公开(公告)号：DE102015108402B4

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：DE102015108402

申请日：2015-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVCHIEV VENTSISLAV ,  JACOBY BERNHARD ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  GRILLE THOMAS ,  OSTERMANN THOMAS ,  POPP THOMAS ,  CLARA STEFAN

IPC: H01L33/06 ,  G01F1/66 ,  H01L31/101 ,  H01L31/16

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 110, 120, 130, 140), umfassend:eine Mehrzahl von Quantenstrukturen (101), die überwiegend Germanium umfassen, wobei die Mehrzahl von Quantenstrukturen auf einer ersten Halbleiterschichtstruktur (102) gebildet ist, wobei die Quantenstrukturen aus der Mehrzahl von Quantenstrukturen (101) eine laterale Abmessung von weniger als 15 nm und eine Flächendichte von zumindest 8 × 1011Quantenstrukturen pro cm2aufweisen, wobei die Mehrzahl von Quantenstrukturen (101) Germanium und Antimon umfasst, wobei die Mehrzahl von Quantenstrukturen (101) zwischen 1 % und 10 % Antimon umfasst, wobei die Mehrzahl von Quantenstrukturen (101) ausgebildet ist, um Licht mit einem Lichtemissionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 µm und 10 µm zu emittieren oder Licht mit einem Lichtabsorptionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 µm und 10 µm zu absorbieren.

公开(公告)号：DE102014213069A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：DE102014213069

申请日：2014-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POPP THOMAS

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/20

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines markierten einkristallinen Substrats umfasst: Bereitstellen eines einkristallinen Substrats, das ein erstes Material umfasst, wobei das einkristalline Substrat einen Oberflächenbereich aufweist; Ausbilden einer Markierungsstruktur auf dem Oberflächenbereich des einkristallinen Substrats, wobei die Markierungsstruktur ein erstes Halbleitermaterial umfasst; und Aufbringen einer Halbleiterschicht auf der Markierungsstruktur und mindestens teilweise auf dem Oberflächenbereich des einkristallinen Substrats, wobei die Halbleiterschicht das zweite Halbleitermaterial umfasst, und wobei die Markierungsstruktur unter dem zweiten Halbleitermaterial vergraben ist.

公开(公告)号：DE10239869A1

公开(公告)日：2004-03-18

申请号：DE10239869

申请日：2002-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TEGEN STEFAN ,  HECHT THOMAS ,  MOLL PETER ,  SCHROEDER UWE ,  POPP THOMAS

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L43/12 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31 ,  H01L21/302

Abstract: Production of dielectric layers having a high dielectric constant and low current leakage comprises preparing a substrate, forming a dielectric layer on the substrate, and subjecting the dielectric layer to a plasma.

公开(公告)号：DE102013101733A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102013101733

申请日：2013-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  POMPL STEFAN ,  POPP THOMAS

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/108 ,  H01L29/04 ,  H01L29/92

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements beinhaltet das Ausbilden einer Öffnung mit einer Seitenwand in einem Substrat und das Ausbilden einer ersten Epitaxialschicht in der Öffnung. Die erste Epitaxialschicht wird in einem ersten Abschnitt der Seitenwand ohne Aufwachsen in einem zweiten Abschnitt der Seitenwand ausgebildet. Eine zweite Epitaxialschicht wird in der Öffnung nach dem Ausbilden der ersten Epitaxialschicht ausgebildet. Die zweite Epitaxialschicht wird in dem zweiten Abschnitt der Seitenwand ausgebildet. Die erste Epitaxialschicht wird nach dem Ausbilden der zweiten Epitaxialschicht entfernt.

公开(公告)号：DE102014213069B4

公开(公告)日：2022-06-02

申请号：DE102014213069

申请日：2014-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POPP THOMAS

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/20

Abstract: Verfahren (100) zum Herstellen eines markierten einkristallinen Substrats (210), das Folgendes umfasst:Bereitstellen (110) eines einkristallinen Substrats (210), das ein erstes Material umfasst, wobei das einkristalline Substrat einen Oberflächenbereich aufweist;Ausbilden (120) einer Markierungsstruktur (220) auf dem Oberflächenbereich des einkristallinen Substrats (210), wobei die Markierungsstruktur (220) ein erstes Halbleitermaterial umfasst; undAufbringen (130) einer Halbleiterschicht (215) auf der Markierungsstruktur (220) und mindestens teilweise auf dem Oberflächenbereich des einkristallinen Substrats (210), wobei die Halbleiterschicht (215) ein zweites Halbleitermaterial umfasst, wobei eine Gitterfehlanpassung des ersten und des zweiten Halbleitermaterials unter 10% liegt, und wobei die Markierungsstruktur (220) unter dem zweiten Halbleitermaterial (215) vergraben ist.

公开(公告)号：DE102013101733B4

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102013101733

申请日：2013-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  POMPL STEFAN ,  POPP THOMAS

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/108 ,  H01L29/92

Abstract: Halbleiterbauelement, das Folgendes aufweist:• ein Substrat (10) mit einer Öffnung (30), eine erste Seitenwand (31) aufweisend;• eine zentrale Säule, die in einem zentralen Gebiet der Öffnung (30) angeordnet ist, wobei die zentrale Säule ein erstes Elektrodenmaterial (80) aufweist;• eine erste Dielektrikumsschicht (70), die um die zentrale Säule herum angeordnet ist;• ein zweites Elektrodenmaterial (50), das um die erste Dielektrikumsschicht (70) herum angeordnet ist, wobei das zweite Elektrodenmaterial (50) einen ersten Abschnitt der ersten Seitenwand (31) kontaktiert, wobei das zweite Elektrodenmaterial (80) von dem Material der Seitenwand verschieden ist oder eine andere Dotierung als das Material der Seitenwand aufweist oder ein nichtepitaktisch abgeschiedenes Material ist;• mehrere periphere Säulen, die in einem Peripheriegebiet der Öffnung (30) angeordnet sind, wobei die mehreren peripheren Säulen elektrisch an die zentrale Säule gekoppelt sind, wobei die Position der peripheren Säulen an Abschnitten der Seitenwand mit äquivalenten Kristallebenen ist; und• eine zweite Dielektrikumsschicht (70), die um die mehreren peripheren Säulen jeweils herum angeordnet ist, wobei die zweite Dielektrikumsschicht (70) einen zweiten Abschnitt der ersten Seitenwand (31) kontaktiert.

公开(公告)号：DE102015108402A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102015108402

申请日：2015-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  GRILLE THOMAS ,  POPP THOMAS ,  CLARA STEFAN ,  OSTERMANN THOMAS ,  LAVCHIEV VENTSISLAV ,  JACOBY BERNHARD

IPC: H01L33/06 ,  G01F1/66 ,  H01L31/101 ,  H01L31/16

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Quantenstrukturen, die überwiegend Germanium umfassen. Die Mehrzahl von Quantenstrukturen ist auf einer ersten Halbleiterschichtstruktur gebildet. Die Quantenstrukturen aus der Mehrzahl von Quantenstrukturen weisen eine laterale Abmessung von weniger als 15 nm und eine Flächendichte von zumindest 8 × 1011 Quantenstrukturen pro cm2 auf. Die Mehrzahl von Quantenstrukturen ist ausgebildet, um Licht mit einem Lichtemissionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 μm und 10 μm zu emittieren oder Licht mit einem Lichtabsorptionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 μm und 10 μm zu absorbieren.

公开(公告)号：DE102015109573A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102015109573

申请日：2015-06-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POPP THOMAS ,  MEIER ROLAND ,  PRUEGL KLEMENS ,  WINKLER BERHARD ,  FÖRG RAIMUND

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04N3/02 ,  H04N5/66

Abstract: Die Ausführungsformen betreffen mikroelektromechanische Systeme (MEMS) und insbesondere Pixel umfassende Membranstrukturen zur Verwendung in z.B. Bildschirmvorrichtungen. In Ausführungsformen umfasst eine Membranstruktur eine monokristalline Siliziummembran über einem Hohlraum, der über einem Siliziumsubstrat ausgebildet ist. Die Membranstruktur kann eine Lichtinterferenzstruktur umfassen, die abhängig von einem variablen Abstand zwischen der Membran und dem Substrat unterschiedliche Lichtwellenlängen transmittiert oder reflektiert. Damit zusammenhängende Vorrichtungen, Systeme und Verfahren werden ebenfalls offenbart.