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公开(公告)号：DE102006036076B4
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：DE102006036076
申请日：2006-08-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AHRENS CARSTEN , FOERG RAIMUND , KOLLER KLAUS , SUBKE KAI-OLAF
IPC: H01L21/822 , H01L27/08
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公开(公告)号：FR2979033B1
公开(公告)日：2016-11-25
申请号：FR1202206
申请日：2012-08-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
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公开(公告)号：DE102008056390B4
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：DE102008056390
申请日：2008-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FOERG RAIMUND , GSCHWANDTNER ALEXANDER , LEHNERT WOLFGANG , POMPL STEFAN
Abstract: Halbleitervorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: eine Halbleiterschicht (102); eine erste Elektrode (104), die aus einem porösen, durch Sintern eines leitfähigen Granulats erzeugten Sinterkörper gebildet ist und die in oder auf der Halbleiterschicht (102) oder in oder auf zumindest einer über die Halbleiterschicht (102) angeordneten isolierenden Schicht gebildet ist, und wobei die erste Elektrode (104) von der Halbleiterschicht bzw. von der isolierenden Schicht durch zumindest eine Barrierenschicht (110, 112) getrennt ist, wobei die Barrierenschicht (110, 112) eine Diffusion von Metall aus der ersten Elektrode (104) in die Halbleiterschicht (102) unterdrückt; ein dielektrisches Material (106), das eine Oberfläche des porösen, durch Sintern eines leitfähigen Granulats erzeugten Sinterkörpers bedeckt; und eine zweite Elektrode (108), die das dielektrische Material (106) zumindest teilweise bedeckt, wobei das dielektrische Material (106) die zweite Elektrode (108) von der ersten Elektrode (104) elektrisch isoliert.
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公开(公告)号：FR2987168B1
公开(公告)日：2016-11-25
申请号：FR1300612
申请日：2013-03-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
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公开(公告)号：DE102008056390A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：DE102008056390
申请日：2008-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FOERG RAIMUND , GSCHWANDTNER ALEXANDER , LEHNERT WOLFGANG , POMPL STEFAN
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Halbleiterschicht mit einer ersten Elektrode, die durch ein gesintertes, leitfähiges, poröses Granulat gebildet ist und die in oder auf der Halbleiterschicht oder in oder auf zumindest einer auf der Halbleiterschicht angeordneten isolierenden Schicht gebildet ist; ferner ein dielektrisches Material, das die Oberfläche des gesinterten, leitfähigen, porösen Granulats bedeckt, und eine zweite Elektrode, die das dielektrische Material zumidnest teilweise bedeckt, wobei das dielektrische Material die zweite Elektrode von der ersten Elektrode elektrisch isoliert.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102006036076A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：DE102006036076
申请日：2006-08-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AHRENS CARSTEN , FOERG RAIMUND , KOLLER KLAUS , SUBKE KAI-OLAF
IPC: H01L21/822 , H01L27/08
Abstract: A capacitor device includes a substrate, a first conductive structure, a second conductive structure, a dielectric layer structure, and a recess in the substrate. The first and second conductive structures are disposed on opposite sides of the dielectric layer structure, and the dielectric layer structure extends in a meander-shaped manner in a cross-section through the recess.
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公开(公告)号：DE102011054035B4
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：DE102011054035
申请日：2011-09-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BERGER RUDOLF , LEHNERT WOLFGANG , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS-JOACHIM , FOERG RAIMUND , GRUBER HERMANN , RUHL GÜNTHER , KELLERMANN KARSTEN , SOMMER MICHAEL , ROTTMAIR CHRISTIAN , RUPP ROLAND
IPC: H01L21/30 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Verbundwafers, aufweisend:Bereitstellen eines monokristallinen Halbleiterwafers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer gegenüber der ersten Seite (11) angeordneten zweiten Seite (12);Abscheiden einer Formmasse (35) aufweisend zumindest Kohlenstoffpulver und/oder Pech auf der zweiten Seite (12) des Halbleiterwafers (10); undTempern der abgeschiedenen Formmasse (35) zum Ausbilden eines an dem Halbleiterwafer angebrachten Graphitträgers (36).
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公开(公告)号：FR2987168A1
公开(公告)日：2013-08-23
申请号：FR1300612
申请日：2013-03-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BERGER RUDOLF , GRUBER HERMANN , LEHNERT WOLFGANG , RUHL GUENTHER , FOERG RAIMUND , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS JOACHIM , KELLERMANN KARSTEN , SOMMER MICHAEL , ROTTMAIR CHRISTIAN , RUPP ROLAND
Abstract: Procédé de fabrication d'une tranche (13) composite, caractérisé en ce qu'on se procure une tranche de support comprenant une couche de graphite, on se procure une tranche (10) semiconductrice monocristalline ayant une première face (11) et une deuxième face (12) ; et on forme une couche de liaison sur au moins l'une de la première face (11) de la tranche semiconductrice et de la couche de graphite de la tranche de support.
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公开(公告)号：DE102012103769A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：DE102012103769
申请日：2012-04-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BERNRIEDER SEBASTIAN , FISCHER THOMAS , FOERG RAIMUND , LARISCH MICHAEL
Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine Ätzvorrichtung bereitgestellt, welche eine Prozesskammer, welche ein Ätzmittel aufweist, eine Struktur, welche eingerichtet ist eine laminare Strömung des Ätzmittels bereitzustellen und einen Werkstück-Handler aufweist, welcher eingerichtet ist ein Werkstück durch die laminare Strömung des Ätzmittels entlang einer vorbestimmten Bahn zu bewegen.
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公开(公告)号：FR2979033A1
公开(公告)日：2013-02-15
申请号：FR1202206
申请日：2012-08-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BERGER RUDOLF , GRUBER HERMANN , LEHNERT WOLFGANG , RUHL GUENTHER , FOERG RAIMUND , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS JOACHIM , KELLERMANN KARSTEN , SOMMER MICHAEL , ROTTMAIR CHRISTIAN , RUPP ROLAND
Abstract: Procédé de fabrication d'une tranche (13) composite, on se procure une tranche de support comprenant une couche de graphite, on se procure une tranche (10) semiconductrice monocristalline ayant une première face (11) et une deuxième face (12) ; et on forme une couche de liaison sur au moins l'une de la première face (11) de la tranche semiconductrice et de la couche de graphite de la tranche de support.
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