公开(公告)号：WO2005008760A3

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：PCT/EP2004051285

申请日：2004-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HANEWALD THORSTEN ,  HAUSER ANDREAS ,  JANSSEN INGOLD ,  SUBKE KAI-OLAF

Inventor： HANEWALD THORSTEN ,  HAUSER ANDREAS ,  JANSSEN INGOLD ,  SUBKE KAI-OLAF

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32981 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/3065

Abstract: The invention relates to a method, wherein plasma is used for energetic excitation of a reactive etching gas. The reactive etching gas is a component of a continuous gas flow. A recess is deepened by at least 50 micrometers without interrupting the gas. A simple method is thus disclosed in order to produce deeper recesses.

Abstract translation: 进行说明，其中的等离子体被用于反应性蚀刻气体的能量激发的处理。 所述反应性蚀刻气体是一个连续的气体流的一部分。 无气流的中间中断，从而提供了一种生产深的凹部的一个简单的方法中的凹部通过至少50微米加深。

公开(公告)号：DE10331526A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：DE10331526

申请日：2003-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SUBKE KAI-OLAF ,  HAUSER ANDREAS ,  HANEWALD THORSTEN ,  JANSSEN INGOLD

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：DE102006036076A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：DE102006036076

申请日：2006-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  FOERG RAIMUND ,  KOLLER KLAUS ,  SUBKE KAI-OLAF

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/08

Abstract: A capacitor device includes a substrate, a first conductive structure, a second conductive structure, a dielectric layer structure, and a recess in the substrate. The first and second conductive structures are disposed on opposite sides of the dielectric layer structure, and the dielectric layer structure extends in a meander-shaped manner in a cross-section through the recess.

公开(公告)号：DE102006036076B4

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：DE102006036076

申请日：2006-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  FOERG RAIMUND ,  KOLLER KLAUS ,  SUBKE KAI-OLAF

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/08

公开(公告)号：DE102010037703A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：DE102010037703

申请日：2010-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUHL GUENTHER ,  SUBKE KAI-OLAF ,  BERGER RUDOLF

IPC: H01L21/74 ,  H01G13/00 ,  H01L27/04 ,  H01L29/92

Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen beziehen sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators wie z.B. eines Grabenkondensators. Das Verfahren weist auf: Vorsehen eines Substrats; Ausbilden einer Öffnung innerhalb des Substrats; Ausbilden einer Seitenwand-Abstandsschicht über einer Seitenwandoberfläche der Öffnung; Ausbilden einer ersten leitenden Schicht innerhalb der Öffnung nach dem Ausbilden der Seitenwand-Abstandsschicht; Entfernen der Seitenwand-Abstandsschicht; Ausbilden einer dielektrischen Schicht über der ersten leitenden Schicht innerhalb der Öffnung; und Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht über der dielektrischen Schicht innerhalb der Öffnung.