公开(公告)号：DE102016111325A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：DE102016111325

申请日：2016-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTHMALER RUDOLF ,  STRANZL GUDRUN ,  ORTNER JOERG ,  ROESNER MICHAEL

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/301 ,  H01L21/308 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers umfasst ein Bereitstellen eines Wafers und ein Ätzen des Wafers, um Chips zwischen Sägerahmenliniensegmenten, die innerhalb einer inneren Region des Wafers definiert sind, zu vereinzeln, und um eine Mehrzahl von Waferrandbereichen zwischen den Sägerahmenliniensegmenten und einem Umfangsrand des Wafers zu vereinzeln. Jeder einzelne der Mehrzahl von Waferrandbereichen wird durch Sägerahmenlinien vereinzelt, die sich jeweils zwischen einem von zwei Endpunkten von einem von den Sägerahmenliniensegmenten und dem Umfangsrand des Wafers erstrecken.

公开(公告)号：DE102016111325B4

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102016111325

申请日：2016-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ORTNER JOERG ,  ROESNER MICHAEL ,  ROTHMALER RUDOLF ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/301 ,  H01L21/308 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544

Abstract: Verfahren (1000) zum Vereinzeln eines Wafers, umfassend:Bereitstellen (1200) eines Wafers (102); undÄtzen (1400) des Wafers (102), um Chips (128) zwischen Sägerahmenliniensegmenten (202, 204), die innerhalb einer inneren Region (210) des Wafers definiert sind, zu vereinzeln, und um eine Mehrzahl von Waferrandbereichen (130) zwischen den Sägerahmenliniensegmenten (202, 204) und einem Umfangsrand (112) des Wafers (102) zu vereinzeln, wobei jeder einzelne der Mehrzahl von Waferrandbereichen (130) durch Sägerahmenlinien (220) vereinzelt wird, die sich jeweils zwischen einem von zwei Endpunkten (216, 218) von einem der Sägerahmenliniensegmente (202, 204) und dem Umfangsrand (112) des Wafers (102) erstrecken,wobei die Sägerahmenliniensegmente N parallele Sägerahmenliniensegmente (202, 204) umfassen, wobei N eine Ganzzahl ist, die gleich oder größer als 3 ist, wobei ein oder mehrere der Mehrzahl von Waferrandbereichen (130) durch die Sägerahmenlinien (220) vereinzelt werden, die sich jeweils zwischen dem einen von den zwei Endpunkten (216, 218) jedes M. Sägerahmenliniensegments und dem Umfangsrand (112) des Wafers (102) erstrecken, und wobei M eine Ganzzahl ist, die gleich oder größer als 2 und gleich oder kleiner als N ist.