Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To present an integrated circuit in which charge integration has nothing to do with data even in the case of a write access operation. SOLUTION: The integrated circuit comprising a switching device which is a switching device connected to at least one line pair to which dual rail signals are applicable, can be controlled by the signal applied to a control terminal and can be used for transmitting the dual rail signals (applied to the line pair) to the further line pair and a memory cell which is connected to a supply potential connection by the controllable switch. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a shifter which makes it more difficult to secretly find out data. SOLUTION: An integrated circuit has at least two multiplexers and at least one precharge unit. The multiplexers are cascade-connected, and each multiplexer has a plurality of data input and data output and a control input, and correspondence of connection between data inputs and data outputs is defined by a signal existing in the control input, and each data output of the multiplexer is connected to one of data inputs of the multiplexer connected below to thereby form a data path extending through the cascade, and each of data input and data output data has two terminals for application of a dual-rail signal. The precharge unit can be driven by a control signal and is connected to data output or data input of one of the multiplexers and sets the data output/input to a precharge state before execution of computation operation. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
Abstract:
The invention relates to a memory, especially a cache memory, and a method for synchronising said cache memory with the main memory of a computer. According to the inventive method, each memory entry has an address range, a data area which is associated with the address range, and an identification area which is associated with the address range. Said identification area has a first memory field containing a value which indicates whether data is stored in the data area of the memory or with which cryptographic key. The information contained in the first memory field can be used as a starting point for synchronisation, on the basis of an accepted association between the data to be synchronised and the cryptographic keys.
Abstract:
Verschiedene Ausführungsformen beschreiben einen integrierten Schaltkreis, wobei der integrierte Schaltkreis aufweist: mindestens sieben planare Feldeffekttransistoren, die in einer maximalen Strukturgröße gemäß einem Technologieknoten von maximal 65 nm nebeneinander in einem gemeinsamen Substrat bereitgestellt sind; wobei jeder Feldeffekttransistor der mindestens sieben planaren Feldeffekttransistoren einen ersten Source/Drain-Diffusionsbereich, einen zweiten Source/Drain-Diffusionsbereich, einen Kanalbereich zwischen dem Drain-Diffusionsbereich und dem Source-Diffusionsbereich, und einen Gate-Anschluss aufweist; und wobei jeder Feldeffekttransistor der mindestens sieben planaren Feldeffekttransistoren mindestens einen gemeinsamen Source/Drain-Diffusionsbereich mit einem anderen Feldeffekttransistor der mindestens sieben planaren Feldeffekttransistoren aufweist; wobei die gemeinsamen Source/Drain-Diffusionsbereiche frei sind von Vertikal-Anschluss-Kontaktmaterial.
Abstract:
Logik-Gatter zum Implementieren einer logischen Funktion, aufweisend:eine erste Schaltung, aufweisendmindestens einen p-Kanal-Feldeffekttransistor;mindestens einen n-Kanal-Feldeffekttransistor;einen ersten Stromversorgungsanschluss, eingerichtet zum Empfangen einer ersten Versorgungsspannung mit einem oberen Versorgungspotential; undeinen zweiten Stromversorgungsanschluss, eingerichtet zum Empfangen einer zweiten Versorgungsspannung mit einem unteren Versorgungspotential;wobei der mindestens eine p-Kanal-Feldeffekttransistor und der mindestens eine n-Kanal-Feldeffekttransistor so geschaltet sind, dassder mindestens eine n-Kanal-Feldeffekttransistor, wenn ihm an seinem Gate das obere Versorgungspotential zugeführt wird, dem Gate des mindestens einen p-Kanal-Feldeffekttransistors das untere Versorgungspotential zuführt; undder mindestens eine p-Kanal-Feldeffekttransistors, wenn ihm an seinem Gate das untere Versorgungspotential zugeführt wird, dem Gate des mindestens einen n-Kanal-Feldeffekttransistors das obere Versorgungspotential zuführt;wobei die Schaltung so eingerichtet ist, dass der Logikzustand des Gate des mindestens einen p-Kanal-Feldeffekttransistors und der Logikzustand des Gate des mindestens einen n-Kanal-Feldeffekttransistors nur durch Ändern einer Versorgung der Schaltung mit der ersten Versorgungsspannung und/oder der zweiten Versorgungsspannung geändert werden kann; undeine zweite Schaltung, die die logische Funktion des Logik-Gatters implementiert und einen Versorgungsanschluss aufweist, der mit dem Gate des mindestens einen p-Kanal-Feldeffekttransistors oder dem Gate des mindestens einen n-Kanal-Feldeffekttransistors gekoppelt ist.
Abstract:
Composant (100) à semi-conducteur comprenant un substrat (20) semi-conducteur dans lequel un puits (10) dopé, ayant une borne (5) de puits, et une structure (30) de transistor, ayant au moins une borne (35) de potentiel, sont formés dans le substrat (20) semi-conducteur, caractérisé en ce que la structure (30) de transistor a un thyristor (40) parasite qui est placé en partie dans le puits (10) dopé, la borne (35) de potentiel et la borne (5) de puits étant reliée par une résistance (R).
Abstract:
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird eine Schaltungsanordnung beschrieben aufweisend eine Detektionsschaltung, die eingerichtet ist, Lichtangriffe auf die Schaltungsanordnung zu detektieren, eine Verarbeitungsschaltung, die eingerichtet ist, für jeden detektierten Lichtangriff durch die Detektionsschaltung einen Stromfluss durch eine Leitung zu veranlassen und eine Steuerschaltung, die eingerichtet ist, abhängig vom Leitzustand der Leitung die Funktion einer Komponente der Schaltungsanordnung zu ermöglichen.
Abstract:
Vorrichtung zur Erfassung einer externen Manipulation einer elektrischen Schaltung, mit einem Sensor-RS-Flipflop (14), welches einen ersten (Sns, SnsQ = VSS, VDD) und einen zweiten (Sns, SnsQ = VDD, VSS) stabilen Zustand einnehmen kann, bei denen seine beiden Ausgänge einen jeweils unterschiedlichen logischen Zustand haben, und welches einen dritten Zustand einnehmen kann, bei dem seine beiden Ausgänge den gleichen logischen Zustand (Sns, SnsQ = VSS, VSS) haben; einem Alarm-RS-Flipflop (16), welches aus einem ersten stabilen Zustand in einen zweiten stabilen Zustand wechselt, sobald der dritte Zustand des Sensor-RS-Flipflops (14) erfasst wird; einer Ansteuerschaltung (12) zum Initialisieren des Sensor-RS-Flipflops (14) und des Alarm-RS-Flipflops (16) in den ersten stabilen Zustand und zum Betreiben des Sensor-RS-Flipflops (14) in einem Normalmodus, in dem die Eingangssignalkombination für das Sensor-RS-Flipflop (14) unverändert beibehalten wird; einer Verknüpfungsschaltung (18), welche es als externe Manipulation erfasst und ein Alarmsignal erzeugt, wenn zumindest eines der folgenden Ereignisse...
Abstract:
A plurality of masked memory cells organized in at least two groups, each group using an individual mask signal, is operated by providing a logically valid mask signal only for a selected group comprising the memory cell to be accessed while a logically invalid mask signal are used for all groups other than the selected group.