公开(公告)号：DE102017103095A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：DE102017103095

申请日：2017-02-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KILLER THOMAS ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  JANKER MARINA ,  KOLLER ADOLF ,  MAIER GABRIEL ,  MUELLER-HIPPER ANDREAS ,  STUECKJUERGEN ANDREAS ,  THOMS CHRISTINE

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/00

Abstract: Ein Herstellungsverfahren wird bereitgestellt, das aufweist: Ausbilden von Vertiefungen (112) in einer Vorderseite (102) eines Wafers (100), Verbinden eines ersten vorübergehenden Haltekörpers (104) mit der Vorderseite (102) des vertieften Wafers (100), danach Verdünnen des Wafers (100) von einer Rückseite (106), Verbinden eines zweiten vorübergehenden Haltekörpers (110) mit der Rückseite (106), und danach Entfernen des ersten vorübergehenden Haltekörpers (104).