公开(公告)号：DE102019126505A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102019126505

申请日：2019-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSHANGHIAS ALI ,  BINDER ALFRED ,  EICHINGER BARBARA ,  KARNER STEFAN ,  MISCHITZ MARTIN ,  PELZER RAINER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Mehrchipvorrichtung wird geschaffen. Die Mehrchipvorrichtung umfasst einen ersten Chip, einen zweiten Chip, der auf dem ersten Chip montiert ist, und ein gehärtetes gedrucktes oder gesprühtes elektrisch leitfähiges Material, das eine gesinterte elektrisch leitfähige Grenzfläche zwischen dem ersten Chip und dem zweiten Chip bildet.

公开(公告)号：DE102019009176A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102019009176

申请日：2019-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSHANGHIAS ALI ,  BINDER ALFRED ,  EICHINGER BARBARA ,  KARNER STEFAN ,  MISCHITZ MARTIN ,  PELZER RAINER

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Metallzwischenverbindung wird bereitgestellt. Das Verfahren umfasst ein Bilden einer ersten Metallschicht auf einem ersten Substrat, wobei die erste Metallschicht Kupfer und/oder Silber enthält oder daraus besteht, ein Bilden einer zweiten Metallschicht auf einem zweiten Substrat, wobei die zweite Metallschicht Kupfer und/oder Silber enthält oder daraus besteht, und ein Bilden einer gesinterten elektrisch leitfähigen Grenzfläche zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat durch Pressen des ersten Substrats auf das zweite Substrat unter Beaufschlagung von Wärme und Ultraschallenergie.