公开(公告)号：DE102016015761A1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102016015761

申请日：2016-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLAPPERT MATHIAS ,  RIEGLER ANDREAS ,  SCHRETTLINGER KARIN ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement Folgendes aufweisen: ein Halbleitersubstrat (202) aufweisend Silizium, eine Metallisierungsschicht (214) aufweisend Aluminium und Silizium, wobei die Metallisierungsschicht (214) über mindestens einem ersten Bereich (202a) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist, und wobei mindestens ein zweiter Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) frei von der Metallisierungsschicht (214) ist; eine elektrisch leitfähige Diffusionsbarriere (508), welche zwischen dem Halbleitersubstrat (202) und der Metallisierungsschicht (214) angeordnet ist; und eine Barriereschicht (206) aufweisend amorphes Silizium, wobei die Barriereschicht (206) über dem mindestens einen zweiten Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017116574A1

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102017116574

申请日：2017-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  HUMBEL OLIVER ,  KARLOVSKY KAMIL ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MILLONIG HANS ,  PLAPPERT MATHIAS ,  PRELLER FALKO ,  UNTERMOSER HEINZ

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst Bilden einer Bondpadmaterialschicht mit einer Reliefoberfläche, die eine Vertiefung zwischen Erhöhungen umfasst. Das Verfahren umfasst Abscheiden eines Hartmaterials in der Vertiefung. Ferner umfasst das Verfahren Abscheiden einer homogenen Schicht auf einer an den Erhöhungen durch die Bondpadmaterialschicht und an der Vertiefung durch das Hartmaterial gebildeten Abscheidungsfläche. Ein Halbleiter-Die einen aktiven Bereich, der eine Schaltungsstrukturschicht mit einer Reliefkontur, die einer anderen Materialschicht oben auf der Strukturschicht zugekehrt ist, umfasst. Die Reliefkontur umfasst eine Vertiefung zwischen Erhöhungen. Ein Grund der Vertiefung ist durch ein Hartmaterial bedeckt.

公开(公告)号：DE102016115174B3

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016115174

申请日：2016-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLAPPERT MATHIAS ,  RIEGLER ANDREAS ,  SCHRETTLINGER KARIN ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: Bilden einer Metallisierungsschicht über einem ersten Bereich eines Substrats, wobei nach dem Bilden der Metallisierungsschicht mindestens ein zweiter Bereich des Substrats frei von der Metallisierungsschicht ist; Bilden einer Barriereschicht über der Metallisierungsschicht und über dem mindestens einen zweiten Bereich des Substrats; und Entfernen der Barriereschicht in dem mindestens einen ersten Bereich des Substrats mittels Eintreibens der Barriereschicht in die Metallisierungsschicht.

公开(公告)号：DE102015103709A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：DE102015103709

申请日：2015-03-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEHRENDT ANDREAS ,  GRAETZ ERIC ,  HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/324 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (400) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: einen Halbleiterkörper (401); und eine Passivierungsschicht (402), die über wenigstens einem Abschnitt des Halbleiterkörpers (401) angeordnet ist, wobei die Passivierungsschicht (402) ein organisches dielektrisches Material enthält, das eine Wasseraufnahme von weniger als oder gleich 0,5 Gew.-% in Sättigung aufweist.

公开(公告)号：DE102014115174B4

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102014115174

申请日：2014-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L21/765 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101), einer der ersten Seite (101) gegenüberliegenden zweiten Seite (102), einem aktiven Bereich (103), einem Außenrand (119) und einem Randabschlussbereich (104), der zwischen dem Außenrand (119) und dem aktiven Bereich (103) angeordnet ist, undeine Metallisierungsstruktur (131, 132), die auf der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet ist und wenigstens eine erste Metallschicht (131) aus einem ersten metallischen Material und eine zweite Metallschicht (132) aus einem zweiten metallischen Material aufweist, wobei das erste metallische Material elektrochemisch stabiler ist als das zweite metallische Material,eine Isolierschicht (121), die im Randabschlussbereich (104) zwischen der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) und der ersten Metallschicht (131) angeordnet ist,wobei sich die erste Metallschicht (131) lateral weiter zum Außenrand (119) erstreckt als die zweite Metallschicht (132),wobei das erste metallische Material aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus TiW, Ti/TiN, WN, W, Ta/TaN, WTiN, Siliciden, wie WSi2, CoSi, TiSi und Kombinationen davon, besteht.

公开(公告)号：DE102018118894A1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102018118894

申请日：2018-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICI MARKUS ,  BEHRENDT ANDREAS ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  HOF EVA-MARIA ,  HOFMANN ROBIN ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHULTE SUSANNE ,  WIESBROCK FRANK

IPC: H01L23/29

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen betreffen eine Polymer-Nanopartikel-Zusammensetzung, die zum Bilden einer Passivierung eines elektronischen Bauelements (200, 300, 400), einer Passivierung eines Halbleiterbauelements (500, 600), einer Passivierung auf Chip-Ebene in einem Halbleiterchip (100) verwendet wird. Die Polymer-Nanopartikel-Zusammensetzung kann eine Polymermatrix und in der Polymermatrix enthaltene Nanopartikel (104n) aufweisen.

公开(公告)号：DE102015204315A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102015204315

申请日：2015-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/868

Abstract: Es wird eine Halbleiteranordnung (1) dargelegt. Die Halbleiteranordnung (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) ein Halbleiterdriftgebiet (103) enthält und das Halbleiterdriftgebiet (103) Dotierstoffe von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist; ein erstes Halbleitersensorgebiet (101) und ein zweites Halbleitersensorgebiet (102), wobei sowohl das erste Halbleitersensorgebiet (101) als auch das zweite Halbleitersensorgebiet (102) elektrisch mit dem Halbleiterdriftgebiet (103) verbunden sind und Dotierstoffe von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der ein anderer ist als der erste Leitfähigkeitstyp; einen ersten Metallkontakt (11), der ein erstes Metallmaterial umfasst, wobei der erste Metallkontakt (11) in Kontakt mit dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) ist, wobei ein Übergang zwischen dem ersten Metallkontakt (11) und dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) einen ersten Metall-Halbleiter-Übergang (111) bildet; einen zweiten Metallkontakt (12), der ein zweites Metallmaterial umfasst, das ein anderes ist als das erste Metallmaterial, wobei der zweite Metallkontakt (12) vom ersten Metallkontakt (11) getrennt und in Kontakt mit dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) ist, wobei ein Übergang zwischen dem zweiten Metallkontakt (12) und dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) einen zweiten Metall-Halbleiter-Übergang (121) bildet, der ein anderer ist als der erste Metall-Halbleiter-Übergang (111); erste elektrische Übertragungsmittel (112), wobei die ersten elektrischen Übertragungsmittel (112) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein erstes Sensorsignal (11-1), das von einem elektrischen Parameter des ersten Metallkontakts (11) abgeleitet ist, an einen ersten Signaleingang (21) einer Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern; und zweite elektrische Übertragungsmittel (122), die von den ersten elektrischen Übertragungsmitteln (112) getrennt sind, wobei die zweiten elektrischen Übertragungsmittel (122) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein zweites Sensorsignal (12-1), das von einem elektrischen Parameter des zweiten Metallkontakts (12) abgeleitet ist, an einen zweiten Signaleingang (22) der Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern.

公开(公告)号：DE102018122979A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018122979

申请日：2018-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  EHRENTRAUT GEORG ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  GOESCHL KLAUS ,  HEINRICI MARKUS ,  HUTZLER MICHAEL ,  KOELL WOLFGANG ,  KRIVEC STEFAN ,  NEUMANN INGMAR ,  PLAPPERT MATHIAS ,  ROESNER MICHAEL ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einem Aspekt ist ein Verfahren zum Bilden einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Anordnen einer Siliciumstruktur in einer Plasmaätzprozesskammer und beinhaltet Anwenden eines Plasmas auf die Siliciumstruktur in der Plasmaätzprozesskammer bei einer Temperatur der Siliciumstruktur gleich oder unterhalb von 100 °C. Das Plasma beinhaltet eine Komponente und ein Halogenderivat, wodurch die Silicium-Isolator-Schicht gebildet wird. Die Silicium-Isolator-Schicht beinhaltet Silicium und die Komponente. Bei einem anderen Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt, die durch das Verfahren gebildet ist.

公开(公告)号：DE102015204315B4

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102015204315

申请日：2015-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/78 ,  G01K7/01 ,  H01L23/62 ,  H01L29/739 ,  H01L29/868

Abstract: Halbleiteranordnung (1), die Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) ein Halbleiterdriftgebiet (103) enthält und das Halbleiterdriftgebiet (103) Dotierstoffe von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;- ein erstes Halbleitersensorgebiet (101) und ein zweites Halbleitersensorgebiet (102), wobei sowohl das erste Halbleitersensorgebiet (101) als auch das zweite Halbleitersensorgebiet (102) elektrisch mit dem Halbleiterdriftgebiet (103) verbunden sind und Dotierstoffe von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der ein anderer ist als der erste Leitfähigkeitstyp;- einen ersten Metallkontakt (11), der ein erstes Metallmaterial umfasst, wobei der erste Metallkontakt (11) in Kontakt mit dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) ist und ein Übergang zwischen dem ersten Metallkontakt (11) und dem ersten Halbleitersensorgebiet (101) einen ersten Metall-Halbleiter-Übergang (111) bildet;- einen zweiten Metallkontakt (12), der ein zweites Metallmaterial umfasst, das ein anderes ist als das erste Metallmaterial, wobei der zweite Metallkontakt (12) vom ersten Metallkontakt (11) getrennt und in Kontakt mit dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) ist, wobei ein Übergang zwischen dem zweiten Metallkontakt (12) und dem zweiten Halbleitersensorgebiet (102) einen zweiten Metall-Halbleiter-Übergang (121) bildet, der ein anderer ist als der erste Metall-Halbleiter-Übergang (111);- erste elektrische Übertragungsmittel (112), wobei die ersten elektrischen Übertragungsmittel (112) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein erstes Sensorsignal (11-1), das von einem elektrischen Parameter des ersten Metallkontakts (11) abgeleitet ist, an einen ersten Signaleingang (21) einer Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern;- zweite elektrische Übertragungsmittel (122), die von den ersten elektrischen Übertragungsmitteln (112) getrennt sind, wobei die zweiten elektrischen Übertragungsmittel (122) so angeordnet und ausgelegt sind, dass sie ein zweites Sensorsignal (12-1), das von einem elektrischen Parameter des zweiten Metallkontakts (12) abgeleitet ist, an einen zweiten Signaleingang (22) der Sensorsignalverarbeitungseinheit (2) liefern.

公开(公告)号：DE102014115174A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102014115174

申请日：2014-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L21/765 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101), einer der ersten Seite (101) gegenüberliegenden zweiten Seite (102), einem aktiven Bereich (103), einem Außenrand (119) und einem Randabschlussbereich (104), der zwischen dem Außenrand (119) und dem aktiven Bereich (103) angeordnet ist, auf. Eine Metallisierungsstruktur (131, 132) ist auf der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet und umfasst wenigstens eine erste Metallschicht (131) aus einem ersten metallischen Material und eine zweite Metallschicht (132) aus einem zweiten metallischen Material, wobei das erste metallische Material elektrochemisch stabiler ist als das zweite metallische Material. Die erste Metallschicht (131) erstreckt sich lateral weiter zum Außenrand (119) als die zweite Metallschicht (132).