公开(公告)号：DE102007001108B4

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：DE102007001108

申请日：2007-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  BARTHELMESS REINER DR

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: Diode mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Vorderseite (11) und eine der Vorderseite (11) in einer vertikalen Richtung (z) des Halbleiterkörpers (1) gegenüberliegende Rückseite (12) aufweist, in dem in der vertikalen Richtung (z) ausgehend von der Rückseite (12) hin zur Vorderseite (11) aufeinanderfolgend eine stark n-dotierte Zone (5), eine schwach n-dotierte Zone (4), eine schwach p-dotierte Zone (3) und eine stark p-dotierte Zone (2) angeordnet sind, wobei die schwach p-dotierte Zone (3) in der vertikalen Richtung (z) eine Dicke (d3) aufweist, die mindestens 25% und höchstens 50% der Dicke (d1) des Halbleiterkörpers (1) in vertikaler Richtung (z) beträgt, und wobei die schwach n-dotierte Zone (4) eine minimale Dicke (d4min) von wenigstens 400 μm aufweist.

公开(公告)号：DE102004005084B4

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：DE102004005084

申请日：2004-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  SOELKNER GERALD DR

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/76 ,  H01L29/868

Abstract: Halbleiterbauelement (1, 1', 1''), mit: – einem ersten und einem zweiten Kontaktierungsbereich (2, 3), und – einem zwischen dem ersten und dem zweiten Kontaktierungsbereich (2, 3) angeordneten Halbleitervolumen (4), innerhalb dessen ein Stromfluss erzeugbar ist, der vom ersten Kontaktierungsbereich (2) zum zweiten Kontaktierungsbereich (3) hin oder umgekehrt verläuft, wobei innerhalb des Halbleitervolumens Emitterzonen (5, 6) und/oder Feldstoppzonen vorgesehen sind, wobei: – in die Emitterzonen und/oder Feldstoppzonen dotierte Zonen (vgl. 11) eingebettet sind, deren Dotiertyp dem Dotiertyp der Emitterzonen und/oder Feldstoppzonen entspricht, deren Dotierstärke gegenüber der Dotierstärke der Emitterzonen (5, 6) und/oder Feldstoppzonen erhöht ist, so dass das Verhältnis der Leitfähigkeit in einer oder mehreren durch die dotierten Zonen gebildeten Ebenen senkrecht zur Hauptstromflussrichtung zur Leitfähigkeit in Hauptstromflussrichtung in Bezug auf andere Bereiche der Emitterzonen (5, 6) und/oder Feldstoppzonen vergrößert wird, dadurch gekennzeichnet, dass – die Grenzflächen der dotierten Zonen (vgl. 11) zu den Emitterzonen...

公开(公告)号：DE102007057728B4

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE102007057728

申请日：2007-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMESS REINER DR

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/328 ,  H01L21/334 ,  H01L23/60 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) aus einem Halbleitermaterial, – Herstellen einer ersten Zone (5, 8) von einem vorgegebenen ersten Leitungstyp in dem Halbleiterkörper (1), – Herstellen einer zweiten Zone (60, 70) von einem zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyp in dem Halbleiterkörper (1), – Herstellen einer Anschlusszone (69, 79) vom zweiten Leitungstyp in dem Halbleiterkörper (1), die an die zweite Zone (60, 70) angrenzt, wobei die Anschlusszone (69, 79) stärker dotiert ist als der daran angrenzende Bereich der zweiten Zone (60, 70), – Erzeugen einer elektrisch hoch leitenden Schicht (3, 4), die sowohl an die erste Zone (5, 8) als auch an die zweite Zone (60, 70) Anschlusszone (69, 79) elektrisch leitend angeschlossen ist, wobei das Herstellen der Anschlusszone (69, 79) durch Einbringen eines Dotierstoffes (68, 78) in den Halbleiterkörper (1) erfolgt, der nach dem Einbringen – im Falle eines vorgegebenen Leitungstyps vom Typ ”p” einen Akzeptor mit einem Energieniveau darstellt, das bei einer Temperatur von 300 K 100 meV bis 500 meV über dem Valenzband (91) des Halbleiterkörpers (1) liegt, oder – im Falle eines vorgegebenen Leitungstyps vom Typ ”n” einen Donator mit einem Energieniveau darstellt, das bei einer Temperatur von 300 K 100 meV bis 500 meV unter dem Leitungsband (92) des Halbleiterkörpers (1) liegt, und wobei der Dotierstoff (68, 78) durch ein Implantationsverfahren in den Halbleiterkörper (1) eingebracht wird und der eingebrachte Dotierstoff (68, 78) aktiviert wird, indem in dem Halbleiterkörper (1) ein oberflächennaher Bereich (67a'), der zumindest einen Teil des eingebrachten Dotierstoffes (68, 78) enthält, mittels eines Laserpulses (80) vorübergehend aufgeschmolzen wird, oder indem der Bereich des Halbleiterkörpers (1), der eingebrachte Dotierstoffe (68, 78) enthält, mittels eines RTP-Prozesses für eine Zeit zwischen 5 Sekunden und 60 Sekunden auf eine Temperatur zwischen 800°C und 1250°C aufgeheizt wird.

公开(公告)号：DE102008054094B4

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：DE102008054094

申请日：2008-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMESS REINER DR ,  SILBER DIETER PROF DR ,  CHUKALURI ESWAR

IPC: H01L29/74 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleiterbauelement das als Thyristor ausgebildet ist und das aufweist: einen Halbleiterkörper (1), in dem in einer zu einer ersten Richtung (r1) senkrechten vertikalen Richtung (v) ausgehend von einer Rückseite (14) hin zu einer Vorderseite (13) ein p-dotierter Emitter (8), eine n-dotierte Basis (7), eine p-dotierte Basis (6) und ein n-dotierter Hauptemitter (5) aufeinanderfolgend angeordnet sind, und in dem eine Zündeinrichtung (BOD) zur Zündung des Thyristors angeordnet ist, eine Halbleiterzone mit einem einheitlichen Leitungstyp, die als Abschnitt der p-dotierten Basis (6) ausgebildet ist und die eine Widerstandsstruktur (64) mit einem ersten Abschnitt (21), einem zweiten Abschnitt (81) und einem zwischen dem ersten Abschnitt (21) und dem zweiten Abschnitt (81) angeordneten dritten Abschnitt (20) bildet, wobei die erste Richtung (r1) von der Zündeinrichtung (BOD) weg verläuft, der zweite Abschnitt (81), der dritte Abschnitt (20) und der erste Abschnitt (21) in der ersten Richtung (r1) in der genannten Reihenfolge aufeinander folgend angeordnet sind und denselben Leitungstyp aufweisen, der dritte Abschnitt (20) eine Netto-Dotierstoffkonzentration (p) aufweist, die kleiner ist als die Netto-Dotierstoffkonzentration (p+) des ersten Abschnitts (21) und größer als die Netto-Dotierstoffkonzentration (p–) des zweiten Abschnitts (81), der Verlauf der Netto-Dotierstoffkonzentration (N(r1)) der Widerstandsstruktur (64) in der ersten Richtung (r1) ein in dem ersten Abschnitt (21) befindliches erstes lokales Maximum (M1) mit einer ersten Netto-Dotierstoffkonzentration N1 und ein in dem zweiten Abschnitt (81) befindliches lokales Minimum (M2) mit einer zweiten Netto-Dotierstoffkonzentration N2 aufweist.

公开(公告)号：DE10361134B4

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：DE10361134

申请日：2003-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/332 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/70 ,  H01L29/76

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines p-Emitters mit geringem Emitterwirkungsgrad bei einem IGBT mittels: – Erzeugen eines transparenten p-Emitters (tE) durch eindiffundierte p-dotierte Gebiete in einen oberflächennahen Bereich eines n-dotierten Silizium-Substrats des herzustellenden IGBTs, – Bestrahlung eines freiliegenden Abschnitts von der oberflächennah einen transparenten p-Emitter (tE) aufweisenden Rückseite (R) des IGBT, mit hochenergetischen Protonen, und – anschließendes Ausheilen des Abschnitts für eine halbe bis zwei Stunden bei einer Ausheiltemperatur zwischen 350°C und 450°C, wobei nach der Ausheilungvon der Oberfläche der Rückseite (R) des IGBT aus gesehen ein an den transparenten p-Emitter (tE) anschließendes tiefes p-dotiertes Gebiet, das gemeinsam mit dem transparenten p-Emitter (tE) den p-Emitter bildet, und gleichzeitig anschließend an den p-Emitter eine n-dotierte Feldstoppzone (FS) erzeugt werden.

公开(公告)号：DE102004039208B4

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：DE102004039208

申请日：2004-08-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  LUTZ JOSEF DR

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauelements, das zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone (21) des Leistungsbauelements in einem Halbleiterkörper (100) folgende Verfahrensschritte aufweist: – Erzeugen einer Sauerstoffkonzentration wenigstens in dem zu dotierenden Bereich in dem Halbleiterkörper (100), – Bestrahlen des Halbleiterkörpers (100) über eine Seite (101) mit nicht-dotierenden Teilchen mit einer Implantationsenergie zwischen 0,15 MeV und 20 MeV zur Erzeugung von Defekten in dem zu dotierenden Bereich, wobei die nicht-dotierenden Teilchen Heliumionen sind. – Durchführen eines Temperaturschrittes bei Temperaturen zwischen 380°C und 500°C zur Erzeugung thermischer Doppeldonatoren in dem zu dotierenden Bereich.

公开(公告)号：DE102006001252B4

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102006001252

申请日：2006-01-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMESS REINER DR

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/739

Abstract: Bipolares Leistungshalbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), in dem in einer vertikalen Richtung (v) aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter (8), eine n-dotierte Basis (7), eine p-dotierte Basis (6) und ein n-dotierter Hauptemitter (5) angeordnet sind, wobei der p-dotierte Emitter (8) eine Anzahl stark p-dotierter Zonen (82) mit einer lokal erhöhten p-Dotierung aufweist, die inselartig ausgebildet und vollständig von einer Zone (81) mit schwächerer p-Dotierung umgeben sind.