公开(公告)号：DE102008049059B4

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102008049059

申请日：2008-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BHASKARAN JAYACHANDRAN ,  MICCOLI GIUSEPPE ,  STEFFEN FRIEDRICH ,  VATER ALFRED

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleiterwafers (110), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Nassätzen von Schlitzlinien des Halbleiterwafers (110); und Trockenätzen von Schlitzlinien des Halbleiterwafers (110), wobei der Halbleiterwafer (110) ein Substrat (210) mit einer Hauptoberfläche, einem Schichtstapel, der auf der Hauptoberfläche angeordnet ist, und einer Mehrzahl von Schaltungen, die lateral innerhalb des Halbleiterwafers verteilt sind, aufweist, wobei die Schaltungen voneinander durch eine oder mehrere Schlitzlinienregionen getrennt sind, wobei der Schichtstapel ein leitfähiges Material innerhalb der Schlitzlinienregionen aufweist, wobei das Nassätzen zumindest einen Teil des leitfähigen Materials innerhalb der Schlitzlinienregionen ätzt, und wobei das Trockenätzen nach dem Nassätzen ausgeführt wird und zumindest einen Teil des Substrats (210) innerhalb der Schlitzlinienregionen ätzt.

公开(公告)号：DE102008049059A1

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：DE102008049059

申请日：2008-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BHASKARAN JAYACHANDRAN ,  MICCOLI GIUSEPPE ,  STEFFEN FRIEDRICH ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

公开(公告)号：DE102013101935B4

公开(公告)日：2022-05-12

申请号：DE102013101935

申请日：2013-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGL REIMUND ,  HENNECK STEPHAN ,  MAIS NORBERT ,  MEINHOLD DIRK ,  TIMME HANS-JÖRG ,  URBANSKY NORBERT ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterbauelement, das Folgendes aufweist:• eine Metallatome aufweisende Metallleitung (230), über einem Substrat (10) angeordnet, wobei ein Abschnitt einer oberen Oberfläche der Metallleitung (230) einen Kontaktbereich (271, 272) aufweist; und• eine die Metallatome aufweisende Schutzschicht (270), auf dem Kontaktbereich (271, 272) angeordnet, wobei die Schutzschicht (270) ein anderes Material als die Metallleitung (230) ist und die Metallleitung (230) teilweise abdeckt, so dass ein Abschnitt der Metallleitung (230) frei ist von der Schutzschicht (270);• eine Passivierungsschicht (240), auf der Metallleitung (230) angeordnet, wobei die Passivierungsschicht (240) eine Öffnung über dem Kontaktbereich (271, 272) aufweist, welche die Schutzschicht (270) teilweise freilegt; und• wobei die Passivierungsschicht den Abschnitt der Metallleitung (230) abdeckt.

公开(公告)号：DE102013101935A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102013101935

申请日：2013-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGL REIMUND ,  HENNECK STEPHAN ,  MAIS NORBERT ,  MEINHOLD DIRK ,  TIMME HANS-JOERG ,  URBANSKY NORBERT ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements das Ausbilden einer Metallleitung (230) über einem Substrat (10) und Abscheiden einer legierenden Materialschicht über einer oberen Oberfläche der Metallleitung (230). Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden einer Schutzschicht (270) durch Kombinieren der legierenden Materialschicht mit der Metallleitung (230).

公开(公告)号：DE102011053356A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：DE102011053356

申请日：2011-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DALLMANN GERALD ,  MEINHOLD DIRK ,  VATER ALFRED

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur, das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Werkstücks (205); Ausbilden einer dielektrischen Barrierenschicht (230) über dem Werkstück (205); Ausbilden einer Öffnung durch die dielektrische Barrierenschicht (230); Ausbilden einer Keimschicht (250) über der dielektrischen Barrierenschicht (230) und in der dielektrischen Barrierenschichtöffnung (232, 234) und Elektroplattieren einer ersten Füllschicht (272, 274) auf der Keimschicht (250).