公开(公告)号：DE102013106946A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102013106946

申请日：2013-07-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GAWLINA YVONNE ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer lateral variierenden n-Typ-Dotierungskonzentration wird bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet Bereitstellen eines Halbleiterwafers (40) mit einer ersten Oberfläche (101), einer der ersten Oberfläche (101) gegenüber angeordneten zweiten Oberfläche (102) und einer ersten n-Typ-Halbleiterschicht (1) mit einer ersten maximalen Dotierungskonzentration, Implantieren von Protonen mit einer ersten maximalen Energie in die erste n-Typ-Halbleiterschicht (1) und lokales Behandeln der zweiten Oberfläche (102) mit einem maskierten Wasserstoffplasma. Weiter wird ein Halbleiterbauelement bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102013106946B4

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102013106946

申请日：2013-07-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GAWLINA YVONNE ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: Verfahren zum Bilden einer lateral variierenden n-Typ-Dotierungskonzentration, das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Halbleiterwafers (40), der eine erste Oberfläche (101), eine der ersten Oberfläche (101) gegenüber angeordnete zweite Oberfläche (102) und eine erste n-Typ-Halbleiterschicht (1) mit einer ersten maximalen Dotierungskonzentration umfasst;- Bilden einer zweiten n-Typ-Halbleiterschicht (2) mit einer maximalen Dotierungskonzentration, die höher als die erste maximale Dotierungskonzentration ist, in der ersten n-Typ-Halbleiterschicht (1), wobei das Bilden der zweiten n-Typ-Halbleiterschicht (2) Implantieren von Protonen mit einer ersten maximalen Energie in die erste n-Typ-Halbleiterschicht (1) umfasst; und- lokales Behandeln der zweiten Oberfläche (102) mit einem Wasserstoffplasma unter Verwendung einer auf der zweiten Oberfläche (102) gebildeten strukturierten Maske (9).

公开(公告)号：DE102013112608B4

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102013112608

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  FELSL HANS-PETER ,  GAWLINA YVONNE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIBERT GEORG ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine erste Transistorzelle (110), die eine erste Gateelektrode (122) in einem ersten Trench (120) aufweist,eine zweite Transistorzelle (130), die eine zweite Gateelektrode (142) in einem zweiten Trench (140) aufweist, wobei die ersten und zweiten Gateelektroden (122, 142) elektrisch verbunden sind,einen dritten Trench (160) zwischen den ersten und zweiten Trenches (120, 140), wobei der dritte Trench (160) sich tiefer in einen Halbleiterkörper (105) von einer ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) als die ersten und zweiten Trenches (120, 140) erstreckt, undein Dielektrikum (165) in dem dritten Trench (160), das eine Bodenseite und Wände des dritten Trenches (160) bedeckt und wobei eine Dicke eines eine Wand des dritten Trenches (360) auskleidenden Dielektrikums (366) auf einem vertikalen Niveau, das mit einem Gatedielektrikum (322, 342) in den ersten und zweiten Trenches (320, 340) zusammenfällt, größer ist als eine Dicke des Gatedielektrikums (321, 341) in den ersten und zweiten Trenches (320, 340).

公开(公告)号：DE102016118012A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016118012

申请日：2016-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOSS STEPHAN ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  GAWLINA YVONNE

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/82 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine gemeinsame Dotierungsregion, die sich innerhalb eines Halbleitersubstrats des Halbleiterbauelements befindet. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen ersten Abschnitt. Eine maximale Dotierungskonzentration innerhalb des ersten Abschnitts ist höher als 1·1015 cm–3. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen zweiten Abschnitt. Eine minimale Dotierungskonzentration innerhalb des zweiten Abschnitts ist geringer als 50% der maximalen Dotierungskonzentration innerhalb des ersten Abschnitts der gemeinsamen Dotierungsregion. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen dritten Abschnitt. Eine minimale Dotierungskonzentration innerhalb des dritten Abschnitts ist um mehr als 30% höher als die minimale Dotierungskonzentration innerhalb des zweiten Abschnitts. Der zweite Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion befindet sich vertikal zwischen dem ersten Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion und dem dritten Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion.

公开(公告)号：DE102013112608A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013112608

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  FELSL HANS-PETER ,  GAWLINA YVONNE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIBERT GEORG ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleiterkörper (1001) umfasst eine erste Transistorzelle (110) mit einer ersten Gateelektrode (122) in einem ersten Trench (120). Die Halbleitervorrichtung (1001) umfasst weiterhin eine zweite Transistorzelle (130) mit einer zweiten Gateelektrode (142) in einem zweiten Trench (140), wobei die ersten und zweiten Gateelektroden (122, 142) elektrisch verbunden sind. Die Halbleitervorrichtung umfasst außerdem einen dritten Trench (160) zwischen den ersten und zweiten Trenches (120, 140), wobei sich der dritte Trench (160) tiefer in einen Halbleiterkörper (105) von einer ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) als die ersten und zweiten Trenches (120, 140) erstreckt. Die Halbleitervorrichtung (1001) umfasst außerdem ein Dielektrikum (165) in dem dritten Trench (160), das eine Bodenseite und Wände des dritten Trenches (160) bedeckt.