公开(公告)号：DE102017221082B4

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：DE102017221082

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHIANG CHAU FATT ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  GOLLER BERND ,  KILGER THOMAS ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MAIER DOMINIC ,  MUEHLBAUER FRANZ XAVER ,  NG CHEE YANG ,  SEE BENG KEH ,  STEIERT MATTHIAS ,  WAECHTER CLAUS

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Halbleitergehäuse, das Folgendes umfasst:einen Halbleiter-Die (1202), der eine Sensorstruktur (1204) aufweist, die an einer ersten Seite des Halbleiter-Dies (1202) angeordnet ist;einen ersten Port, der sich von der ersten Seite zu einer zweiten Seite des Halbleiter-Dies (1202) gegenüber der ersten Seite durch den Halbleiter-Die (1202) erstreckt, um eine Verbindung zur Außenumgebung bereitzustellen;einen Interposer (1206), der an der ersten Seite des Halbleiter-Dies (1202) angebracht ist und die Sensorstruktur (1204) abdeckt;eine Gussmasse (1208), die den Interposer (1206) und die erste Seite des Halbleiter-Dies (1202) einkapselt; undeine Umverteilungsschicht (1210) auf der Gussmasse (1208) und dem Interposer (1206), wobei der Interposer (1206) elektrische Verbindungen zwischen dem Halbleiter-Die (1202) und der Umverteilungsschicht (1210) bereitstellt.

公开(公告)号：DE102018207605A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102018207605

申请日：2018-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TUMPOLD DAVID ,  MAIER DOMINIC

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  H04R1/02 ,  H04R19/04

Abstract: Ein MEMS-Sensor umfasst ein Sensorgehäuse und eine Membran, die in dem Sensorgehäuse angeordnet ist, wobei ein erstes Teilvolumen des Sensorgehäuses an einer ersten Hauptseite der Membran angrenzt und ein zweites Teilvolumen des Sensorgehäuses an einer zweiten Hauptseite der Membran angrenzt, wobei die zweite Hauptseite der ersten Hauptseite gegenüberliegend angeordnet ist. Der MEMS-Sensor umfasst eine erste Öffnung in dem Sensorgehäuse, die das erste Teilvolumen akustisch transparent mit einer äußeren Umgebung des Sensorgehäuses verbindet. Der MEMS-Sensor umfasst eine zweite Öffnung in dem Sensorgehäuse, die das zweite Teilvolumen akustisch transparent mit der äußeren Umgebung des Sensorgehäuses verbindet.

公开(公告)号：DE102016117990B4

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102016117990

申请日：2016-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAIER DOMINIC ,  PORWOL DANIEL ,  SIGL ALFRED ,  MAHLER JOACHIM

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/00 ,  H04R1/00

Abstract: Verfahren (100) zum Herstellen von elektronischen Vorrichtungen (370), wobei das Verfahren (100) Folgendes umfasst:Bereitstellen (110) eines Halbleiterwafers (300);Bilden (120) von mehreren Hohlräumen (310) in dem Halbleiterwafer (300);Füllen (130) eines Stabilisierungsmaterials (315) in die Hohlräume (310);Herstellen (140) einer temporären Platte durch Aufbringen einer Kappenschicht (320) auf den Halbleiterwafer (300), wobei die Kappenschicht (320) die Hohlräume (310) bedeckt;Vereinzeln (150) der temporären Platte in mehrere Halbleitervorrichtungen (300.1);Herstellen (160) eines eingebetteten Wafers durch Einbetten der Halbleitervorrichtungen (300.1) in ein Verkapselungsmittel (350);Entfernen (170) der Kappenschicht (320) jeder der Halbleitervorrichtungen (300.1); undVereinzeln (180) des eingebetteten Wafers in die mehreren elektronischen Vorrichtungen (370);wobei das Stabilisierungsmaterial (315) eine Schmelztemperatur Tin einem Bereich von 40°C bis 160°C hat.

公开(公告)号：DE102014114004A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102014114004

申请日：2014-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  MAIER DOMINIC ,  KILGER THOMAS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

Abstract: Integrierte Schaltungen werden gekapselt, indem mehrere Halbleiter-Dies auf einem Stützsubstrat platziert werden, wobei jeder einzelne der Halbleiter-Dies mehrere Anschlüsse auf einer dem Stützsubstrat zugewandten Seite besitzt, und die Halbleiter-Dies mit einer Formmasse bedeckt werden, um eine geformte Struktur auszubilden. Das Stützsubstrat wird dann von der geformten Struktur entfernt, um die Seite der Halbleiter-Dies mit den Anschlüssen zu exponieren, und eine Metallumverdrahtungsschicht wird auf der geformten Struktur und in direktem Kontakt mit den Anschlüssen der Halbleiter-Dies und der Formmasse ausgebildet. Die Umverdrahtungsschicht wird ausgebildet, ohne zuerst eine Dielektrikumsschicht auf einer Seite der geformten Struktur mit den Anschlüssen der Halbleiter-Dies auszubilden. Ein entsprechendes geformtes Substrat und individuelle geformte Halbleiter-Packages werden ebenfalls offenbart.

公开(公告)号：DE102014105364B4

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102014105364

申请日：2014-04-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  MAIER DOMINIC ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  LEUSCHNER RAINER

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L23/522

Abstract: Verfahren zum Einstellen der Kapazität oder Induktivität von elektrischen Schaltungen, wobei das Verfahren umfasst:Messen (200) von Induktivitäts- oder Kapazitätswerten von passiven Bauteilen (142), die auf einem ersten Substrat (140) hergestellt sind;Speichern (210) von individuellen Zusammenhängen zwischen den passiven Bauteilen (142) und den jeweiligen Messwerten der passiven Bauteile (142);Bestimmen von elektrischen Verbindungen zwischen den passiven Bauteilen (142) auf der Basis der gespeicherten individuellen Zusammenhänge zwischen den passiven Bauteilen (142) und den jeweiligen Messwerten der passiven Bauteile (142);Trennen (220) der passiven Bauteile (142) in individuelle Chips (152);Positionieren (230) von zumindest einigen der Chips (152) auf oder eingebettet in einem zweiten Substrat (150); undIdentifizieren (240) von einem oder mehreren der Chips (152), die auf dem zweiten Substrat (150) angeordnet oder in dieses eingebettet sind, mit einem Messwert außerhalb eines vorbestimmten Bereichs auf der Basis der gespeicherten individuellen Zusammenhänge zwischen den passiven Bauteilen (142) und den Messwerten.

公开(公告)号：DE102014111420B4

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102014111420

申请日：2014-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  HUBER VERONIKA ,  KILGER THOMAS ,  OTREMBA RALF ,  STADLER BERND ,  MAIER DOMINIC ,  SCHIESS KLAUS ,  SCHLOEGL ANDREAS ,  WAHL UWE

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/485 ,  H01L33/48

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Halbleiter-Nacktchips mit einem Anschluss an einer ersten Seite des Nacktchips;Plattieren einer Kupferschicht an einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite des Nacktchips, wobei das Plattieren auf Wafer-Ebene erfolgt;Einbetten des Nacktchips in eine Formmasse, so dass der Nacktchip an allen Seiten, mit Ausnahme der ersten Seite, von der Formmasse bedeckt ist;Dünnen der Formmasse an einer zu der zweiten Seite des Nacktchips benachbarten Seite der Formmasse, um die Kupferschicht an der zweiten Seite des Nacktchips freizulegen, ohne dabei die zweite Seite des Nacktchips freizulegen; undAusbilden einer elektrischen Verbindung mit dem Anschluss an der ersten Seite des Nacktchips.

公开(公告)号：DE102014109571B4

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：DE102014109571

申请日：2014-07-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  KILGER THOMAS ,  MAIER DOMINIC

IPC: H01L21/52 ,  B81C1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H04R1/04

Abstract: Verfahren zum Packaging integrierter Schaltungen, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines geformten Substrats mit einer ersten Vielzahl funktionsfähiger Halbleiter-Dies und einer Vielzahl von Platzhaltern, die voneinander seitlich beabstandet und von einer Formmasse bedeckt sind;Dünnen der Formmasse, um mindestens einige der Platzhalter freizulegen;Entfernen der freigelegten Platzhalter, um Hohlräume in dem geformten Substrat auszubilden;Einsetzen einer zweiten Vielzahl funktionsfähiger Halbleiter-Dies in die in dem geformten Substrat ausgebildeten Hohlräume; undAusbilden elektrischer Verbindungen zu der ersten Vielzahl und der zweiten Vielzahl funktionsfähiger Halbleiter-Dies auf einer nicht von der Formmasse bedeckten Seite der Dies.

公开(公告)号：DE102016113347A1

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：DE102016113347

申请日：2016-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÄCHTER CLAUS VON ,  MAIER DOMINIC ,  GOLLER BERND ,  LEDUTKE MICHAEL ,  FÜRGUT EDWARD

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L25/00

Abstract: Das Verfahren umfasst Herstellen einer Halbleiterplatte, die eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen umfasst, Herstellen einer Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, Binden der Kappenplatte auf die Halbleiterplatte, so dass jede der Kappen eine oder mehrere der Halbleitervorrichtungen abdeckt, und Vereinzeln der verbundenen Platten zu einer Vielzahl von Halbleitermodulen.

公开(公告)号：DE102017202578A1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：DE102017202578

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  HUBER VERONIKA ,  HUYNH NGOC-HOA ,  KILGER THOMAS ,  MAIER DOMINIC ,  MEYER-BERG GEORG ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  TROTTA SAVERIO ,  WAECHTER CLAUS ,  WOJNOWSKY MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01Q23/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Halbleiterchip und eine Umverteilungsschicht auf einer ersten Seite des Halbleiterchips. Die Umverteilungsschicht ist mit dem Halbleiterchip elektrisch gekoppelt. Die Halbleitervorrichtung enthält eine Dielektrikumschicht und eine Antenne auf der Dielektrikumschicht. Die Dielektrikumschicht ist zwischen der Antenne und dem Halbleiterchip.

公开(公告)号：DE102015100863B4

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102015100863

申请日：2015-01-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÄCHTER CLAUS VON ,  PORWOL DANIEL ,  DÖPKE HOLGER ,  MEYER-BERG GEORG ,  MAIER DOMINIC ,  SCHMIDT TOBIAS ,  BAUER MICHAEL

IPC: H01L21/683 ,  B32B37/26 ,  H01L21/301 ,  H01L21/58 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats (100), wobei das Verfahren umfasst:Verkleben eines Trägers (104) mit dem Produktsubstrat (100) durch- Aufbringen einer Schicht aus einem permanenten Klebstoff (106) auf eine Oberfläche des Trägers (104);- Bereitstellen einer strukturierten Zwischenschicht (108);- Verkleben des Trägers (104) mit dem Produktsubstrat (100) unter Verwendung des aufgebrachten permanenten Klebstoffs (106), wodurch die strukturierte Zwischenschicht (108) zwischen dem Produktsubstrat (100) und dem Träger (104) angeordnet ist, wobei eine Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht (108) und eine Oberfläche des permanenten Klebstoffs (106) in direktem Kontakt mit einer Oberfläche des Produktsubstrats (100) sind, und wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat (100) und dem Träger (104) verringert, und wobei das Produktsubstrat (100) entlang Sägelinien (112) geschnitten wird, und die Zwischenschicht (108) strukturiert ist, um mit dem Produktsubstrat (100) im Wesentlichen nur abseits der Sägelinien in Kontakt zu sein.