公开(公告)号：DE102011077836A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：DE102011077836

申请日：2011-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  FAHLENKAMP MARC

IPC: H02M1/36

Abstract: Beschrieben werden eine elektronische Schaltung, ein Schaltnetzteil und eine Halbleiteranordnung. Die elektronische Schaltung weist auf: – einen ersten Lastanschluss (11), einen zweiten Lastanschluss (12) und einen Versorgungsanschluss (13), der dazu ausgebildet ist, an eine Ladungsspeicheranordnung (C) angeschlossen zu werden; – einen Lasttransistor (2) mit einer Laststrecke, die Laststrecke zwischen den ersten Lastanschluss (11) und den zweiten Lastanschluss (12) gekoppelt ist; – eine Strommessschaltung (4), die dazu ausgebildet ist, ein Strommesssignal (S4) zur Verfügung zu stellen und die einen Messtransistor (40) aufweist, wobei ein Steueranschluss (41) des Messtransistors (40) an einen Steueranschluss (41) des Lasttransistors (2) gekoppelt ist; – eine Anlaufschaltung (3), die einen Anlauftransistor (30) aufweist, wobei eine Laststrecke des Anlauftransistors (39) und eine Laststrecke des Messtransistors (40) parallel geschaltet sind; – eine Ansteuerschaltung (6) mit einem Versorgungseingang (62) der an den Versorgungsschluss (13) gekoppelt ist, und einem Ansteuerausgang (61), der an den Steueranschluss (21) des Lasttransistors (2) gekoppelt ist; und – eine Steuerschaltung (5), die einen an den Versorgungsanschluss (13) gekoppelten Eingangsanschluss aufweist und die dazu ausgebildet ist, die Anlaufschaltung (30) abhängig von einer Versorgungsspannung (Vc) an dem Versorgungsanschluss (13) zu deaktivieren und die Strommessschaltung (4) abhängig von der Versorgungsspannung (Vcc) an dem Versorgungsanschluss (13) zu aktivieren.

公开(公告)号：DE59915172D1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：DE59915172

申请日：1999-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  WILLMEROTH ARMIN ,  DEBOY GERALD ,  STENGL JENS-PEER

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739

公开(公告)号：DE102004063991B4

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：DE102004063991

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE10240861B4

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：DE10240861

申请日：2002-09-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEBOY GERALD ,  WILLMEROTH ARMIN ,  WAHL UWE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/808

Abstract: The device has a channel zone (5A,5B,5C) arranged between a connection zone (2) and a drift zone. A first channel (51) formed adjacent to a control electrode is conductive when the control voltage is not equal to zero. A first terminal electrode (22) is connected to the drift zone via at least one second channel (71) of a first conductivity type, conductive when a control voltage is equal to zero. An Independent claim is included for a method of manufacturing a semiconductor device.

公开(公告)号：DE102004052643A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：DE102004052643

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Lateral trench transistor (200) has a body region (4) inside which a semiconductor region (10) is provided adjoining to it. The semiconductor region is electrically connected with the source contact (12) and its type of endowment corresponds to the type of endowment of body region. An independent claim is also included for a method for manufacturing of endowed semiconductor region.

公开(公告)号：DE10240861A1

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：DE10240861

申请日：2002-09-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEBOY GERALD ,  WILLMEROTH ARMIN ,  WAHL UWE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L21/336

Abstract: The device has a channel zone (5A,5B,5C) arranged between a connection zone (2) and a drift zone. A first channel (51) formed adjacent to a control electrode is conductive when the control voltage is not equal to zero. A first terminal electrode (22) is connected to the drift zone via at least one second channel (71) of a first conductivity type, conductive when a control voltage is equal to zero. An Independent claim is included for a method of manufacturing a semiconductor device.

公开(公告)号：DE10235000A1

公开(公告)日：2004-02-12

申请号：DE10235000

申请日：2002-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  AHLERS DIRK ,  WAHL UWE ,  TIHANYI JENOE ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Production of a channel zone (12a, 12b) in a transistor comprises structuring a polysilicon layer (11) via the channel zone to be formed and using as a mask substrate for the following doping of the channel zone. An Independent claim is also included for a PMOS field effect transistor cell having a channel zone lying below a polysilicon layer.

公开(公告)号：DE10234493B3

公开(公告)日：2004-02-05

申请号：DE10234493

申请日：2002-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEBOY GERALD ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: G11C11/00 ,  H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/76 ,  H03K17/08

Abstract: The voltage sense signal generation device provides a LV signal proportional to the signal across the source (S) and drain electrodes of the power semiconductor component, using a capacitive voltage divider formed in the semiconductor body (1) parallel to the source-drain path, with a source-gate capacitance providing a LV signal tap-off element in series with a source-drain capacitance acting as a HV element.

公开(公告)号：DE10120656C2

公开(公告)日：2003-07-10

申请号：DE10120656

申请日：2001-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLOEGL ANDREAS ,  SCHMITT MARKUS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VOSSEBUERGER MARKUS ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L21/261 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78

Abstract: The invention relates to a semiconductor component with enhanced avalanche resistance. At the nominal current of this semiconductor component, in the event of an avalanche the voltage applied between two electrodes is 6% or more above the static reverse voltage at the same temperature.

公开(公告)号：DE10122361C2

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：DE10122361

申请日：2001-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  DEBOY GERALD ,  AHLERS DIRK ,  AUERBACH FRANZ ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/749