公开(公告)号：DE102016111321A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016111321

申请日：2016-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/482 ,  H01L29/30 ,  H01L29/41

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bilden einer Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten an einer ersten Seite eines Halbleitersubstrats und ein Bilden von Halbleitermaterial auf der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten, um die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten innerhalb von Halbleitermaterial zu vergraben. Ferner umfasst das Verfahren ein Entfernen von zumindest einem Abschnitt des Halbleitersubstrats von einer zweiten Seite des Halbleitersubstrats, um die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten an einer Rückseite des Halbleiterbauelements freizulegen. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Bilden einer rauen Oberfläche an der Rückseite des Halbleiterbauelements durch Entfernen von zumindest einer Teilmenge der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten, während zumindest ein Teil eines Halbleitermaterials, der sich lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befindet, verbleibt, oder durch Entfernen von zumindest einem Teil eines Halbleitermaterials, der sich lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befindet, während die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten verbleibt.

公开(公告)号：DE102016119799B4

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE102016119799

申请日：2016-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIBRA DONALD ,  MEISER ANDREAS ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA ,  IRSIGLER PETER ,  HELLMUND OLIVER ,  WIESNER ROBERT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/085 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend:einen Hohlraum (108), der in einem Halbleiterkörper (104) unter einer ersten Oberfläche (107) des Halbleiterkörpers (104) vergraben ist, und ein Dielektrikum, das ein Oxid von Silizium ist (126) und eine Oberfläche des Hohlraums auskleidet;einen Bereich aktiven Gebiets (112) des Halbleiterkörpers (104), der zwischen der ersten Oberfläche (107) und dem Hohlraum (108) angeordnet ist;eine Grabenisolierungsstruktur (125), die dafür eingerichtet ist, eine laterale elektrische Isolierung des Bereichs aktiven Gebiets (112) bereitzustellen, und wobeidie Grabenisolierungsstruktur (125) und das Dielektrikum ineinander übergehen und den Bereich aktiven Gebiets (112) von jedem umgebenden Teil des Halbleiterkörpers (104) elektrisch isolieren,die Grabenisolierungsstruktur (125) den Bereich aktiven Gebiets (112) an der ersten Oberfläche (107) vollständig umgibt, unddie Grabenisolierungsstruktur (125), die den Bereich aktiven Gebiets (112) an der ersten Oberfläche (107) umgibt, einen ersten Teil (1221, 1222) umfasst, der den Bereich aktiven Gebiets (112) in einem kleineren Ausmaß als ein zweiter Teil (122) umschließt, wobei eine laterale Breite des ersten Teils (1221, 1222), gemessen senkrecht zu einer Umfangslinie des Bereichs aktiven Gebiets an der ersten Oberfläche (107), größer als eine laterale Breite des zweiten Teils (122) ist.

公开(公告)号：DE102016108500A1

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：DE102016108500

申请日：2016-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Leistungstransistor (200) in einem Halbleitersubstratbereich (102). Der Halbleitersubstratbereich (102) umfasst einen zentralen Bereich (135) und eine Schnittfuge (140), wobei Komponenten des Leistungstransistors (200) im zentralen Bereich (135) angeordnet sind, und der zentrale Bereich (135) eine Dicke d aufweist. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst ferner ein Stützelement (352), das sich in einer horizontalen Richtung erstreckt und über einer Hauptoberfläche (110, 120) des zentralen Bereichs (135) angeordnet ist. Das Stützelement (352) hat eine Breite t auf einer der Hauptoberfläche (110, 120) des Halbleitersubstratbereichs (102) benachbarten Seite, wobei t senkrecht zu einer Verlaufsrichtung des Stützelements gemessen wird, und eine Höhe h, wobei 0,1 × h ≤ d ≤ 4 × h und 0,1 × h ≤ t ≤ 1,5 × h gelten.

公开(公告)号：DE102016111321B4

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102016111321

申请日：2016-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEIDER-SCHMIDT MARTINA ,  HELLMUND OLIVER ,  IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT SEBASTIAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/482 ,  H01L29/30 ,  H01L29/41

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Bilden (110) einer Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten an einer ersten Seite eines Halbleitersubstrats;Bilden (120) von Halbleitermaterial auf der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten, um die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten innerhalb von Halbleitermaterial zu vergraben;Entfernen (130) von zumindest einem Abschnitt des Halbleitersubstrats von einer zweiten Seite des Halbleitersubstrats, um die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten an einer Rückseite des Halbleiterbauelements freizulegen;Bilden (140) einer rauen Oberfläche an der Rückseite des Halbleiterbauelements durch Entfernen von zumindest einer Teilmenge der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten, während zumindest ein Teil eines Halbleitermaterials, der sich lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befindet, verbleibt, oder durch Entfernen von zumindest einem Teil eines Halbleitermaterials, der sich lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befindet, während die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten verbleibt; undBilden (150) einer Rückseitenmetallisierungsstruktur an der rauen Oberfläche in Kontakt mit zumindest Abschnitten des Halbleitermaterials, die sich zumindest während des Bildens der rauen Oberfläche lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befinden.

公开(公告)号：DE102016119799A1

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：DE102016119799

申请日：2016-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIBRA DONALD ,  MEISER ANDREAS ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA ,  IRSIGLER PETER ,  HELLMUND OLIVER ,  WIESNER ROBERT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102017110938A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102017110938

申请日：2017-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： IRSIGLER PETER ,  HELLMUND OLIVER ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: Eine Bondpadstruktur beinhaltet eine erste Oxidschicht, die über einem Substrat liegt. Mehrere Haftungstrukturen sind über der ersten Oxidschicht gebildet. Eine zweite Oxidschicht ist über den mehreren Haftungsstrukturen und der ersten Oxidschicht gebildet. Jede von mehreren Kontaktöffnungen, die innerhalb eines Oberflächengebiets der zweiten Oxidschicht gebildet sind, beinhaltet eine oder mehrere Seiten und ist über dem wenigstens einen Teil einer oberen Oberfläche einer entsprechenden der mehreren Haftungsstrukturen ausgerichtet. Eine Barriereschicht ist innerhalb des Oberflächengebiets, das sich über der zweiten Oxidschicht befindet, und innerhalb der mehreren Kontaktöffnungen und über dem wenigstens einen Teil der oberen Oberfläche der entsprechenden der mehreren Haftungsstrukturen gebildet. Eine Metallschicht ist über der Barriereschicht gebildet.