VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES FEUCHTIGKEITSSENSORS AUF WAFEREBENE UND FEUCHTIGKEITSSENSOR

    公开(公告)号:DE102018220169A1

    公开(公告)日:2020-05-28

    申请号:DE102018220169

    申请日:2018-11-23

    Abstract: Ein Verfahren 100, 100' zum Herstellen eines Feuchtigkeitssensors 300 auf Waferebene umfasst folgende Schritte: Bereitstellen 105 einer Substratanordnung 200, die ein Halbleitersubstrat 202 z.B. mit daran angeordneten Bauelementen 204 und mit einem auf dem Halbleitersubstrat 202 angeordneten Metallisierungsschichtstapel 206 aufweist, wobei der Metallisierungsschichtstapel 206 eine Mehrzahl von in einem Isolationsmaterial 208 eingebetteten Metallisierungsstrukturen 210, 210-1 aufweist, wobei auf dem Metallisierungsschichtstapel 206 eine Isolationsschicht 212 angeordnet ist; Aufbringen 110 einer Sensorstruktur 214 mit einer Mehrzahl von leitfähigen Sensorstrukturelementen 214-1, 214-2 auf der Isolationsschicht 212 des Metallisierungsschichtstapels 206; Aufbringen 115 einer ersten Abdeckungsschicht 216 auf der Sensorstruktur 214 und freiliegenden Abschnitten der Isolationsschicht 212, wobei die erste Abdeckungsschicht 216 die leitfähige Sensorstruktur 214 bedeckt, und wobei ein die leitfähige Sensorstruktur 214 bedeckender Abschnitt der ersten Abdeckungsschicht 216 planar ausgebildet wird, um eine planare Abdeckungsschichtanordnung 220 zu bilden; Bereichsweises Entfernen 125 der planaren Abdeckungsschichtanordnung 220, wobei die Sensorstruktur 214 mit der planaren Abdeckungsschichtanordnung 220 bedeckt bleibt; Aufbringen 130 einer dritten Abdeckungsschicht 222 auf der freigelegten Isolationsschicht 212 und dem die Sensorstruktur 214 bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapel 220; Freilegen 135 des die Sensorstruktur 214 bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapels 220; und Aufbringen 145 eines feuchtigkeitsabsorbierenden Schichtelements 232 auf dem die Sensorstruktur bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapel 220, um den Feuchtigkeitssensor 300 zu erhalten.

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