公开(公告)号：DE102019112940A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102019112940

申请日：2019-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  WAECHTER CLAUS VON ,  HARTNER WALTER ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Bereitstellen zumindest einer Halbleiterkomponente, wobei jede der zumindest einen Halbleiterkomponente umfasst: einen Halbleiterchip, wobei der Halbleiterchip eine erste Hauptoberfläche und eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche umfasst, und ein über der gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordnetes Opfermaterial. Das Verfahren umfasst ferner ein Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente mit einem Verkapselungsmaterial. Das Verfahren umfasst ferner ein Entfernen des Opfermaterials, wobei über jedem des zumindest einen Halbleiterchips eine Aussparung in dem Verkapselungsmaterial ausgebildet wird. Das Verfahren umfasst ferner ein Anordnen zumindest eines Deckels über der zumindest einen Aussparung, wobei durch die zumindest eine Aussparung und den zumindest einen Deckel über jedem des zumindest einen Halbleiterchips ein geschlossener Hohlraum ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102019112940B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102019112940

申请日：2019-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  WAECHTER CLAUS VON ,  HARTNER WALTER ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Verfahren, umfassend:Bereitstellen zumindest einer Halbleiterkomponente (2), wobei jede der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) umfasst:einen Halbleiterchip (4), wobei der Halbleiterchip (4) eine erste Hauptoberfläche und eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche umfasst, undein über der gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips (4) angeordnetes Opfermaterial (10) ;Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) mit einem Verkapselungsmaterial (12), wobei nach dem Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) eine Hauptoberfläche des Verkapselungsmaterials (12) und die erste Hauptoberfläche des zumindest einen Halbleiterchips (4) in einer gemeinsamen Ebene liegen;Ausbilden einer Umverdrahtungsschicht (38) über der ersten Hauptoberfläche des zumindest einen Halbleiterchips (4) und der Hauptoberfläche des Verkapselungsmaterials (12);Entfernen des Opfermaterials (10), wobei über jedem des zumindest einen Halbleiterchips (4) eine Aussparung (14) in dem Verkapselungsmaterial (12) ausgebildet wird; undAnordnen zumindest eines Deckels (16) über der zumindest einen Aussparung (14), wobei durch die zumindest eine Aussparung (14) und den zumindest einen Deckel (16) über jedem des zumindest einen Halbleiterchips (4) ein geschlossener Hohlraum (18) ausgebildet wird.