公开(公告)号：DE102011053259A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011053259

申请日：2011-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER THOMAS ,  FOERSTER JUERGEN ,  ROBL WERNER ,  STUECKJUERGEN ANDREAS

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Werkstücks (210); Ausbilden einer Barrierenschicht (220) über dem Werkstück (210); Ausbilden einer Trennschicht (230) über der Barrierenschicht (220); Ausbilden einer leitenden Schicht (240) über der Trennschicht (230) und Nassätzen der leitenden Schicht (240).

公开(公告)号：DE102013108075A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102013108075

申请日：2013-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER MICHAEL ,  GEITNER OTTMAR ,  HARTNER WALTER ,  STUECKJUERGEN ANDREAS ,  WACHTER ULRICH ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L25/16

Abstract: Es wird ein Chip-Gehäuse (110) bereitgestellt, das Folgendes aufweist: einen Chip (102) mit zumindest einem Kontaktpad (104), das auf einer Chip-Vorderseite (106) gebildet ist; ein Vergussmaterial (108), das den Chip (102) zumindest teilweise umgibt und das zumindest eine Kontaktpad (104) bedeckt; und zumindest eine, durch das Vergussmaterial (108) gebildete elektrische Verbindung (112), wobei die zumindest eine elektrische Verbindung (112) eingerichtet ist, das zumindest eine Kontaktpad (104) von einer ersten Seite (114) des Chip-Gehäuses (110) auf der Chip-Vorderseite (106) zu zumindest einer, über einer zweiten Seite (118) des Chip-Gehäuses (110) auf einer Chip-Rückseite gebildeten Lötstruktur (116) elektrisch umzuleiten.

公开(公告)号：DE102017103095A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：DE102017103095

申请日：2017-02-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KILLER THOMAS ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  JANKER MARINA ,  KOLLER ADOLF ,  MAIER GABRIEL ,  MUELLER-HIPPER ANDREAS ,  STUECKJUERGEN ANDREAS ,  THOMS CHRISTINE

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/00

Abstract: Ein Herstellungsverfahren wird bereitgestellt, das aufweist: Ausbilden von Vertiefungen (112) in einer Vorderseite (102) eines Wafers (100), Verbinden eines ersten vorübergehenden Haltekörpers (104) mit der Vorderseite (102) des vertieften Wafers (100), danach Verdünnen des Wafers (100) von einer Rückseite (106), Verbinden eines zweiten vorübergehenden Haltekörpers (110) mit der Rückseite (106), und danach Entfernen des ersten vorübergehenden Haltekörpers (104).