公开(公告)号：DE102013112608B4

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102013112608

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  FELSL HANS-PETER ,  GAWLINA YVONNE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIBERT GEORG ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine erste Transistorzelle (110), die eine erste Gateelektrode (122) in einem ersten Trench (120) aufweist,eine zweite Transistorzelle (130), die eine zweite Gateelektrode (142) in einem zweiten Trench (140) aufweist, wobei die ersten und zweiten Gateelektroden (122, 142) elektrisch verbunden sind,einen dritten Trench (160) zwischen den ersten und zweiten Trenches (120, 140), wobei der dritte Trench (160) sich tiefer in einen Halbleiterkörper (105) von einer ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) als die ersten und zweiten Trenches (120, 140) erstreckt, undein Dielektrikum (165) in dem dritten Trench (160), das eine Bodenseite und Wände des dritten Trenches (160) bedeckt und wobei eine Dicke eines eine Wand des dritten Trenches (360) auskleidenden Dielektrikums (366) auf einem vertikalen Niveau, das mit einem Gatedielektrikum (322, 342) in den ersten und zweiten Trenches (320, 340) zusammenfällt, größer ist als eine Dicke des Gatedielektrikums (321, 341) in den ersten und zweiten Trenches (320, 340).

公开(公告)号：DE102013112608A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013112608

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  FELSL HANS-PETER ,  GAWLINA YVONNE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIBERT GEORG ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleiterkörper (1001) umfasst eine erste Transistorzelle (110) mit einer ersten Gateelektrode (122) in einem ersten Trench (120). Die Halbleitervorrichtung (1001) umfasst weiterhin eine zweite Transistorzelle (130) mit einer zweiten Gateelektrode (142) in einem zweiten Trench (140), wobei die ersten und zweiten Gateelektroden (122, 142) elektrisch verbunden sind. Die Halbleitervorrichtung umfasst außerdem einen dritten Trench (160) zwischen den ersten und zweiten Trenches (120, 140), wobei sich der dritte Trench (160) tiefer in einen Halbleiterkörper (105) von einer ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) als die ersten und zweiten Trenches (120, 140) erstreckt. Die Halbleitervorrichtung (1001) umfasst außerdem ein Dielektrikum (165) in dem dritten Trench (160), das eine Bodenseite und Wände des dritten Trenches (160) bedeckt.