公开(公告)号：DE102004052096B4

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102004052096

申请日：2004-10-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SILBER DIETER PROF DR ,  ROSENSAFT BORIS DIPL -ING ,  JOOS JOACHIM DIPL -ING

IPC: H01L23/62

Abstract: Schaltungsanordnung, umfassend – einen Feldeffekttransistor (1) vom p-Kanal-Typ – einen Feldeffekttransistor (2) vom n-Kanal-Typ die jeweils einen Source- (5) (9), einen Drain- (6) (8) und einen Gate-Anschluß (7) (10) aufweisen, wobei – die Source-Anschlüße (5) (9) dieser Feldeffekttransistoren miteinander galavanisch verbunden sind und – zwischen dem Gate-Anschluß (10) von einem dieser Feldeffekttransistoren und dem Drain-Anschluß (6) des anderen Feldeffekttransistors eine Steuerspannungsquelle (11) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102008054094B4

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：DE102008054094

申请日：2008-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMESS REINER DR ,  SILBER DIETER PROF DR ,  CHUKALURI ESWAR

IPC: H01L29/74 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleiterbauelement das als Thyristor ausgebildet ist und das aufweist: einen Halbleiterkörper (1), in dem in einer zu einer ersten Richtung (r1) senkrechten vertikalen Richtung (v) ausgehend von einer Rückseite (14) hin zu einer Vorderseite (13) ein p-dotierter Emitter (8), eine n-dotierte Basis (7), eine p-dotierte Basis (6) und ein n-dotierter Hauptemitter (5) aufeinanderfolgend angeordnet sind, und in dem eine Zündeinrichtung (BOD) zur Zündung des Thyristors angeordnet ist, eine Halbleiterzone mit einem einheitlichen Leitungstyp, die als Abschnitt der p-dotierten Basis (6) ausgebildet ist und die eine Widerstandsstruktur (64) mit einem ersten Abschnitt (21), einem zweiten Abschnitt (81) und einem zwischen dem ersten Abschnitt (21) und dem zweiten Abschnitt (81) angeordneten dritten Abschnitt (20) bildet, wobei die erste Richtung (r1) von der Zündeinrichtung (BOD) weg verläuft, der zweite Abschnitt (81), der dritte Abschnitt (20) und der erste Abschnitt (21) in der ersten Richtung (r1) in der genannten Reihenfolge aufeinander folgend angeordnet sind und denselben Leitungstyp aufweisen, der dritte Abschnitt (20) eine Netto-Dotierstoffkonzentration (p) aufweist, die kleiner ist als die Netto-Dotierstoffkonzentration (p+) des ersten Abschnitts (21) und größer als die Netto-Dotierstoffkonzentration (p–) des zweiten Abschnitts (81), der Verlauf der Netto-Dotierstoffkonzentration (N(r1)) der Widerstandsstruktur (64) in der ersten Richtung (r1) ein in dem ersten Abschnitt (21) befindliches erstes lokales Maximum (M1) mit einer ersten Netto-Dotierstoffkonzentration N1 und ein in dem zweiten Abschnitt (81) befindliches lokales Minimum (M2) mit einer zweiten Netto-Dotierstoffkonzentration N2 aufweist.