中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

22 records (took 0.021 seconds)

    Structure having aperture
    1.
    发明专利
    Structure having aperture 审中-公开
    具有孔径的结构

    公开(公告)号：JP2006287229A

    公开(公告)日：2006-10-19

    申请号：JP2006097201

    申请日：2006-03-31

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： TEGEN STEFAN

    IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31625 ,  H01L27/10852

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of how to form an insulating structure whose aspect ratio is low and that has an aperture.
    SOLUTION: In a method for forming an insulating structure 2c, having an aperture 3, a dopant, is doped to the insulating structure 2c, and doping concentration on average increases or decreases in a vertical direction (in a perpendicular direction) from a preprocessed semiconductor substrate 1. The aperture 3 is formed through a dry etching step, and its aspect ratio becomes lower by broadening the reference surface through an ensuing wet chemical etching process.
    COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供如何形成纵横比低且具有孔径的绝缘结构的方法。 解决方案：在用于形成绝缘结构2c的方法中，具有孔3，掺杂剂，掺杂到绝缘结构2c，并且掺杂浓度平均在垂直方向（垂直方向）上增加或减少 预处理半导体衬底1.孔3通过干蚀刻步骤形成，并且通过随后的湿化学蚀刻工艺使基准表面变宽，其纵横比变低。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

    METHOD FOR FORMING A MASKING LAYER ON A SUBSTRATE
    2.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING A MASKING LAYER ON A SUBSTRATE 审中-公开
    方法来形成掩蔽在基底上

    公开(公告)号：WO2004019133A3

    公开(公告)日：2004-10-07

    申请号：PCT/DE0302471

    申请日：2003-07-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  MOLL PETER ,  TEGEN STEFAN

    Inventor： MOLL PETER ,  TEGEN STEFAN

    IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/266

    CPC classification number: H01L27/10867 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022

    Abstract: Disclosed is a method for forming a masking layer on a substrate (5) comprising a structural element (3, 62) which is provided with at least one sidewall (1), is used for masking a physical or chemical process (100), and is formed in a raised or recessed manner on or in the substrate (5). The inventive method comprises the following steps: the substrate (5) is provided with a surface and said structural element (3, 62); a layer (20) of a material that is chemically transformable under the influence of light, e.g. amorphous carbon, is deposited on the substrate (5) such that the structural element (3, 62) is substantially covered by said material; a first light source is adjusted relative to the substrate such that a light beam (110) which is generated by means of said light source hits the surface of the substrate (5) at an oblique first angle (

    Abstract translation: 的基板（5）上形成掩蔽层具有至少一个侧壁（1），包括用于掩蔽的物理或化学处理（100），其中在浮雕结构元件（3，62）上或凹陷的结构元件（3，62）的方法 在基板（5）被形成，其包括以下步骤：提供（5），其具有一个表面和所述结构元件（3，62）的基片，光材料的影响下沉积化学变形的层（20），例如无定形碳，在 基板（5），从而使结构元件（3，62）由第一光源相对于衬底大致设置材料覆盖，使得在上的倾斜第一角度（阿尔法）由光源光束（110）产生的电流 入射到基板（5），其是从90度不同，首先由组光源的装置暴露层（20）的表面上，从而使滑雪的一部分（21） CHT上远离在结构元件的阴影区域中的光源的第一侧壁（1）的一侧（3，62）保持未曝光的，阴影区域的外侧去除暴露的层（20），使得该层的未曝光部分（21）（20） 掩蔽层（10）保持，进行后续的物理或化学过程（100）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG UND INTEGRIERTE SCHALTUNG
    5.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG UND INTEGRIERTE SCHALTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014101058B4

    公开(公告)日：2022-11-24

    申请号：DE102014101058

    申请日：2014-01-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LEMKE MARKO ,  TEGEN STEFAN ,  VOGT MIRKO

    IPC: H01L21/82 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585

    Abstract: Verfahren (100) zur Herstellung einer integrierten Schaltung, wobei das Verfahren (100) aufweist:Ausbilden einer elektronischen Schaltung in einem oder oberhalb eines Trägers (110);Ausbilden mindestens einer Metallisierungsschichtstruktur, die dafür eingerichtet ist,die elektronische Schaltung elektrisch zu verbinden (120); undAusbilden einer Stromkollektorschicht über der mindestens einen Metallisierungsschichtstruktur;Ausbilden einer Festkörperelektrolyt-Batterie wenigstens teilweise in der mindestens einen Metallisierungsschichtstruktur, wobei die Festkörperelektrolyt-Batterie mit der elektronischen Schaltung elektrisch verbunden ist (130), undwobei das Ausbilden (130) der Festkörperelektrolyt-Batterie das Ausbilden eines Schichtstapels beinhaltet, wobei der Schichtstapel mindestens eine Anodenschicht,mindestens eine Elektrolytschicht und mindestens eine Kathodenschicht aufweist, die übereinander ausgebildet werden;wobei die Stromkollektorschicht an die mindestens eine Anodenschicht oder die mindestens eine Kathodenschicht der Festkörperelektrolyt-Batterie angrenzt; undwobei die elektronische Schaltung, die mindestens eine Metallisierungsschichtstruktur,die Stromkollektorschicht und die Festkörperelektrolyt-Batterie in dieser Reihenfolge auf ein und derselben Seite des Trägers übereinander angeordnet sind.

    Integrierte Prüfschaltung und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Prüfschaltung
    9.
    发明专利
    Integrierte Prüfschaltung und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Prüfschaltung 未知

    公开(公告)号：DE102014100897A1

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：DE102014100897

    申请日：2014-01-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LEMKE MARKO ,  TEGEN STEFAN

    IPC: H01L23/544 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66

    Abstract: Integrierte Prüfschaltung einschließlich einer Vielzahl von Prüfstrukturelementen, wobei jedes Prüfstrukturelement wenigstens eine Versorgungsleitung und eine Prüfleitung umfasst; eine Vielzahl von Wahltransistoren, wobei jeder Wahltransistor einem entsprechenden Prüfstrukturelement zugewiesen ist, und wobei jeder Wahltransistor ein erstes gesteuertes Gebiet, ein zweites gesteuertes Gebiet und ein Steuerungsgebiet umfasst, wobei das zweite gesteuerte Gebiet jedes Wahltransistors jeweils mit der Versorgungsleitung des entsprechenden Prüfstrukturelements verbunden ist, so dass jeder Wahltransistor unzweideutig dem entsprechenden Prüfstrukturelement zugewiesen ist; und eine Vielzahl von Kontaktinseln jeweils verbunden mit ersten gesteuerten Gebieten und Steuerungsgebieten der Vielzahl von Wahltransistoren, so dass jedes Prüfstrukturelement der Vielzahl von Prüfstrukturelementen einzeln durch die Vielzahl von Kontaktinseln adressiert werden kann.

Patent Agency Ranking