公开(公告)号：DE102010028215A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：DE102010028215

申请日：2010-04-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEDLMAIER STEFAN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer kapazitiven Struktur, das aufweist: Bereitstellen einer Trägerschicht (11), die eine Oberfläche (101) aufweist; Herstellen einer ersten Dielektrikumsschicht (21) auf der Oberfläche (101); Herstellen einer Siliziumschicht (12), die Siliziumkörner aufweist, auf der ersten Dielektrikumsschicht (21) unter Verwendung eines Abscheideprozesses; Herstellen einer zweiten Dielektrikumsschicht (31) auf der Siliziumschicht (12); Herstellen einer Schicht (41) eines elektrisch leitenden Materials auf der zweiten Dielektrikumsschicht (31); und Durchführen eines Temperaturprozesses zum Aufheizen wenigstens der ersten Dielektrikumsschicht (21), wobei die Temperatur und die Dauer des Temperaturprozesses so gewählt sind, dass die erste Dielektrikumsschicht (21) derart modifiziert wird, dass die Siliziumschicht (12) elektrisch mit der Trägerschicht (11) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102005039331A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：DE102005039331

申请日：2005-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  MAUDER ANTON ,  SEDLMAIER STEFAN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Component has a semiconductor body and a drift zone (2) having a conductivity type in the body. A drift control zone (3) is made of a semiconductor material and is arranged adjacent to the drift zone in the body. An accumulation dielectric is arranged between the zones. The control zone has a semiconductor section that is doped in such a manner that the section is smoothed in a direction perpendicular to the dielectric. An independent claim is also included for: a power transistor comprising a drift zone and a drift control zone.

公开(公告)号：DE102007002744A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：DE102007002744

申请日：2007-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEDLMAIER STEFAN

IPC: H01L29/12 ,  H01L23/373

Abstract: The semiconductor component (1) has a semiconductor body (2) made of a semiconductor material, and a layer (3) made of another semiconductor material provided in the semiconductor body. The latter semiconductor material has a heat conductivity higher than the former semiconductor material. The semiconductor materials are composed of a same chemical element, where the former semiconductor material is isotopic impure silicon. The layer is provided between two layers (5) made of former semiconductor material. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor component.