公开(公告)号：WO2005045931A3

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：PCT/DE2004002440

申请日：2004-11-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  OFNER GERALD ,  TEO MARY ,  TAN AI MIN

Inventor： OFNER GERALD ,  TEO MARY ,  TAN AI MIN

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a semiconductor chip (1) having flip-chip contacts (2), whereby the flip-chip contacts (2) are placed on contact surfaces (3) of the active top side (4) of the semiconductor chip (1). The contact surfaces (3) are surrounded by a passivation layer (5) that covers the active top side (4) while leaving the contact surfaces (3) exposed. The passivation layer (5) comprises thickenings (6) that encircle the contact surfaces (3). A semiconductor layer (1) of this type with thickenings (6) encircling the contact surfaces (3) is protected from delamination when packing the semiconductor chip (1) to form a semiconductor component.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体芯片（1）与倒装片触点（2），其中，所述倒装芯片触点（2）接触的区域（3）的有源顶部侧（4）的半导体芯片（1）的布置。 的接触表面（3）是含有活性顶侧（4）覆盖，而留下的接触区域所包围的钝化层（5）的（3）。 钝化层（5）具有加厚部分（6），其围绕所述接触区域（3）。 这样的半导体芯片（1）具有加厚部分（6）周围的接触面（3）在剥离前的半导体芯片（1）的包装被保护的半导体器件。

公开(公告)号：DE10297818T5

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：DE10297818

申请日：2002-11-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： YEO SWAIN HONG ALFRED ,  TAN AI MIN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34

公开(公告)号：DE102013100347B4

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102013100347

申请日：2013-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARBELLA CARLO ,  VETRIVEL PERIASAMY GANESH ,  KOO KOK KIAT ,  TAN AI MIN

IPC: H01L23/62 ,  H01H37/52 ,  H01L23/48 ,  H05K3/30

Abstract: Halbleitereinheit (200, 300, 500), die Folgendes umfasst:eine erste Fläche, die gestaltet ist, um einer Leiterplatte (210, 530) zugewandt zu sein;eine Ausnehmung (308), die von der ersten Fläche in die Halbleitereinheit hineinreicht; undein thermisch expandierbares Material (208, 310, 502), das in der Ausnehmung angeordnet ist und gestaltet ist, um die erste Fläche der Halbleitereinheit von der Leiterplatte (210) so wegzudrücken, dass ein Kontakt zwischen der Halbleitereinheit und der Leiterplatte mechanisch unterbrochen wird, wenn eine Temperatur des thermisch expandierbaren Materials eine erste Temperatur überschreitet.

公开(公告)号：DE10352349B4

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：DE10352349

申请日：2003-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OFNER GERALD ,  TAN AI MIN ,  TEO MARY

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

Abstract: A semiconductor chip includes flip chip contacts that are arranged on contact surfaces of an active top side of the semiconductor chip. The contact surfaces are surrounded by a passivation layer that covers the active top side while leaving exposed the contact surfaces. The passivation layer includes thickened portions that surround the contact surfaces. The semiconductor chip formed with thickened portions around the contact surfaces is protected from delamination during packaging of the semiconductor chip to form a semiconductor device.

公开(公告)号：DE102013100347A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102013100347

申请日：2013-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARBELLA CARLO ,  VETRIVEL PERIASAMY GANESH ,  KOO KOK KIAT ,  TAN AI MIN

IPC: H01L23/62 ,  H01H37/52 ,  H01L23/48 ,  H05K3/30

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Halbleitereinheit eine erste Fläche, die gestaltet ist, um auf einer Leiterplatte angebracht zu werden, und einen Bereich aus einem thermisch expandierbaren Material, der gestaltet ist, um die erste Fläche der Halbleitereinheit von der Leiterplatte wegzudrücken, wenn eine Temperatur des thermisch expandierbaren Materials eine erste Temperatur überschreitet.

公开(公告)号：DE10352349A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：DE10352349

申请日：2003-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OFNER GERALD ,  TAN AI MIN ,  TEO MARY

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50

Abstract: A semiconductor chip includes flip chip contacts that are arranged on contact surfaces of an active top side of the semiconductor chip. The contact surfaces are surrounded by a passivation layer that covers the active top side while leaving exposed the contact surfaces. The passivation layer includes thickened portions that surround the contact surfaces. The semiconductor chip formed with thickened portions around the contact surfaces is protected from delamination during packaging of the semiconductor chip to form a semiconductor device.

公开(公告)号：AU2003265209A1

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：AU2003265209

申请日：2003-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARY TEO ,  TAN AI MIN ,  GERALD OFNER

IPC: H01L21/56