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公开(公告)号：DE102020120370B3
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：DE102020120370
申请日：2020-08-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BROCKMEIER ANDRE , GLANZER BARBARA ANGELA , OLDSEN MARTEN , SOLAZZI FRANCESCO , KOBLINSKI CARSTEN VON
Abstract: Die Halbleitervorrichtung (10) umfasst einen mikroelektromechanischen System(MEMS)-Chip (1), welcher eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche aufweist, welche der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt, ein erstes Substrat (2) auf Glasbasis, auf welchem der MEMS-Chip (1) mit seiner ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, und ein zweites Substrat (3), welches auf der zweiten Hauptoberfläche des MEMS-Chips (1) angeordnet ist, wobei der MEMS-Chip (1) eine erste Ausnehmung (1A) aufweist, welche über eine Mehrzahl von in dem ersten Substrat (2) angeordneten Perforationslöchern (2A) mit der Umgebung in Verbindung steht.
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公开(公告)号：DE102016125428B4
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：DE102016125428
申请日：2016-12-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： OLDSEN MARTEN
Abstract: Sensorvorrichtung (1), die Folgendes umfasst:eine elektronische Vorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (10), das wenigstens eine integrierte Schaltung (15) undeinen Mikroelektromechanische-System(MEMS)-Sensor (20) umfasst, wobei der MEMS-Sensor (20) eine Membran enthält,einen rückseitigen Hohlraum (22) innerhalb des Halbleitersubstrats (10), der unterhalb des MEMS-Sensors (20) angeordnet ist und sich zu einer Rückseite des Halbleitersubstrats (10) erstreckt, undeine Aufhängungsstruktur (50), die wenigstens die Membran des MEMS-Sensors (20) in dem Halbleitersubstrat (10) aufhängt; eine Gussmasse (70), die das Halbleitersubstrat (10) teilweise einkapselt; undeinen Sensoreingang (80), der eine Öffnung in der Gussmasse (70) an der Vorderseite (10a) des Substrats (10) umfasst, die wenigstens die MEMS-Sensormembran zu einer Umgebung außerhalb der Sensorvorrichtung (1) freilegt; wobei die Aufhängungsstruktur (50) eine Mehrzahl von Federn (710a, 710b, 710c, 710d, 710e, 710f) aufweist, wobei mindestens eine der Mehrzahl von Federn mindestens einen L-förmigen Abschnitt mit einem ersten Federabschnitt (711a, 711b, 711c, 711d, 711e, 711f) und einem zweiten Federabschnitt (713a, 713b, 713c, 713d, 713e, 713f) aufweist, die jeder zu einer ersten Seite oder einem ersten Abschnitt bzw. zu einer zweiten Seite oder einem zweiten Abschnitt des Umfangs der MEMS-Vorrichtung im Wesentlichen parallel sind, und wobei der erste Federabschnitt eine Länge aufweist, die größer als eine Länge der ersten Seite des Umfangs der MEMS-Vorrichtung ist.
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3.发明专利
公开(公告)号：DE102020114347B3
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：DE102020114347
申请日：2020-05-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ALBERT STEPHAN GERHARD , OLDSEN MARTEN
Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer MEMS-Vorrichtung umfasst ein Erzeugen einer ersten Halbleiterschicht und ein selektives Abscheiden einer zweiten Halbleiterschicht über der ersten Halbleiterschicht, wobei die zweite Halbleiterschicht einen ersten Teil aus monokristallinem Halbleitermaterial und einen zweiten Teil aus polykristallinem Halbleitermaterial umfasst. Das Verfahren umfasst ferner ein Strukturieren von zumindest einer der Halbleiterschichten, wobei das monokristalline Halbleitermaterial des ersten Teils und darunterliegendes Material der ersten Halbleiterschicht ein Federelement der MEMS-Vorrichtung ausbilden und das polykristalline Halbleitermaterial des zweiten Teils und darunterliegendes Material der ersten Halbleiterschicht zumindest einen Teil eines Kammantriebs der MEMS-Vorrichtung ausbilden.
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4.发明专利
公开(公告)号：DE102018220169A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：DE102018220169
申请日：2018-11-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HAUBOLD MARCO , FROEHLICH HEIKO , KAUTZSCH THORALF , KHVOSTIKOVA OLGA , OLDSEN MARTEN , STRAUB BERNHARD
IPC: G01N27/22 , H01L21/283 , H01L21/3105 , H01L21/3205 , H01L49/00
Abstract: Ein Verfahren 100, 100' zum Herstellen eines Feuchtigkeitssensors 300 auf Waferebene umfasst folgende Schritte: Bereitstellen 105 einer Substratanordnung 200, die ein Halbleitersubstrat 202 z.B. mit daran angeordneten Bauelementen 204 und mit einem auf dem Halbleitersubstrat 202 angeordneten Metallisierungsschichtstapel 206 aufweist, wobei der Metallisierungsschichtstapel 206 eine Mehrzahl von in einem Isolationsmaterial 208 eingebetteten Metallisierungsstrukturen 210, 210-1 aufweist, wobei auf dem Metallisierungsschichtstapel 206 eine Isolationsschicht 212 angeordnet ist; Aufbringen 110 einer Sensorstruktur 214 mit einer Mehrzahl von leitfähigen Sensorstrukturelementen 214-1, 214-2 auf der Isolationsschicht 212 des Metallisierungsschichtstapels 206; Aufbringen 115 einer ersten Abdeckungsschicht 216 auf der Sensorstruktur 214 und freiliegenden Abschnitten der Isolationsschicht 212, wobei die erste Abdeckungsschicht 216 die leitfähige Sensorstruktur 214 bedeckt, und wobei ein die leitfähige Sensorstruktur 214 bedeckender Abschnitt der ersten Abdeckungsschicht 216 planar ausgebildet wird, um eine planare Abdeckungsschichtanordnung 220 zu bilden; Bereichsweises Entfernen 125 der planaren Abdeckungsschichtanordnung 220, wobei die Sensorstruktur 214 mit der planaren Abdeckungsschichtanordnung 220 bedeckt bleibt; Aufbringen 130 einer dritten Abdeckungsschicht 222 auf der freigelegten Isolationsschicht 212 und dem die Sensorstruktur 214 bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapel 220; Freilegen 135 des die Sensorstruktur 214 bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapels 220; und Aufbringen 145 eines feuchtigkeitsabsorbierenden Schichtelements 232 auf dem die Sensorstruktur bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapel 220, um den Feuchtigkeitssensor 300 zu erhalten.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016121683A1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：DE102016121683
申请日：2016-11-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LEUSCHNER RAINER , ZOGAL KAROLINA , MEIER ROLAND , OLDSEN MARTEN , KÄMMER KERSTIN
Abstract: Eine Sensorvorrichtung enthält eine Sensoreinheit, die für eine Eigenschaft eines gasförmigen Mediums sensitiv ist. Die Sensoreinheit ist auf einer ersten Oberfläche eines Sensorsubstrats ausgebildet. Eine Rahmenstruktur auf der ersten Oberfläche umfasst einen ersten Schleifenbereich, der einen ersten Bereich lateral umgibt, der die Sensoreinheit enthält. Ein kommunizierender Kanal hat durch zumindest einen eines lateralen Anschlusses in dem ersten Schleifenbereich und eines Basisanschlusses in dem Sensorsubstrat Zugang zum ersten Bereich. Eine Deckelstruktur bedeckt die Rahmenstruktur und den ersten Bereich vollständig.
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公开(公告)号：DE102016125428A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：DE102016125428
申请日：2016-12-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： OLDSEN MARTEN
Abstract: Eine Sensorvorrichtung (1) kann eine elektronische Vorrichtung enthalten, die wenigstens eine integrierte Schaltungsvorrichtung und einen MEMS-Sensor (20) aufweist, die jeweils mit einem Halbleitersubstrat (10) monolithisch integriert sind. Die Sensorvorrichtung (1) kann eine Aufhängungsstruktur (50) enthalten, die den MEMS-Sensor (20) über einem rückseitigen Hohlraum (22) innerhalb des Halbleitersubstrats (10) aufhängt. Bei der Aufhängungsstruktur (50) kann es sich um Federn oder eine Federstruktur handeln, die durch Ätzen der Vorderseite (10a) des Substrats (10) gebildet sind/ist.
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公开(公告)号：DE102023200596A1
公开(公告)日：2024-07-25
申请号：DE102023200596
申请日：2023-01-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SOUNDARA PANDIAN MOHANRAJ , OLDSEN MARTEN
Abstract: Beispiele offenbaren einen Ultraschallwandler (0100), der Folgendes umfasst:einen Satz von Wandlerelementen, der ein kapazitives Wandlerelement (0110) und ein piezoelektrisches Wandlerelement (0120) beinhaltet, wobei das kapazitive Wandlerelement (0110) und das piezoelektrische Wandlerelement (0120) seitlich getrennt in demselben Halbleiter-Die bereitgestellt sind. Weitere Beispiele offenbaren ein Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers (0100).
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公开(公告)号：DE102019208373A1
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：DE102019208373
申请日：2019-06-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BROCKMEIER ANDRE , JANSKI RAFAEL , KIRILLOV BORIS , OLDSEN MARTEN , ROESSLER CLEMENS , SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER , SGOURIDIS SOKRATIS , SORSCHAG KURT
Abstract: Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Mikroelektromechanisches-System-, MEMS-, Bauelements wird ein MEMS-Substrat mit einem beweglichen Element bereitgestellt. Ein Glasabdeckbauteil mit einer Glasabdeckung wird durch Heiß-Prägen gebildet. Das Glasabdeckbauteil ist an das MEMS-Substrat gebunden, um so durch die Glasabdeckung eine Kavität, in der das bewegliche Element angeordnet ist, hermetisch abzudichten.
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公开(公告)号：DE102016121683B4
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE102016121683
申请日：2016-11-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LEUSCHNER RAINER , ZOGAL KAROLINA , MEIER ROLAND , OLDSEN MARTEN , KÄMMER KERSTIN
Abstract: Sensorvorrichtung, umfassend:eine Sensoreinheit (200), die für eine Eigenschaft eines gasförmigen Mediums sensitiv ist, wobei die Sensoreinheit (200) auf einer ersten Oberfläche (101) eines Sensorsubstrats (100) und auf einer aufgehängten Masse (160) des Sensorsubstrats (100) ausgebildet ist, die durch mindestens einen Federbalken (108) mit einem weiteren Teil des Sensorsubstrats (100) verbunden ist;eine Rahmenstruktur (300) auf der ersten Oberfläche (101), wobei die Rahmenstruktur (300) einen ersten Schleifenbereich (310) aufweist, der einen ersten Bereich (110) mit der Sensoreinheit (200) lateral umgibt;einen kommunizierenden Kanal (150), der durch einen Basisanschluss (812) im Sensorsubstrat (100) einen Zugang zum ersten Bereich (110) hat, wobei der Basisanschluss (812) eine Federrille (107) aufweist, die einen Federbalken (108) von der aufgehängten Masse (160) oder dem weiteren Teil des Sensorsubstrats (100) trennt; undeine Deckelstruktur (400), die die Rahmenstruktur (300) und den ersten Bereich (110) vollständig bedeckt.
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