公开(公告)号：DE102008049059B4

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102008049059

申请日：2008-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BHASKARAN JAYACHANDRAN ,  MICCOLI GIUSEPPE ,  STEFFEN FRIEDRICH ,  VATER ALFRED

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleiterwafers (110), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Nassätzen von Schlitzlinien des Halbleiterwafers (110); und Trockenätzen von Schlitzlinien des Halbleiterwafers (110), wobei der Halbleiterwafer (110) ein Substrat (210) mit einer Hauptoberfläche, einem Schichtstapel, der auf der Hauptoberfläche angeordnet ist, und einer Mehrzahl von Schaltungen, die lateral innerhalb des Halbleiterwafers verteilt sind, aufweist, wobei die Schaltungen voneinander durch eine oder mehrere Schlitzlinienregionen getrennt sind, wobei der Schichtstapel ein leitfähiges Material innerhalb der Schlitzlinienregionen aufweist, wobei das Nassätzen zumindest einen Teil des leitfähigen Materials innerhalb der Schlitzlinienregionen ätzt, und wobei das Trockenätzen nach dem Nassätzen ausgeführt wird und zumindest einen Teil des Substrats (210) innerhalb der Schlitzlinienregionen ätzt.

公开(公告)号：DE102008049059A1

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：DE102008049059

申请日：2008-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BHASKARAN JAYACHANDRAN ,  MICCOLI GIUSEPPE ,  STEFFEN FRIEDRICH ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66