公开(公告)号：DE102016117990A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016117990

申请日：2016-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAIER DOMINIC ,  PORWOL DANIEL ,  SIGL ALFRED ,  MAHLER JOACHIM

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/00 ,  H04R1/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Vorrichtung umfasst Bereitstellen eines Halbleiterwafers, Bilden von mehreren Hohlräumen in den Halbleiterwafer, Füllen eines Stabilisierungsmaterials in die Hohlräume, Herstellen einer temporären Platte durch Aufbringen einer Kappenschicht auf den Halbleiterwafer, wobei die Kappenschicht die Hohlräume bedeckt, Vereinzeln der temporären Platte in mehrere Halbleitervorrichtungen, Herstellen eines eingebetteten Wafers durch Einbetten der Halbleitervorrichtungen in ein Verkapselungsmittel, Entfernen der Kappenschicht von jeder der Halbleitervorrichtungen und Vereinzeln des eingebetteten Wafers in mehrere elektronische Vorrichtungen.

公开(公告)号：DE102017115923A1

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：DE102017115923

申请日：2017-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRETTHAUER CHRISTIAN ,  DEHE ALFONS ,  SIGL ALFRED

IPC: H04R17/02 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Ein mikroelektromechanischer Transducer kann eine verlagerbare Membran aufweisen, welche einen gewellten Abschnitt mit wenigstens einem Wellental und wenigstens einem Wellenberg aufweisen kann. An wenigstens einem Wellental und an wenigstens einem Wellenberg kann jeweils eine piezoelektrische Einheitszelle bereitgestellt sein. Jede piezoelektrische Einheitszelle kann eine piezoelektrische Schicht und wenigstens eine mit der piezoelektrischen Schicht in elektrischem Kontakt stehende Elektrode aufweisen. Die Membran kann als flächiges Bauteil ausgebildet sein, welches in einer ersten und einer zweiten Raumrichtung, die orthogonal zueinander sind, eine wesentlich größere Erstreckung als in einer dritten Raumrichtung aufweist, welche orthogonal zu der ersten und der zweiten Raumrichtung ist und eine axiale Richtung der Membran definiert. Der wenigstens eine Wellenberg und das wenigstens eine Wellental können in einer radialen Richtung der Membran aufeinanderfolgend bereitgestellt sein oder der wenigstens eine Wellenberg und das wenigstens eine Wellental können in einer Umfangsrichtung der Membran aufeinanderfolgend bereitgestellt sein.

公开(公告)号：DE102018214017B4

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：DE102018214017

申请日：2018-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIGL ALFRED ,  GEISSLER STEFAN ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: B81C1/00

Abstract: Verfahren (100) zum Herstellen einer Dünnschicht (128), wobei das Verfahren (100) aufweist:Bereitstellen (102) eines Trägersubstrats (120);Bereitstellen (104) eines Schichtstapels (121) auf dem Trägersubstrat (120), wobei der Schichtstapel (121) eine Trägerschicht (122) und eine Opferschicht (124) aufweist, wobei die Opferschicht (124) Bereiche (126) aufweist, in denen die Trägerschicht (122) freiliegt;Bereitstellen (106) der Dünnschicht (128) auf dem Schichtstapel (121), so dass die Dünnschicht (128) auf der Opferschicht (124) und in den Bereichen (126) der Opferschicht (124), in denen die Trägerschicht (122) freiliegt an der Trägerschicht (122) anliegt;zumindest teilweises Entfernen (108) der Opferschicht (124) ausgehend von der Dünnschicht (128), um einen Kontakt zwischen der Dünnschicht (128) und der Opferschicht (124) zumindest bereichsweise zu beseitigen; undAbziehen (110) der Dünnschicht (128) von der Trägerschicht (122);wobei die Dünnschicht (128) ein Filter oder eine Membran ist.

公开(公告)号：DE102018214017A1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：DE102018214017

申请日：2018-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIGL ALFRED ,  GEISSLER STEFAN ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: B81C1/00

Abstract: Ausführungsbeispiele schaffen ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht (oder eines Mikrosystems mit einer Dünnschicht). Das Verfahren umfasst einen Schritt des Bereitstellens eines Trägersubstrats. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des Bereitstellens eines Schichtstapels auf dem Trägersubstrat, wobei der Schichtstapel eine Trägerschicht und eine Opferschicht aufweist, wobei die Opferschicht Bereiche aufweist, in denen die Trägerschicht freiliegt. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des Bereitstellens der Dünnschicht auf dem Schichtstapel, so dass die Dünnschicht auf der Opferschicht und in den Bereichen der Opferschicht, in denen die Trägerschicht freilegt, an der Trägerschicht anliegt. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des zumindest teilweisen Entfernens der Opferschicht ausgehend von der Dünnschicht, um einen Kontakt zwischen der Dünnschicht und der Opferschicht zumindest bereichsweise zu beseitigen. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des Abziehens der Dünnschicht von der Trägerschicht.

公开(公告)号：DE102016117990B4

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102016117990

申请日：2016-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAIER DOMINIC ,  PORWOL DANIEL ,  SIGL ALFRED ,  MAHLER JOACHIM

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/00 ,  H04R1/00

Abstract: Verfahren (100) zum Herstellen von elektronischen Vorrichtungen (370), wobei das Verfahren (100) Folgendes umfasst:Bereitstellen (110) eines Halbleiterwafers (300);Bilden (120) von mehreren Hohlräumen (310) in dem Halbleiterwafer (300);Füllen (130) eines Stabilisierungsmaterials (315) in die Hohlräume (310);Herstellen (140) einer temporären Platte durch Aufbringen einer Kappenschicht (320) auf den Halbleiterwafer (300), wobei die Kappenschicht (320) die Hohlräume (310) bedeckt;Vereinzeln (150) der temporären Platte in mehrere Halbleitervorrichtungen (300.1);Herstellen (160) eines eingebetteten Wafers durch Einbetten der Halbleitervorrichtungen (300.1) in ein Verkapselungsmittel (350);Entfernen (170) der Kappenschicht (320) jeder der Halbleitervorrichtungen (300.1); undVereinzeln (180) des eingebetteten Wafers in die mehreren elektronischen Vorrichtungen (370);wobei das Stabilisierungsmaterial (315) eine Schmelztemperatur Tin einem Bereich von 40°C bis 160°C hat.