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    SEMICONDUCTOR SWITCH ELEMENT COMPRISING TWO CONTROL ELECTRODES, WHICH CAN BE CONTROLLED BY MEANS OF FIELD EFFECT
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR SWITCH ELEMENT COMPRISING TWO CONTROL ELECTRODES, WHICH CAN BE CONTROLLED BY MEANS OF FIELD EFFECT 审中-公开
    具有两个控制电极的场效应可控半导体开关

    公开(公告)号：WO0213257A3

    公开(公告)日：2002-09-19

    申请号：PCT/EP0108718

    申请日：2001-07-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HIRLER FRANZ ,  TIHANYL JENOE ,  WERNER WOLFGANG

    Inventor： HIRLER FRANZ ,  TIHANYL JENOE ,  WERNER WOLFGANG

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

    CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7828

    Abstract: The invention relates to a semiconductor device which can be controlled by means of a field effect. Said device contains a semiconductor body (100) comprising a doped first and second contact area (20, 22, 24, 30) to which connecting electrodes (90, 92) for applying power supply potential are connected. A first control electrode (40, 42, 44; 48, 49) is insulated in relation to the semiconductor body (100; 200) and can be connected to a first control potential. A second control electrode (60, 62, 64; 66, 68; 67, 69; 61, 63) is arranged adjacently in relation to the first control electrode (40, 42, 44; 48, 49). Said second control electrode is arranged in the semiconductor body in an insulated manner and can be connected to a second control potential.

    Abstract translation: 本发明通过包括具有掺杂的第一和第二连接区域（20，22，24，30），以连接用于施加电源电势，具有端子电极（90，92）的半导体主体（100）的场效应半导体器件的方法涉及一种可控制的。 第一控制电极（40,42,44,48,49）与半导体本体（100,200）绝缘并且可以连接到第一驱动电位。 邻近于所述第一电极（60，62，64; 66，68; 67，69; 61，63）在半导体本体（100）被布置布置分离的和可连接到第二驱动电势。

    MOS-TRANSISTOR STRUCTURE WITH A TRENCH-GATE ELECTRODE AND A REDUCED SPECIFIC CLOSING RESISTOR AND METHODS FOR PRODUCING AN MOS TRANSISTOR STRUCTURE
    5.
    发明申请
    MOS-TRANSISTOR STRUCTURE WITH A TRENCH-GATE ELECTRODE AND A REDUCED SPECIFIC CLOSING RESISTOR AND METHODS FOR PRODUCING AN MOS TRANSISTOR STRUCTURE 审中-公开
    降低的比对，及其制造方法的MOS晶体管结构，其具有沟槽栅电极的MOS晶体管结构及其

    公开(公告)号：WO0057481A3

    公开(公告)日：2001-07-26

    申请号：PCT/DE0000621

    申请日：2000-03-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HIRLER FRANZ ,  WERNER WOLFGANG

    Inventor： HIRLER FRANZ ,  WERNER WOLFGANG

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7813

    Abstract: The invention relates to an MOS transistor structure with a trench gate electrode and a reduced specific closing resistor. The integral of the doping concentration of the body region in the lateral direction between two adjacent drift regions is greater than or equal to the integral of the doping concentration in a drift region in the same lateral direction. The invention also relates to methods for producing an MOS transistor structure. Body regions and drift regions are produced by means of epitaxic growth and implantation, repeated epitaxic growth or by filling trenches with doped conduction material.

    Abstract translation: 描述了一种具有沟槽栅电极和导通电阻降低的比，从而所述体区的掺杂浓度的在横向方向上的两个相邻的漂移区域之间的积分大于或等于在所述漂移区的掺杂浓度的积分在相同的横向方向上的MOS晶体管结构 ， 此外，方法公开了用于制造MOS晶体管结构，所述体区和漂移区通过外延生长和离子注入，外延生长或通过用掺杂导体材料反复填充沟槽创建。

    Integrierte Schaltungstechnologie mit verschiedenen Bauelementepitaxialschichten und Verfahren zu dessen Herstellung
    7.
    发明专利
    Integrierte Schaltungstechnologie mit verschiedenen Bauelementepitaxialschichten und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011054784B4

    公开(公告)日：2018-11-29

    申请号：DE102011054784

    申请日：2011-10-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  MEYER THORSTEN ,  WERNER WOLFGANG

    IPC: H01L27/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    Abstract: Halbleiterdie (10), umfassend:ein Substrat (12);ein erstes Bauelementgebiet (18) mit einer ersten Epitaxialschicht (14) auf dem Substrat (12) und einem oder mehreren, in der ersten Epitaxialschicht (14) des ersten Bauelementgebiets (18) ausgebildeten Halbleiterbauelementen von einem ersten Typ;ein von dem ersten Bauelementgebiet (18) beabstandetes zweites Bauelementgebiet (20) mit einer zweiten Epitaxialschicht (16) auf dem Substrat (12) und einem oder mehreren, in der zweiten Epitaxialschicht (16) des zweiten Bauelementgebiets (20) ausgebildeten Halbleiterbauelementen von einem zweiten Typ;wobei die erste Epitaxialschicht (14) von der zweiten Epitaxialschicht (16) verschieden ist,wobei die erste Epitaxialschicht (14) auf dem Substrat (12) und die zweite Epitaxialschicht (16) auf der ersten Epitaxialschicht (14) ausgebildet ist, undwobei die zweite Epitaxialschicht (16) eine andere Dotierkonzentration als die erste Epitaxialschicht (14) aufweist und/oder im zweiten Bauelementgebiet (20) eine größere Dicke als in dem ersten Bauelementgebiet (18) aufweist.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008010321A1

    公开(公告)日：2008-08-28

    申请号：DE102008010321

    申请日：2008-02-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STIFTINGER MARTIN ,  JENEI SNEZANA ,  WERNER WOLFGANG ,  HODEL UWE

    IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/749 ,  H01L29/78

    Abstract: In an embodiment, an apparatus includes a source region, a gate region and a drain region supported by a substrate, and a drift region including a plurality of vertically extending n-wells and p-wells to couple the gate region and the drain region of a transistor, wherein the plurality of n-wells and p-wells are formed in alternating longitudinal rows to form a superjunction drift region longitudinally extending between the gate region and the drain region of the transistor.

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