公开(公告)号：DE102008039743A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：DE102008039743

申请日：2008-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMES REINER ,  SILBER DIETER ,  CHUKALURI ESWAR ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/74 ,  H01L25/11

Abstract: The thyristor (100) has a p-doped emitter (8), an n-doped base (7), a P-doped base (6) and an n-doped main emitter (5) arranged in a vertical direction (v) in a semiconductor body (1). An ignition stage structure is arranged between an ignition device (BOD) and the main emitter and comprises an ignition stage (AG3) with an n-doped ignition stage emitter (53). The ignition stage has a conductor structure (43) with conductor segments (M3), which are distanced from each other. The conductor segments electrically contact the n-doped ignition stage emitter and the P-doped base. An independent claim is also included for a switch arrangement including a control connecting device.

公开(公告)号：DE102008051403B4

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：DE102008051403

申请日：2008-10-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMES REINER ,  SILBER DIETER ,  CHUKALURI ESWAR

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332 ,  H01L27/06

公开(公告)号：DE102008054094B4

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：DE102008054094

申请日：2008-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMESS REINER DR ,  SILBER DIETER PROF DR ,  CHUKALURI ESWAR

IPC: H01L29/74 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleiterbauelement das als Thyristor ausgebildet ist und das aufweist: einen Halbleiterkörper (1), in dem in einer zu einer ersten Richtung (r1) senkrechten vertikalen Richtung (v) ausgehend von einer Rückseite (14) hin zu einer Vorderseite (13) ein p-dotierter Emitter (8), eine n-dotierte Basis (7), eine p-dotierte Basis (6) und ein n-dotierter Hauptemitter (5) aufeinanderfolgend angeordnet sind, und in dem eine Zündeinrichtung (BOD) zur Zündung des Thyristors angeordnet ist, eine Halbleiterzone mit einem einheitlichen Leitungstyp, die als Abschnitt der p-dotierten Basis (6) ausgebildet ist und die eine Widerstandsstruktur (64) mit einem ersten Abschnitt (21), einem zweiten Abschnitt (81) und einem zwischen dem ersten Abschnitt (21) und dem zweiten Abschnitt (81) angeordneten dritten Abschnitt (20) bildet, wobei die erste Richtung (r1) von der Zündeinrichtung (BOD) weg verläuft, der zweite Abschnitt (81), der dritte Abschnitt (20) und der erste Abschnitt (21) in der ersten Richtung (r1) in der genannten Reihenfolge aufeinander folgend angeordnet sind und denselben Leitungstyp aufweisen, der dritte Abschnitt (20) eine Netto-Dotierstoffkonzentration (p) aufweist, die kleiner ist als die Netto-Dotierstoffkonzentration (p+) des ersten Abschnitts (21) und größer als die Netto-Dotierstoffkonzentration (p–) des zweiten Abschnitts (81), der Verlauf der Netto-Dotierstoffkonzentration (N(r1)) der Widerstandsstruktur (64) in der ersten Richtung (r1) ein in dem ersten Abschnitt (21) befindliches erstes lokales Maximum (M1) mit einer ersten Netto-Dotierstoffkonzentration N1 und ein in dem zweiten Abschnitt (81) befindliches lokales Minimum (M2) mit einer zweiten Netto-Dotierstoffkonzentration N2 aufweist.

公开(公告)号：DE102008039743B4

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：DE102008039743

申请日：2008-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMES REINER ,  SILBER DIETER ,  CHUKALURI ESWAR ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/74 ,  H01L25/11 ,  H01L29/749 ,  H02M1/08

公开(公告)号：DE102008054094A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：DE102008054094

申请日：2008-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMESS REINER ,  SILBER DIETER ,  CHUKALURI ESWAR

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/60 ,  H01L29/74

Abstract: The semiconductor element has a semiconductor body (1), in which a semiconductor zone is formed by a single cable type. The semiconductor zone has resistance structure (64) with two sections (21,81), where a third section is formed between the former and latter section. The third section (20) has a net dopant concentration (P), which is smaller than net dopant concentration (P plus) of the former section (21) and greater than net dopant concentration (P minus) of latter section (81).

公开(公告)号：DE102008051403A1

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：DE102008051403

申请日：2008-10-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMES REINER ,  SILBER DIETER ,  CHUKALURI ESWAR

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332 ,  H01L27/06

Abstract: The thyristor arrangement has a semiconductor body (1), where a p-dopped emitter (8) and n-dopped basis (7) are arranged in a vertical direction (v) between a back side (14) and a front side (13). An ignition area (ZB) is provided, where an ignition stage (AG1) has n-dopped ignition stage emitter (51). An electric coupling element is formed as polysilizium layer and is arranged on a semiconductor element, where a section (101) of a semiconductor element is a section of a p-doped basis (6) and is arranged in the lateral direction between the ignition area and the ignition stage. An independent claim is included for a method for operating a thyristor arrangement.