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公开(公告)号：DE102016109101A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：DE102016109101
申请日：2016-05-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DEHE ALFONS , FRIZA WOLFGANG
Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen ist eine Vorrichtung (100) für ein mikroelektromechanisches System geschaffen. Die Vorrichtung (100) für ein mikroelektromechanisches System kann einen Träger (102), eine Partikelfilterstruktur (106), die mit dem Träger (102) gekoppelt ist, wobei die Partikelfilterstruktur (106) ein Gitter umfasst, wobei das Gitter mehrere Gitterelemente umfasst, wobei jedes Gitterelement wenigstens ein Durchgangsloch umfasst, und eine Struktur (108, 110) für ein mikroelektromechanisches System, die auf einer Seite der Partikelfilterstruktur (106) gegenüber dem Träger (102) angeordnet ist, enthalten. Eine Höhe der mehreren Gitterelemente ist größer als eine Breite der entsprechenden Gitterelemente.
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公开(公告)号：DE10062016C2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：DE10062016
申请日：2000-12-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KROENER FRIEDRICH , FRIZA WOLFGANG
IPC: H01L21/266
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公开(公告)号：DE10051909A1
公开(公告)日：2002-05-16
申请号：DE10051909
申请日：2000-10-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AHLERS DIRK , DETZEL THOMAS , FRIZA WOLFGANG , RUEB MICHAEL
Abstract: Edge border comprises: a semiconductor body (1) of one conducting type with semiconducting regions (2,3) on an edge surface region bordering a first main surface; and a field plate (4) arranged on the edge surface region and the first main surface. The site of the bend and sealing of equipotential lines (9) is applied using a voltage in an insulating region (6). An Independent claim is also included for a process for the production of an insulating region in a semiconductor body. Preferred Features: The insulating region is an insulating region extending vertically from the first main surface into the semiconductor body.
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公开(公告)号：DE102017120290B3
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：DE102017120290
申请日：2017-09-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BROCKMEIER ANDRE , FRIZA WOLFGANG , MAURER DANIEL
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , H01L21/306
Abstract: Verfahren zum Prozessieren einer Schichtstruktur (100), wobei die Schichtstruktur (100) eine erste Schicht (102), eine über der ersten Schicht (102) angeordnete Opferschicht (104) und eine über der Opferschicht (104) angeordnete zweite Schicht (106) aufweist, wobei die zweite Schicht (106) mindestens eine Öffnung (106h) aufweist, wobei sich die mindestens eine Öffnung (106h) von einer ersten Seite (106a) der zweiten Schicht (106) bis zur Opferschicht (104) erstreckt, das Verfahren aufweisend:• Bilden einer Linerschicht (108), welche zumindest eine Innenwandung (106w) der mindestens einen Öffnung (106h) bedeckt;• Bilden einer Deckschicht (110) über der Linerschicht (108), wobei sich die Deckschicht (110) zumindest abschnittsweise in die mindestens eine Öffnung (106h) erstreckt; und• nasschemisches Ätzen der Deckschicht (110), der Linerschicht (108) und der Opferschicht (104) mittels einer Ätzlösung, wobei die Ätzlösung eine größere Ätzgeschwindigkeit für die Linerschicht (108) aufweist als für die Deckschicht (110) und wobei das nasschemische Ätzen aufweist:ein vollständiges Entfernen der Linerschicht (108) aus der mindestens einen Öffnung (106h), undzumindest teilweises Entfernen der Opferschicht (104), bevor die Deckschicht (110) vollständig aus der mindestens einen Öffnung (106h) entfernt wird.
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公开(公告)号：DE102017103719A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：DE102017103719
申请日：2017-02-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BARZEN STEFAN , DEHE ALFONS , FRIZA WOLFGANG , KLEIN WOLFGANG , KRUMBEIN ULRICH
Abstract: Eine mikroelektromechanische Vorrichtung kann Folgendes umfassen: einen Halbleiterträger; ein mikroelektromechanisches Element, welches in einer vom Halbleiterträger entfernten Position angeordnet ist; wobei das mikroelektromechanische Element ausgelegt ist, um ein elektrisches Signal in Reaktion auf ein mechanisches Signal zu erzeugen oder zu modifizieren, und/oder ausgelegt ist, um ein mechanisches Signal in Reaktion auf ein elektrisches Signal zu erzeugen oder zu modifizieren; wenigstens ein Kontaktpad, welches mit dem mikroelektromechanischen Element elektrisch verbunden ist, um das elektrische Signal zwischen dem Kontaktpad und dem mikroelektromechanischen Element zu übertragen; und eine Verbindungsstruktur, welche sich vom Halbleiterträger zum mikroelektromechanischen Element erstreckt und das mikroelektromechanische Element mechanisch mit dem Halbleiterträger koppelt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE10208787A1
公开(公告)日：2003-09-18
申请号：DE10208787
申请日：2002-02-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FRIZA WOLFGANG , SCHAEFFER CARSTEN , POELZL MARTIN
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/331 , H01L21/334 , H01L21/336 , H01L21/763 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L21/74 , H01L21/8249
Abstract: The filling material is introduced homogeneously into the trenches (1,2,3) in successive stages (I, III). Between these layer (15,16) -forming stages, a further stage (II) forms a barrier (11).
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公开(公告)号：DE102015122781B4
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：DE102015122781
申请日：2015-12-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BARZEN STEFAN , BROCKMEIER ANDRE , FRIZA WOLFGANG , FUELDNER MARC , PINDL STEPHAN
Abstract: Kondensatormikrophon (100), umfassend:eine Membran (304); eine erste perforierte Rückplatte (306);eine zweite perforierte Rückplatte (802), die auf einer Seite der Membran angeordnet ist, die einer Seite der Membran, auf der die erste perforierte Rückplatte angeordnet ist, entgegengesetzt ist;ein Gehäuse aufweisend eine Schallöffnung, wobei das Gehäuse um die Membran, die erste perforierte Rückplatte und die zweite perforierte Rückplatte herum bereitgestellt ist;eine erste Isolierschicht, die auf einer, der Membran (304) zugewandten ersten Seite der ersten Rückplatte (306) angeordnet ist, und eine zweite Isolierschicht, die auf einer zweiten Seite der ersten Rückplatte (306) angeordnet ist, die der ersten Seite der ersten Rückplatte (120) entgegengesetzt ist;eine dritte Isolierschicht, die auf einer, der Membran (304) zugewandten ersten Seite der zweiten Rückplatte angeordnet ist, und eine vierte Isolierschicht, die auf einer zweiten Seite der zweiten Rückplatte angeordnet ist, die der ersten Seite der zweiten Rückplatte entgegengesetzt ist;wobei weitere Isolierschichten auf jeder äußeren Wand von mindestens einem aus einer Vielzahl an Perforationslöchern in der ersten perforierten Rückplatte (306) angeordnet sind und mindestens einen jeweiligen Abschnitt jeder äußeren Wand, der der Membran am nächsten ist, abdecken; undwobei Isoliermaterial auf jeder äußeren Wand von mindestens einem aus einer Vielzahl an Perforationslöchern in der zweiten perforierten Rückplatte angeordnet ist undmindestens einen jeweiligen Abschnitt jeder äußeren Wand, der der Membran am nächsten ist, abdeckt.
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公开(公告)号：DE102017012223A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：DE102017012223
申请日：2017-09-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BROCKMEIER ANDRE , FRIZA WOLFGANG , MAURER DANIEL
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , H01L21/306
Abstract: Verschiedenen Ausführungsformen betreffen ein mikroelektromechanisches Bauelement mit einer Schichtstruktur und ein Verfahren zum Prozessieren einer Schichtstruktur (100). Die Schichtstruktur (100) kann aufweisen: eine erste Schicht (102), eine über der ersten Schicht (102) angeordnete Opferschicht (104) und eine über der Opferschicht (104) angeordnete zweite Schicht (106) aufweist, wobei die zweite Schicht (106) mindestens eine Öffnung (106h) aufweist, wobei sich die mindestens eine Öffnung (106h) von einer ersten Seite (106a) der zweiten Schicht (106) bis zur Opferschicht (104) erstreckt. Das Verfahren kann aufweisen: Bilden einer Linerschicht (108), welche zumindest eine Innenwandung (106w) der mindestens einen Öffnung (106h) bedeckt; Bilden einer Deckschicht (110) über der Linerschicht (108), wobei sich die Deckschicht (110) zumindest abschnittsweise in die mindestens eine Öffnung (106h) erstreckt; und nasschemisches Ätzen der Deckschicht (110), der Linerschicht (108) und der Opferschicht (104) mittels einer Ätzlösung, wobei die Ätzlösung eine größere Ätzgeschwindigkeit für die Linerschicht (108) aufweist als für die Deckschicht (110).
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公开(公告)号：DE102015122781A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：DE102015122781
申请日：2015-12-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BARZEN STEFAN , BROCKMEIER ANDRE , FRIZA WOLFGANG , FUELDNER MARC , PINDL STEPHAN
Abstract: Ein Kondensatormikrophon (100) kann ein Gehäuse, eine Membran (110) und eine erste Rückplatte (120) umfassen, wobei eine erste Isolierschicht auf einer, der Membran (110) zugewandten ersten Seite der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein kann, und eine zweite Isolierschicht auf einer zweiten Seite der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein kann, die der ersten Seite der ersten Rückplatte (120) entgegengesetzt ist. Eine weitere Isolierschicht kann auf einer Seitenwand von mindestens einem aus einer Vielzahl von Perforationslöchern in der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein. Jede leitfähige Oberfläche der ersten Rückplatte (120) kann mit Isoliermaterial bedeckt sein.
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公开(公告)号：DE102015108151A1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：DE102015108151
申请日：2015-05-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FRIZA WOLFGANG
IPC: B81C1/00 , B81B3/00 , B81B7/02 , H01L21/302 , H04R1/04
Abstract: Es ist ein Verfahren zur Herstellung einer Öffnungsstruktur vorgesehen. Das Verfahren kann folgende Schritte einschließen: Bilden einer strukturierten Maske über einer ersten Seite eines Trägers (1272), Bilden von Material über der ersten Seite des Trägers, wodurch zumindest ein Teil des Trägers bedeckt wird (1274), Bilden einer ersten Öffnung im Träger von einer zweiten Seite des Trägers entgegengesetzt zur ersten Seite des Trägers, um eine Fläche der strukturierten Maske zumindest teilweise freizulegen (1276), und Bilden einer zweiten Öffnung im Material von der zweiten Seite des Trägers unter Verwendung der strukturierten Maske als Maske (1278).
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