公开(公告)号：DE10335082B4

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：DE10335082

申请日：2003-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD

IPC: G08C19/00 ,  G08C19/06 ,  H04B1/18 ,  H04B14/00

Abstract: Datenübertragungssystem, das folgende Merkmale aufweist: – eine Energiequelle (10) mit einem Ausgang (12) zur Energieabgabe, – eine Energiesenke (20; 23, 24, 25) mit einem Eingang (22), zur Energieaufnahme, – eine Übertragungsstrecke (30) zwischen dem Ausgang (12) der Energiequelle (10) und dem Eingang (22) der Energiesenke (20), – eine an die Energiesenke (20) gekoppelte Impedanzeinstelleinheit (40; 43, 44, 45), die nach Maßgabe eines ersten Datensignals (DS1) eine Eingangsimpedanz der Energiesenke (20) einstellt, – eine an die Energiequelle (10) gekoppelte Mess- und Auswerteeinheit (50; 51, 52), die die an den Ausgang (12) der Energiequelle (10) abgegebene Leistung erfasst, um abhängig von einem Momentanwert oder einem zeitlichen Verlauf dieser abgegebenen Leistung ein von dem ersten Datensignal (DS1) abhängiges erstes Empfangssignal (ES1) zur Verfügung zu stellen, wobei die Übertragungsstrecke (30) einen Transformator mit einer an die Energiequelle gekoppelten Primärspule (Lp) und einer an die Energiesenke (20) gekoppelten Sekundärspule (Ls) aufweist.

公开(公告)号：DE102008035993A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：DE102008035993

申请日：2008-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  STRZALKOWSKI BERNHARD

IPC: H01L25/16

Abstract: The module has an electrical connection between two load connections, and reciprocatably switched at a control input of a power semiconductor (1) between electrically connected and separated conditions. Active and passive signal-processing, electrical elements have a control circuit i.e. silicon on insulator (SOI)-chip, whose output voltage acts on the input. The circuit is controlled by input signals, and the electrical elements are arranged on a substrate common with the semiconductor or on a homogeneous substrate as the semiconductor. The elements are made of semiconductor materials.

公开(公告)号：DE10240425B4

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：DE10240425

申请日：2002-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZVEREV ILIA ,  FELDTKELLER MARTIN ,  STRZALKOWSKI BERNHARD

IPC: G05F1/10 ,  G08C19/16 ,  H02J9/00 ,  H02M3/28 ,  H02M5/10

Abstract: First (K1) and second (K2) terminals apply a first voltage (Uin). Output terminals (K3,K4) provide a second voltage (Uout) and a transformer unit (TU) that connects between the first/second and output terminals and has a first transformer (TR1). A second TU (20) has a second transformer (TR2) with primary (Lp2) and secondary (LS2) coils.

公开(公告)号：DE10100282B4

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：DE10100282

申请日：2001-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD ,  WERNER WOLFGANG ,  STENGL JENS-PEER

IPC: H01F17/00 ,  H01F19/04 ,  H01L27/08 ,  H01F27/28 ,  H01L25/065

公开(公告)号：DE10111696A1

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：DE10111696

申请日：2001-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/42 ,  H02M1/12 ,  H02M7/06 ,  G05F1/70

Abstract: The method involves controling a switch element using a digital controler that determines the deviation of the filter capacitor output voltage from a reference voltage and a reference current value from the deviation and the desired rectifier input current profile. The deviation of the bridge rectifier output current from the reference current is subtracted from a reference duty cycle to give the duty cycle for controling the switch element.

公开(公告)号：DE10262239B4

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：DE10262239

申请日：2002-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD

IPC: H04L25/20 ,  H04L25/08 ,  H04L29/14

公开(公告)号：DE10228543A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：DE10228543

申请日：2002-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD ,  TAGHIZADEH-KASCHANI KARIM-THOM

IPC: H04L25/08 ,  H04L25/20 ,  H04L25/49

Abstract: The method involves releasing an impulse sequence (Spos, Sneg) with temporally distanced impulses to a channel, after change of a signal level. The temporal distance in each successive impulses of the sequence is uneven. The temporal distance increases with increase in temporal distance to the changes of the signal level. The temporal distance varies randomly or pseudo-randomly. An independent claim is also included for a transmission device to transmit information in a bivalent signal over a channel.

公开(公告)号：DE10243197A1

公开(公告)日：2004-04-15

申请号：DE10243197

申请日：2002-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD

IPC: H04L25/08 ,  H04L69/40 ,  H04L25/20

Abstract: A digital transmission method in which initially a first transmission channel (TR1) and a second transmission channel (TR2) is provided and a caution/advance-notice signal (S1) containing at least one pulse is transmitted via the first transmission channel (TR1). A data signal (S2) is transmitted within the data-signal time slot of a given duration (tf) after the caution/advance notice signal (S1) via the second transmission channel (TR2). An Independent claim is included for a digital signal transmission method in which only one transmission channel is provided.

公开(公告)号：DE10046806A1

公开(公告)日：2002-05-23

申请号：DE10046806

申请日：2000-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/02 ,  H03K19/082 ,  H04L25/02 ,  H04L25/20

Abstract: The arrangement has a coupler (2) for floating signal transfer between an input and an output, an output driver (8) and a control arrangement (4-7) for switching the output driver to send data in a first or second state and for deactivating the arrangement in a third state. The coupler is a magnetic coupler in the form of a sensor operating on the giant magnetic resistor effect. Independent claims are also included for the following: a tri-state interface. .

公开(公告)号：DE102009034083B4

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：DE102009034083

申请日：2009-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRZALKOWSKI BERNHARD

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/34 ,  H01L23/66 ,  H01L27/08

Abstract: Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400, 500, 700), das Folgendes umfasst:• einen ersten Chip (101), der eine erste Elektrode (103) auf einer ersten Fläche (105) des ersten Chips (101) umfasst;• einen an der ersten Elektrode (103) angebrachten zweiten Chip (107), wobei der zweite Chip (107) einen eine erste Wicklung (111) und eine zweite Wicklung (113) umfassenden Transformator (109) umfasst; und• wobei der Flächeninhalt der ersten Elektrode (103) des ersten Chips (101) größer als der Flächeninhalt der Rückseite des zweiten Chips (107) ist.