公开(公告)号：DE102016015761A1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102016015761

申请日：2016-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLAPPERT MATHIAS ,  RIEGLER ANDREAS ,  SCHRETTLINGER KARIN ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement Folgendes aufweisen: ein Halbleitersubstrat (202) aufweisend Silizium, eine Metallisierungsschicht (214) aufweisend Aluminium und Silizium, wobei die Metallisierungsschicht (214) über mindestens einem ersten Bereich (202a) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist, und wobei mindestens ein zweiter Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) frei von der Metallisierungsschicht (214) ist; eine elektrisch leitfähige Diffusionsbarriere (508), welche zwischen dem Halbleitersubstrat (202) und der Metallisierungsschicht (214) angeordnet ist; und eine Barriereschicht (206) aufweisend amorphes Silizium, wobei die Barriereschicht (206) über dem mindestens einen zweiten Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016115174B3

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016115174

申请日：2016-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLAPPERT MATHIAS ,  RIEGLER ANDREAS ,  SCHRETTLINGER KARIN ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: Bilden einer Metallisierungsschicht über einem ersten Bereich eines Substrats, wobei nach dem Bilden der Metallisierungsschicht mindestens ein zweiter Bereich des Substrats frei von der Metallisierungsschicht ist; Bilden einer Barriereschicht über der Metallisierungsschicht und über dem mindestens einen zweiten Bereich des Substrats; und Entfernen der Barriereschicht in dem mindestens einen ersten Bereich des Substrats mittels Eintreibens der Barriereschicht in die Metallisierungsschicht.