130) des Hohlraums (110, 140) elektrisch zu isolieren, und wobei das Erfassungselement Elektroden zum kapazitiven Erfassen der Bewegung des Masseelements (112) und Verbindungen (118, 120) zum Koppeln mit der CMOS-Schaltung (104) umfasst, wobei die Elektroden durch die gegenüberliegenden, dotierten ersten Seitenwände (126, 128) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) gebildet sind, wobei eine erste (118) der Verbindungen (118, 120) die erste Seitenwand (126) des Hohlraums (110, 140) mit der CMOS-Schaltung (104) koppelt, und wobei eine zweite (120) der Verbindungen (118, 120) die zweite Seitenwand des Masseelements (112) mit der CMOS-Schaltung (104) koppelt.

    Verfahren zum Herstellen von isolierten Halbleiterstrukturen
    9.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen von isolierten Halbleiterstrukturen 未知

    公开(公告)号：DE102012022829A1

    公开(公告)日：2013-05-29

    申请号：DE102012022829

    申请日：2012-11-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BINDER BORIS ,  HELM TORSTEN ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  PROBST MARC ,  RUDOLPH UWE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01J5/00 ,  G01L9/06

    Abstract: In einem Aspekt weist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur die Ausbildung mehrerer erster Gräben und mindestens eines zweiten Grabens in dem Halbleitersubstrat auf. Ein Migrationsprozess wird derart angewendet, dass die ersten Gräben auf eine fortlaufende Halbleiterschicht übertragen werden, die im Wesentlichen parallel zu einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats verläuft und von dem darunterliegenden Teil des Substrats in einer Richtung, die senkrecht zu der Hauptfläche verläuft, durch einen fortlaufenden Hohlraum getrennt ist, wobei der fortlaufende Hohlraum mit mindestens einer ersten Öffnung in der Substratfläche verbunden ist, die durch den mindestens einen zweiten Graben ausgebildet ist. Eine erste dielektrische Schicht wird zum Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen ersten Öffnung ausgebildet, während der Hohlraum im Wesentlichen ungefüllt bleibt. Dann werden Abschnitte der fortlaufenden Halbleiterschicht zum Ausbilden von mindestens einer zweiten Öffnung entfernt, die die Substratoberfläche mit dem Hohlraum verbindet. Dann werden mindestens obere Abschnitte der mindestens einen zweiten Öffnung mit einer zweiten dielektrischen Schicht gefüllt, sodass der Hohlraum versiegelt ist.

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