公开(公告)号：DE102014116985B4

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102014116985

申请日：2014-11-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/00 ,  G01R19/10 ,  G01R19/165 ,  G01R27/08

Abstract: Schaltung, die Folgendes aufweist:einen ersten Widerstand (102);einen zweiten Widerstand (104) mit einem verstellbaren Widerstandswert;eine Steuereinheit (106), die zu Folgendem ausgelegt ist:den zweiten Widerstand (104) so zu verstellen, dass er einen ersten Widerstandswert (X) aufweist, bei dem eine Spannung (V1a), die auf einen ersten, durch den ersten Widerstand (102) fließenden Strom (I) zurückzuführen ist, gleich einer Spannung (V2a) ist, die auf einen zweiten, durch den zweiten Widerstand (104) fließenden Strom (I) zurückzuführen ist;den zweiten Widerstand (104) so zu verstellen, dass er einen zweiten Widerstandswert (Y) aufweist, bei dem eine Spannung (V1b) , die auf einen anderen ersten Strom (I) zurückzuführen ist, der sich vom ersten Strom (I) unterscheidet und der durch den ersten Widerstand (102) fließt, gleich der Spannung (V2b) ist, die auf den zweiten, durch den zweiten Widerstand (104) fließenden Strom (I) zurückzuführen ist; undden zweiten Widerstand (104) so zu verstellen, dass er einen dritten Widerstandswert (Z) aufweist, der auf wenigstens einer Differenz des ersten Widerstandswerts (X) und des zweiten Widerstandswerts (Y) basiert.

公开(公告)号：DE102014106695B4

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102014106695

申请日：2014-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L23/62 ,  G01K7/01 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungstransistor mit einem Halbleiterkörper (10), der Folgendes aufweist: – eine Unterseite (12), sowie eine Oberseite (11), die in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite (12) beabstandet ist; – eine Vielzahl von Transistorzellen (30); – eine Source-Zone (13) von einem ersten Leitungstyp (n); – eine Body-Zone (14) von einem zum ersten Leitungstyp (n) komplementären zweiten Leitungstyp (p); – eine Drift-Zone (15) vom ersten Leitungstyp (n); – eine Drain-Zone (16); und – eine Temperatursensordiode (50), die einen zwischen einer n-dotierten Kathodenzone (15', 16') und einer p-dotierten Anodenzone (14') ausgebildeten pn-Übergang (18) aufweist; einen auf der Oberseite (11) angeordneten Drain-Anschlusskontakt (21); einen auf der Unterseite (12) angeordneten Source-Anschlusskontakt (22); einen Gate-Anschlusskontakt (23); und einen Temperaturmessanschlusskontakt (24), der auf der Oberseite (11) angeordnet und gegenüber dem Drain-Anschlusskontakt (21) dielektrisch isoliert ist; wobei entweder (I) der erste Leitungstyp 'n' und der zweite Leitungstyp 'p' ist, die Anodenzone (14') elektrisch an den Source-Anschlusskontakt (22) angeschlossen ist, und die Kathodenzone (15', 16') elektrisch an den Temperaturmessanschlusskontakt (24) angeschlossen ist; oder (II) der erste Leitungstyp 'p' und der zweite Leitungstyp 'n' ist, die Kathodenzone (15‘, 16‘) elektrisch an den Source-Anschlusskontakt (22) angeschlossen ist, und die Anodenzone (14‘) elektrisch an den Temperaturmessanschlusskontakt (24) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102013213734B4

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102013213734

申请日：2013-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  G01R19/00 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleiterbauelement, das Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper (100); ein Feld von in den Halbleiterkörper (100) integrierten Transistorzellen, wobei mehrere der Transistorzellen (102) einen Leistungstransistor (T1) bilden und mindestens eine der Transistorzellen (101) einen Sense-Transistor (T2) bildet; und eine erste Source-Elektrode (41'), die auf dem Halbleiterkörper (100) aufgebracht, mit der/den Transistorzelle(n) (101) des Sense-Transistors (T2) elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen des Leistungstransistors (T1) elektrisch isoliert ist; gekennzeichnet durch eine zweite Source-Elektrode (41), die auf dem Halbleiterkörper (100) aufgebracht ist und die Transistorzellen (102; 101) sowohl des Leistungstransistors (T1) als auch des Sense-Transistors (T2) bedeckt und die erste Source-Elektrode (41') mindestens teilweise derart bedeckt, dass die zweite Source-Elektrode (41) nur mit den Transistorzellen (102) des Leistungstransistors (T1) elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen (101) des Sense-Transistors (T2) elektrisch isoliert ist.

公开(公告)号：DE102014116985A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102014116985

申请日：2014-11-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/00 ,  G01R19/10 ,  G01R19/165 ,  G01R27/08

Abstract: Es wird eine Schaltung bereitgestellt, die einen ersten Widerstand (102), einen zweiten Widerstand (104) und eine Steuereinheit (106) enthält. Der zweite Widerstand (104) weist möglicherweise einen verstellbaren Widerstandswert auf. Die Steuereinheit (106) ist möglicherweise dazu ausgelegt, den zweiten Widerstand (104) so zu verstellen, dass er einen ersten Widerstandswert aufweist, bei dem eine Spannung, die auf einen ersten, durch den ersten Widerstand (102) fließenden Strom zurückzuführen ist, gleich einer Spannung ist, die auf einen zweiten, durch den zweiten Widerstand (104) fließenden Strom zurückzuführen ist. Die Steuereinheit (106) ist möglicherweise weiterhin dazu ausgelegt, den zweiten Widerstand (104) so zu verstellen, dass er einen zweiten Widerstandswert aufweist, bei dem eine Spannung, die auf einen anderen ersten Strom zurückzuführen ist, der sich vom ersten Strom unterscheidet und der durch den ersten Widerstand (102) fließt, gleich der Spannung ist, die auf den zweiten, durch den zweiten Widerstand (104) fließenden Strom zurückzuführen ist. Die Steuereinheit (106) ist möglicherweise noch weiter dazu ausgelegt, den zweiten Widerstand (104) so zu verstellen, dass er einen dritten Widerstandswert aufweist, der auf wenigstens einer Differenz des ersten Widerstandswerts und des zweiten Widerstandswerts basiert.

公开(公告)号：DE102014106695A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE102014106695

申请日：2014-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft einen Leistungstransistor (100) mit einem Halbleiterkörper (10). Der Halbleiterkörper (10) weist eine Unterseite (12) auf, sowie eine Oberseite (11), die in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite (12) beabstandet ist. Außerdem weist der Halbleiterkörper (10) eine Vielzahl von Transistorzellen (30) auf, eine Source-Zone (13) von einem ersten Leitungstyp (n), eine Body-Zone (14) von einem zum ersten Leitungstyp (n) komplementären zweiten Leitungstyp (p), eine Drift-Zone (15) vom ersten Leitungstyp (n), eine Drain-Zone (16), sowie eine Temperatursensordiode (50) mit einem zwischen einer n-dotierten Kathodenzone (15', 16') und einer p-dotierten Anodenzone (14') ausgebildeten pn-Übergang (18). Auf der Oberseite (11) ist ein Drain-Anschlusskontakt (21) angeordnet, auf der Unterseite (12) ein Source-Anschlusskontakt (22). Auf dem Halbleiterkörper (10) ist außerdem ein Gate-Anschlusskontakt (23) angeordnet, und auf der Oberseite (11) befindet sich noch ein Temperaturmessanschlusskontakt (24), der gegenüber dem Drain-Anschlusskontakt (21) dielektrisch isoliert ist. Dabei ist entweder (I) der erste Leitungstyp 'n' und der zweite Leitungstyp 'p', die Anodenzone (14') elektrisch an den Source-Anschlusskontakt (22) angeschlossen, und die Kathodenzone (15', 16') elektrisch an den Temperaturmessanschlusskontakt (24) angeschlossen; oder (II) der erste Leitungstyp ist 'p' und der zweite Leitungstyp ist 'n', die Kathodenzone ist elektrisch an den Source-Anschlusskontakt (22) angeschlossen, und die Anodenzone ist elektrisch an den Temperaturmessanschlusskontakt (24) angeschlossen.

公开(公告)号：DE102011090101A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：DE102011090101

申请日：2011-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  MEISER ANDREAS

IPC: G01R19/00

Abstract: Beschrieben wird eine Schaltungsanordnung, die aufweist: einen Lasttransistor (T1), der dazu ausgebildet ist, einen Laststrom an einen an eine Drainelektrode (D1) des Lasttransistors (T1) anschließbare Last zu steuern; einen Messtransistor (T2), der an den Lasttransistor (T1) gekoppelt ist, wobei der Messtransistor (T2) eine Drainelektrode (D2) aufweist und dazu ausgebildet ist, einen Messstrom an der Drainelektrode (D2) zur Verfügung zu stellen, der den Laststrom repräsentiert, wobei der Lasttransistor (T1) und der Messtransistor (T2) Feldeffekttransistoren aufweisen, die eine gemeinsame Sourceelektrode aufweisen; und eine Messschaltung, die dazu ausbildet ist, den Messstrom von dem Messtransistor (T2) zu erhalten und ein Ausgangssignal zu erzeugen, wobei das Ausgangssignal den Laststrom repräsentiert.

公开(公告)号：DE10343278B4

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：DE10343278

申请日：2003-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  SANDER RAINALD ,  ROSMEIER LUDWIG

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/38

公开(公告)号：DE10343278A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：DE10343278

申请日：2003-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  SANDER RAINALD ,  ROSMEIER LUDWIG

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/38 ,  H02M1/08

Abstract: The half bridge circuit has a pair of semiconductor switches (M1,M2) connected in series between 2 supply potential terminals, each controlled by a control signal from a respective control circuit (11,21) and provided with a switch state detection circuit (12,22), supplying a signal to a blocking circuit (13,23), in turn supplying a release signal for the control circuit of the opposite semiconductor switch.

公开(公告)号：DE102006036349B4

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102006036349

申请日：2006-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/15

Abstract: Eine Schaltungsvorrichtung umfassend; – einen MOS-Transistor (M1) mit einem Steueranschluss, der dazu ausgebildet ist, bei der Bereitstellung eines geeigneten Steuerpotentials an dem Steueranschluss, Lasten zu schalten, – mindestens eine Replik (M2) des MOS-Transistors mit einem Steueranschluss, – eine Steuervorrichtung (I1) für den MOS-Transitor, – eine Steuervorrichtung (I2) für die Replik des MOS-Transistor, – einer Auswerteanordnung (A1) mit einem Ausgang, wobei, der Steueranschluss der Replik des MOS-Transistors mit einem ersten Eingang der Auswerteanordnung gekoppelt ist, der Steueranschluss des MOS-Transistors oder der Steueranschluss einer weiteren Replik des MOS-Transistors mit einem zweiten Eingang der Auswerteanordnung gekoppelt ist, die Auswerteanordnung am Ausgang ein Signal bereitstellt, das durch Vergleich des Signals des ersten Eingangs mit dem Signal des zweiten Eingangs den Schaltbeginn des MOS-Transistors anzeigt.

公开(公告)号：DE102012213208A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：DE102012213208

申请日：2012-07-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MACHEINER STEFAN ,  MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/50

Abstract: Eine Halbleiteranordnung umfasst einen ersten und zweiten steuerbaren vertikalen n-Kanal Halbleiterchip (1, 2). Ein jeder der steuerbaren vertikalen n-Kanal Halbleiterchips (1, 2) weist eine Vorderseite (1f, 2f), eine der Vorderseite (1f, 2f) entgegengesetzte Rückseite (1r, 2r), einen an der Vorderseite (1f, 2f) angeordneten vorderseitigen Hauptkontakt (11, 21) und einen an der Rückseite (1r, 2r) angeordneten rückseitigen Hauptkontakt (12, 22) auf, sowie einen Gate-Kontakt (13, 23), der an der Vorderseite (1f, 2f) angeordnet ist und der dazu dient, einen elektrischen Strom zwischen dem vorderseitigen Hauptkontakt (11, 21) und dem rückseitigen Hauptkontakt (12, 22) zu steuern. Die rückseitigen Hauptkontakte (12, 22) des ersten und zweiten Halbleiterchips (1, 2) sind elektrisch leitend miteinander verbunden.