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公开(公告)号:DE102016111325B4
公开(公告)日:2018-07-26
申请号:DE102016111325
申请日:2016-06-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ORTNER JOERG , ROESNER MICHAEL , ROTHMALER RUDOLF , STRANZL GUDRUN
IPC: H01L21/3065 , H01L21/301 , H01L21/308 , H01L21/78 , H01L23/544
Abstract: Verfahren (1000) zum Vereinzeln eines Wafers, umfassend:Bereitstellen (1200) eines Wafers (102); undÄtzen (1400) des Wafers (102), um Chips (128) zwischen Sägerahmenliniensegmenten (202, 204), die innerhalb einer inneren Region (210) des Wafers definiert sind, zu vereinzeln, und um eine Mehrzahl von Waferrandbereichen (130) zwischen den Sägerahmenliniensegmenten (202, 204) und einem Umfangsrand (112) des Wafers (102) zu vereinzeln, wobei jeder einzelne der Mehrzahl von Waferrandbereichen (130) durch Sägerahmenlinien (220) vereinzelt wird, die sich jeweils zwischen einem von zwei Endpunkten (216, 218) von einem der Sägerahmenliniensegmente (202, 204) und dem Umfangsrand (112) des Wafers (102) erstrecken,wobei die Sägerahmenliniensegmente N parallele Sägerahmenliniensegmente (202, 204) umfassen, wobei N eine Ganzzahl ist, die gleich oder größer als 3 ist, wobei ein oder mehrere der Mehrzahl von Waferrandbereichen (130) durch die Sägerahmenlinien (220) vereinzelt werden, die sich jeweils zwischen dem einen von den zwei Endpunkten (216, 218) jedes M. Sägerahmenliniensegments und dem Umfangsrand (112) des Wafers (102) erstrecken, und wobei M eine Ganzzahl ist, die gleich oder größer als 2 und gleich oder kleiner als N ist.
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公开(公告)号:DE102011053390A1
公开(公告)日:2012-05-31
申请号:DE102011053390
申请日:2011-09-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ORTNER JOERG , SORGER MICHAEL
IPC: H01L21/304 , H05K1/02
Abstract: Bei einem Verfahren zum Prozessieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform kann ein Graben in dem Substrat gebildet werden; Prägematerial kann zumindest in den Graben abgeschieden werden; das Prägematerial in dem Graben kann geprägt werden unter Verwendung einer Stempelvorrichtung; und die Stempelvorrichtung kann aus dem Graben entfernt werden.
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公开(公告)号:DE102011053390B4
公开(公告)日:2014-07-24
申请号:DE102011053390
申请日:2011-09-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ORTNER JOERG , SORGER MICHAEL
IPC: H01L21/304 , H01L21/027 , H01L21/3205 , H05K1/02
Abstract: Verfahren zum Prozessieren eines Substrats, aufweisend: Bilden eines Grabens in dem Substrat; Abscheiden von Prägematerial zumindest in den Graben; Prägen des Prägematerials in dem Graben unter Verwendung einer Stempelvorrichtung; Entfernen der Stempelvorrichtung aus dem Graben; Abscheiden von Füllmaterial zumindest in den Graben nach dem Entfernen der Stempelvorrichtung; und Entfernen des Prägematerials aus dem Graben nach dem Abscheiden des Füllmaterials, wobei das Füllmaterial während des Entfernens des Prägematerials in dem Graben verbleibt.
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公开(公告)号:DE102008058974A1
公开(公告)日:2010-04-29
申请号:DE102008058974
申请日:2008-11-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BACHER ERWIN , BEHRENDT ANDREAS , ORTNER JOERG , RIEGER WALTER , ZELSACHER RUDOLF , ZUNDEL MARKUS
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公开(公告)号:DE102016111325A1
公开(公告)日:2016-12-29
申请号:DE102016111325
申请日:2016-06-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ROTHMALER RUDOLF , STRANZL GUDRUN , ORTNER JOERG , ROESNER MICHAEL
IPC: H01L21/3065 , H01L21/301 , H01L21/308 , H01L21/78 , H01L23/544
Abstract: Ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers umfasst ein Bereitstellen eines Wafers und ein Ätzen des Wafers, um Chips zwischen Sägerahmenliniensegmenten, die innerhalb einer inneren Region des Wafers definiert sind, zu vereinzeln, und um eine Mehrzahl von Waferrandbereichen zwischen den Sägerahmenliniensegmenten und einem Umfangsrand des Wafers zu vereinzeln. Jeder einzelne der Mehrzahl von Waferrandbereichen wird durch Sägerahmenlinien vereinzelt, die sich jeweils zwischen einem von zwei Endpunkten von einem von den Sägerahmenliniensegmenten und dem Umfangsrand des Wafers erstrecken.
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公开(公告)号:DE102009025575A1
公开(公告)日:2010-01-14
申请号:DE102009025575
申请日:2009-06-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ORTNER JOERG
IPC: H01L23/544
Abstract: A semiconductor chip includes a first mark for identifying a position of the chip within an exposure field. The semiconductor chip includes a first matrix in a first layer of the chip and a second mark within the first matrix identifying a position of the exposure field on a wafer.
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