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    Waferverbund und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen
    2.
    发明专利
    Waferverbund und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen 未知

    公开(公告)号：DE102019102323A1

    公开(公告)日：2019-08-08

    申请号：DE102019102323

    申请日：2019-01-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERGER RUDOLF ,  RUHL GÜNTHER ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUPP ROLAND

    IPC: H01L21/322

    Abstract: Diese Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, bei dem ein Waferverbund (900) bereitgestellt wird. Der Waferverbund (900) weist ein Spendersubstrat (100), ein Hilfssubstrat (300) und eine zwischen dem Hilfssubstrat (300) und dem Spendersubstrat (100) angeordnete Separationsschicht (250) auf, wobei die Separationsschicht (250) eine Stützstruktur (252) und ein Opfermaterial (255) aufweist, das lateral zwischen Elementen der Stützstruktur (252) ausgebildet ist. Das Hilfssubstrat (300) wird von dem Spendersubstrat (100) getrennt, wobei das Trennen ein Entfernen des Opfermaterials (255) selektiv zur Stützstruktur (252) aufweist.

    Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators
    4.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators 未知

    公开(公告)号：DE102010037703B4

    公开(公告)日：2018-02-22

    申请号：DE102010037703

    申请日：2010-09-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUHL GUENTHER ,  SUBKE KAI OLAF ,  BERGER RUDOLF

    IPC: H01L27/08 ,  H01G13/00 ,  H01L21/822

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators, das enthält: Vorsehen eines Substrats (210); Ausbilden einer Öffnung (214) innerhalb des Substrats (210); Ausbilden einer Seitenwand-Abstandsschicht (222) über einer Seitenwandoberfläche (214S) der Öffnung (214), wobei die Seitenwand-Abstandsschicht (222) entlang der gesamten Tiefe der Öffnung (214) direkt an dem Substrat (210) anliegt; Konformes Abscheiden einer ersten leitenden Schicht (230) auf dem Substrat (210) und innerhalb der Öffnung (214) auf der Seitenwand-Abstandsschicht (222) und auf der Bodenoberfläche (214B) der Öffnung (214) nach dem Ausbilden der Seitenwand-Abstandsschicht (222), wobei die Dicke der ersten leitenden Schicht (230) kleiner als 50 Nanometer ist; Entfernen der ersten leitenden Schicht (230) über dem Substrat (210) und teilweise über der Bodenoberfläche (214B) der Öffnung (214) unter Verwendung eines anisotropen Trockenätzprozesses; Entfernen der Seitenwand-Abstandsschicht (222) nach dem Entfernen der ersten leitenden Schicht (230); Ausbilden einer dielektrischen Schicht (240) über der ersten leitenden Schicht (230) innerhalb der Öffnung (214); und Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht (250) über der dielektrischen Schicht (240) innerhalb der Öffnung (214).

    Halbleiterbauelement und Verfahren, das eine Opferschicht verwendet
    6.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren, das eine Opferschicht verwendet 未知

    公开(公告)号：DE102011052952B4

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：DE102011052952

    申请日：2011-08-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERGER RUDOLF ,  GOELLNER REINHARD

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/115

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren aufweist: • Bilden einer ersten leitfähigen Schicht (120) über einem Substrat (100), wobei die erste leitfähige Schicht (120) eine obere Oberfläche (122) und Seitenwände (121) aufweist, wobei entlang der Seitenwände (121) der ersten leitfähigen Schicht (120) ein Überhang (127) aus einem nichtleitfähigen Material (125) bereitgestellt wird; • Bilden einer isolierenden Schicht (130) auf der ersten leitfähigen Schicht (120); • Bilden einer Opferschicht (140) über der isolierenden Schicht (130) und dem Überhang (127) der ersten leitfähigen Schicht (120); • teilweises Entfernen der Opferschicht (140), wobei ein Rest der Opferschicht (140) unter dem Überhang (127) verbleibt; und • Bilden einer zweiten leitfähigen Schicht (150) auf der isolierenden Schicht (130).

    Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
    9.
    发明专利
    Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102010037703A1

    公开(公告)日：2011-04-21

    申请号：DE102010037703

    申请日：2010-09-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUHL GUENTHER ,  SUBKE KAI-OLAF ,  BERGER RUDOLF

    IPC: H01L21/74 ,  H01G13/00 ,  H01L27/04 ,  H01L29/92

    Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen beziehen sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators wie z.B. eines Grabenkondensators. Das Verfahren weist auf: Vorsehen eines Substrats; Ausbilden einer Öffnung innerhalb des Substrats; Ausbilden einer Seitenwand-Abstandsschicht über einer Seitenwandoberfläche der Öffnung; Ausbilden einer ersten leitenden Schicht innerhalb der Öffnung nach dem Ausbilden der Seitenwand-Abstandsschicht; Entfernen der Seitenwand-Abstandsschicht; Ausbilden einer dielektrischen Schicht über der ersten leitenden Schicht innerhalb der Öffnung; und Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht über der dielektrischen Schicht innerhalb der Öffnung.

    WAFERVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUTEILS
    10.
    发明专利
    WAFERVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUTEILS 未知

    公开(公告)号：DE102018102415B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE102018102415

    申请日：2018-02-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERGER RUDOLF ,  RUHL GÜNTHER ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUPP ROLAND

    IPC: H01L21/322

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, aufweisend:Bereitstellen eines Waferverbunds (900) aufweisend ein Hilfssubstrat (300), ein Spendersubstrat (100) und eine zwischen dem Spendersubstrat (100) und dem Hilfssubstrat (300) ausgebildete Opferschicht (250);Spalten des Spendersubstrats (100) entlang einer Ebene parallel zur Opferschicht (250), wobei eine Teilschicht des Spendersubstrats (100) eine Bauteilschicht (110) bildet, die mit dem Hilfssubstrat (300) verbunden bleibt, und wobei ein Hauptteil (180) des Spendersubstrats (100) vom Waferverbund (900) abgetrennt wird;Ausbilden, nach dem Spalten, von funktionalen Elementen (190) des Halbleiterbauteils in der Bauteilschicht (110); und Trennen des Hilfssubstrats (300) von der Bauteilschicht (110) durch Wärmeeintrag in die Opferschicht (250).

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