公开(公告)号：DE102016117562A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：DE102016117562

申请日：2016-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN ,  SPORN MARTIN ,  SCHMIDT TOBIAS

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/302 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterchip enthält einen Körper mit einer Vorderseite, einer Rückseite gegenüber der Vorderseite, und Seitenwänden, die sich zwischen der Rückseite und Vorderseite erstrecken, wobei mindestens ein Abschnitt jeder Seitenwand eine definierte Oberflächenstruktur mit hydrophoben Charakteristika besitzt, um eine Bewegung eines Bondmaterials entlang den Seitenwänden während des Anbringens des Halbleiterchips an einem Träger mit dem Bondmaterial zu blockieren.

公开(公告)号：DE102013104048A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE102013104048

申请日：2013-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  KAHN MARKUS ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/768 ,  H01L21/78

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements das Ausbilden von Öffnungen (60) in einem Substrat (10). Das Verfahren beinhaltet das Ausbilden eines Dummyfüllmaterials (70) innerhalb der Öffnungen (60) und das Dünnen des Substrats (10), um das Dummyfüllmaterial (70) freizulegen. Das Dummyfüllmaterial (70) wird entfernt.

公开(公告)号：DE102016112871A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102016112871

申请日：2016-07-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLWEG GERALD ,  RAJARAMAN VIJAYE KUMAR ,  ARNANTHIGO YONSUANG ,  BERGER JAN ,  STRANZL GUDRUN ,  OSTERMANN THOMAS ,  DA SILVA SYLVICLEY FIGUEIRA ,  DENIFL GÜNTER ,  MODER IRIS ,  OSWATITSCH ALEXANDER

IPC: B01D61/14 ,  B81B1/00 ,  G01N33/49

Abstract: Eine Mikrofiltrationsvorrichtung (100) umfasst ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche. Das Substrat umfasst einen Hohlraum (120) zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche. Das Substrat umfasst ferner einen Mikrofilter (130), der einen Rahmenteil (140) in Kontakt mit dem Substrat und einen an den Hohlraum (120) angrenzenden Filterteil (150) umfasst. Der Mikrofilter (130) weist in sowohl dem Rahmenteil (140) als auch dem Filterteil (150) ein halbleitendes oder leitendes Material auf.

公开(公告)号：DE102015104476A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104476

申请日：2015-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  RÖSNER MICHAEL ,  SCHMID JOHANN ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements das Anbringen eines Substrats (100) an einem Träger (20) mithilfe einer haftfähigen Komponente (10) und das Ausbilden eines Grabens (170) durch das Substrat (100), um die haftfähige Komponente (10) freizulegen. Wenigstens ein Teil der haftfähigen Komponente (10) wird geätzt, und eine Metallschicht (60) wird über Seitenwänden des Grabens (170) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102013105736B4

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102013105736

申请日：2013-06-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  MAYER KARL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:• Bereitstellen eines Wafers mit einer Mehrzahl von Chipbereichen und einer Mehrzahl von Kerbbereichen;• Bilden eines Metallisierungsbereichs in der Mehrzahl von Chipbereichen;• Aufbringen einer Gaszusammensetzung auf den Wafer, wobei die Gaszusammensetzung die Mehrzahl von Kerbbereichen wegätzt, und• wobei die Gaszusammensetzung mit dem Metallisierungsbereich unter Bildung einer Passivierungsschicht reagiert.

公开(公告)号：DE102015119413A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102015119413

申请日：2015-11-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICI MARKUS ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  MISCHITZ MARTIN ,  ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/283

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats Folgendes enthalten: Bedecken von mehreren Chipbereichen des Halbleitersubstrats mit einem Metall (110); Bilden von mehreren Chips aus dem Halbleitersubstrat, wobei jeder Chip aus den mehreren Chips mit dem Metall bedeckt ist (120); und nachfolgend Tempern des Metalls, das wenigstens einen Chip aus den mehreren Chips bedeckt (130).

公开(公告)号：DE102014117236A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102014117236

申请日：2014-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOCHE BERNHARD ,  ENGELHARDT MANFRED ,  GOLLER BERNHARD ,  LEUSCHNER RAINER ,  MAYER KARL ,  NOEHAMMER BERND ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  VOERCKEL MONIKA CORNELIA ,  WENDT HERMANN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten eines Halbleiterwerkstücks können enthalten: das Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks mit einem oder mit mehreren Trennfugengebieten; das Ausbilden eines oder mehrerer Gräben in dem Werkstück durch das Entfernen von Material aus dem einen oder aus den mehreren Trennfugengebieten von einer ersten Seite des Werkstücks aus; das Anbringen des Werkstücks mit der ersten Seite an einem Träger; das Dünnen des Werkstücks von einer zweiten Seite des Werkstücks aus; und das Ausbilden einer Metallisierungsschicht über der zweiten Seite des Werkstücks.

公开(公告)号：DE102014111977A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102014111977

申请日：2014-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  MAIER HUBERT ,  STRANZL GUDRUN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: Es werden verschiedene Verfahren und Vorrichtungen bezüglich des Trennens eines Substrats in mehrere Teile bereitgestellt. Beispielsweise wird zuerst eine Teiltrennung durchgeführt, und dann wird das teilweise getrennte Substrat komplett in mehrere Teile getrennt.

公开(公告)号：DE102014107557A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102014107557

申请日：2014-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  FISCHER THOMAS ,  GISSIBL ANJA ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STRANZL GUDRUN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  WENDT HERMANN

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Halbleiterwerkstücks wird bereitgestellt, welches möglicherweise Folgendes beinhaltet: Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks, das einen Metallisierungsschichtstapel, der an einer Seite des Halbleiterwerkstücks angeordnet ist, beinhaltet, wobei der Metallisierungsschichtstapel mindestens eine erste Schicht und eine zweite Schicht, die über der ersten Schicht angeordnet ist, beinhaltet, wobei die erste Schicht ein erstes Material enthält und die zweite Schicht ein zweites Material, das anders geartet ist als das erste Material, enthält (102); Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels, wobei Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels Nassätzen der ersten Schicht und der zweiten Schicht mittels einer Ätzlösung, die mindestens im Wesentlichen die gleiche Ätzrate für das erste Material und das zweite Material aufweist (104), beinhaltet.

公开(公告)号：DE102018204376B4

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：DE102018204376

申请日：2018-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  MENATH MARKUS

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L29/161

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine Siliziumcarbidschicht (2);eine Metallcarbidschicht (4), die auf der Siliziumcarbidschicht (2) angeordnet ist; undeine Lotschicht (6), die direkt auf der Metallcarbidschicht (4) angeordnet ist, wobei die Lotschicht (6) Atome eines carbidausbildenden Metalls (10) umfasst, welches dem Metall der Metallcarbidschicht (4) entspricht, und wobei die Lotschicht (6) ein Seltenerdmetall umfasst.