公开(公告)号：DE102017102545A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：DE102017102545

申请日：2017-02-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAUBOLD MARCO ,  FEICK HENNING ,  KÄMMER KERSTIN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12 ,  G01P15/125 ,  H04R1/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst zumindest einen Aufhängungsbereich (111) einer Membranstruktur (110). Der Aufhängungsbereich (111) liegt lateral in einem ersten Bereich einer Oberfläche (121) eines Halbleitersubstrats (120). Zudem umfasst die Halbleitervorrichtung (100) einen Membranbereich (112) der Membranstruktur (110). Ein Hohlraum (130) ist vertikal zwischen dem Membranbereich (112) und zumindest einem Teil des Halbleitersubstrats (120) angeordnet. Zudem wird der erste Bereich der Oberfläche (121) des Halbleitersubstrats (120) durch eine Oberfläche eines Abschirmdotierungsgebiets (122) des Halbleitersubstrats (120) gebildet. Ferner grenzt das Abschirmdotierungsgebiet (122) des Halbleitersubstrats (120) an ein benachbartes Dotierungsgebiet (123) an. Des Weiteren bildet das benachbarte Dotierungsgebiet (123) zumindest einen Teil der Oberfläche (121) des Halbleitersubstrats (120) im Bereich des Hohlraums (130). Zudem weist das benachbarte Dotierungsgebiet (123) einen ersten Leitfähigkeitstyp auf und weist das Abschirmdotierungsgebiet (122) einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf.

公开(公告)号：DE102017102545B4

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017102545

申请日：2017-02-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAUBOLD MARCO ,  FEICK HENNING ,  KÄMMER KERSTIN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12 ,  G01P15/125 ,  H04R1/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst zumindest einen Aufhängungsbereich (111) einer Membranstruktur (110). Der Aufhängungsbereich (111) liegt lateral in einem ersten Bereich einer Oberfläche (121) eines Halbleitersubstrats (120). Zudem umfasst die Halbleitervorrichtung (100) einen Membranbereich (112) der Membranstruktur (110). Ein Hohlraum (130) ist vertikal zwischen dem Membranbereich (112) und zumindest einem Teil des Halbleitersubstrats (120) angeordnet. Zudem wird der erste Bereich der Oberfläche (121) des Halbleitersubstrats (120) durch eine Oberfläche eines Abschirmdotierungsgebiets (122) des Halbleitersubstrats (120) gebildet. Ferner grenzt das Abschirmdotierungsgebiet (122) des Halbleitersubstrats (120) an ein benachbartes Dotierungsgebiet (123) an. Des Weiteren bildet das benachbarte Dotierungsgebiet (123) zumindest einen Teil der Oberfläche (121) des Halbleitersubstrats (120) im Bereich des Hohlraums (130). Zudem weist das benachbarte Dotierungsgebiet (123) einen ersten Leitfähigkeitstyp auf und weist das Abschirmdotierungsgebiet (122) einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf.

公开(公告)号：DE102018220169A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：DE102018220169

申请日：2018-11-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAUBOLD MARCO ,  FROEHLICH HEIKO ,  KAUTZSCH THORALF ,  KHVOSTIKOVA OLGA ,  OLDSEN MARTEN ,  STRAUB BERNHARD

IPC: G01N27/22 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3205 ,  H01L49/00

Abstract: Ein Verfahren 100, 100' zum Herstellen eines Feuchtigkeitssensors 300 auf Waferebene umfasst folgende Schritte: Bereitstellen 105 einer Substratanordnung 200, die ein Halbleitersubstrat 202 z.B. mit daran angeordneten Bauelementen 204 und mit einem auf dem Halbleitersubstrat 202 angeordneten Metallisierungsschichtstapel 206 aufweist, wobei der Metallisierungsschichtstapel 206 eine Mehrzahl von in einem Isolationsmaterial 208 eingebetteten Metallisierungsstrukturen 210, 210-1 aufweist, wobei auf dem Metallisierungsschichtstapel 206 eine Isolationsschicht 212 angeordnet ist; Aufbringen 110 einer Sensorstruktur 214 mit einer Mehrzahl von leitfähigen Sensorstrukturelementen 214-1, 214-2 auf der Isolationsschicht 212 des Metallisierungsschichtstapels 206; Aufbringen 115 einer ersten Abdeckungsschicht 216 auf der Sensorstruktur 214 und freiliegenden Abschnitten der Isolationsschicht 212, wobei die erste Abdeckungsschicht 216 die leitfähige Sensorstruktur 214 bedeckt, und wobei ein die leitfähige Sensorstruktur 214 bedeckender Abschnitt der ersten Abdeckungsschicht 216 planar ausgebildet wird, um eine planare Abdeckungsschichtanordnung 220 zu bilden; Bereichsweises Entfernen 125 der planaren Abdeckungsschichtanordnung 220, wobei die Sensorstruktur 214 mit der planaren Abdeckungsschichtanordnung 220 bedeckt bleibt; Aufbringen 130 einer dritten Abdeckungsschicht 222 auf der freigelegten Isolationsschicht 212 und dem die Sensorstruktur 214 bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapel 220; Freilegen 135 des die Sensorstruktur 214 bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapels 220; und Aufbringen 145 eines feuchtigkeitsabsorbierenden Schichtelements 232 auf dem die Sensorstruktur bedeckenden, planaren Abdeckungsschichtstapel 220, um den Feuchtigkeitssensor 300 zu erhalten.

公开(公告)号：DE102016112041A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE102016112041

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAUBOLD MARCO

IPC: G01D11/10 ,  B81B3/00 ,  G01B21/00 ,  G01D21/02 ,  G01L9/00 ,  G01P15/00

Abstract: Eine Vorrichtung (100) umfasst ein Substrat (105), eine Federstruktur (130) und einen ersten Sensor (110). Der erste Sensor (110) ist über die Federstruktur (130) federnd mit dem Substrat (105) gekoppelt. Die Federstruktur (130) ist dazu konfiguriert, Dämpfung des ersten Sensors (110) bezüglich des Substrats (105) bereitzustellen. Des Weiteren umfasst die Vorrichtung (100) einen zweiten Sensor (120), der dazu konfiguriert ist, eine Durchbiegung der Federstruktur (130) zu erfassen.