公开(公告)号：DE102017207887B3

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：DE102017207887

申请日：2017-05-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEIERT MATTHIAS ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ZOGAL KAROLINA

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Herstellungsverfahren (100; 100A; 100B) mit folgenden Schritten:Bereitstellen (110) eines Halbleitersubstrats (300) mit einem Ausnehmungen (302) aufweisenden Verdrahtungsschichtstapel (304) auf einem ersten Hauptoberflächenbereich (300-1) des Halbleitersubstrats (300), wobei an dem ersten Hauptoberflächenbereich (300-1) des Halbleitersubstrats (300) MEMS-Bauelemente (306) freiliegend in den Ausnehmungen (302) des Verdrahtungsschichtstapels (304) angeordnet sind, und wobei an Metallisierungsbereichen (308) des Verdrahtungsschichtstapels (304) hervorstehende Durchkontaktierungselemente (310) angeordnet sind,Aufbringen (130) einer in einer mittleren Stufe ausgehärteten b-stage-Materialschicht (312) auf dem Verdrahtungsschichtstapel (304), so dass die Ausnehmungen (302) in dem Verdrahtungsschichtstapel (304) von der b-stage-Materialschicht (312) überdeckt werden und ferner die vertikal hervorstehenden Durchkontaktierungselemente (310) in die b-stage-Materialschicht (312) eingebracht werden, wobei die aufgebrachte b-stage-Materialschicht eine Formstabilität aufweist, so dass bei dem Aufbringen der b-stage-Materialschicht (312) Kavitäten oberhalb der MEMS-Bauelemente in den Ausnehmungen des Verdrahtungsschichtstapels beibehalten werden,Aushärten (150) der b-stage-Materialschicht (312), um eine ausgehärtete b-stage-Materialschicht (312) zu erhalten,Dünnen (170) der ausgehärteten b-stage-Materialschicht (312), um Endoberflächenbereiche (310-1) der Durchkontaktierungselemente (310) freizulegen, undAufbringen (190) einer RDL-Struktur (RDL = Redistribution Layer) auf die gedünnte, ausgehärtete b-stage-Materialschicht (312), um über die Durchkontaktierungselemente (310) eine elektrische Verbindung zwischen dem Verdrahtungsschichtstapel (304) und der RDL-Struktur (314) zu erhalten.

公开(公告)号：DE102019112940B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102019112940

申请日：2019-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  WAECHTER CLAUS VON ,  HARTNER WALTER ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Verfahren, umfassend:Bereitstellen zumindest einer Halbleiterkomponente (2), wobei jede der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) umfasst:einen Halbleiterchip (4), wobei der Halbleiterchip (4) eine erste Hauptoberfläche und eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche umfasst, undein über der gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips (4) angeordnetes Opfermaterial (10) ;Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) mit einem Verkapselungsmaterial (12), wobei nach dem Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) eine Hauptoberfläche des Verkapselungsmaterials (12) und die erste Hauptoberfläche des zumindest einen Halbleiterchips (4) in einer gemeinsamen Ebene liegen;Ausbilden einer Umverdrahtungsschicht (38) über der ersten Hauptoberfläche des zumindest einen Halbleiterchips (4) und der Hauptoberfläche des Verkapselungsmaterials (12);Entfernen des Opfermaterials (10), wobei über jedem des zumindest einen Halbleiterchips (4) eine Aussparung (14) in dem Verkapselungsmaterial (12) ausgebildet wird; undAnordnen zumindest eines Deckels (16) über der zumindest einen Aussparung (14), wobei durch die zumindest eine Aussparung (14) und den zumindest einen Deckel (16) über jedem des zumindest einen Halbleiterchips (4) ein geschlossener Hohlraum (18) ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102017221082A1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102017221082

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHIANG CHAU FATT ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  GOLLER BERND ,  KILGER THOMAS ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MAIER DOMINIC ,  MUEHLBAUER FRANZ XAVER ,  NG CHEE YANG ,  SEE BENG KEH ,  STEIERT MATTHIAS ,  WAECHTER CLAUS

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst einen Halbleiter-Die, der eine an einer ersten Seite des Halbleiter-Dies angeordnete Sensorstruktur aufweist, und einen ersten Port, der sich von der ersten Seite zu einer zweiten Seite des Halbleiter-Dies gegenüber der ersten Seite durch den Halbleiter-Die erstreckt, um eine Verbindung zur Außenumgebung bereitzustellen. Entsprechende Herstellungsverfahren werden ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：DE10229066A1

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：DE10229066

申请日：2002-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAGEMEYER PETER ,  LANGHEINRICH WOLFRAM ,  GEISSLER CHRISTIAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/423

Abstract: Production of a floating gate structure comprises: (a) applying a first dielectric layer (3) on semiconductor material; (b) applying a first polysilicon layer (4) for a first floating gate electrode on the first dielectric layer; (c) applying a second dielectric layer (11) as intermediate dielectric on the first polysilicon layer; and (d) applying a second polysilicon layer (12) as control gate electrode on the second dielectric layer. An amount of a surface of the first polysilicon layer is provided with a protrusion before applying the second dielectric layer, whilst a spacer mask is used to back etch a polysilicon layer locally to a prescribed thickness of the first polysilicon layer.

公开(公告)号：DE10114611A1

公开(公告)日：2002-10-17

申请号：DE10114611

申请日：2001-03-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  STRENZ ROBERT ,  BAUMGARTNER PETER ,  HAIBACH PATRICK ,  GEISSLER CHRISTIAN

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/26

公开(公告)号：DE102021102228A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102021102228

申请日：2021-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  ELIAN KLAUS ,  ERDOEL TUNCAY ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  RIEDER BERNHARD ,  SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01P1/06

Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Sendesignale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Empfangssignale zu empfangen. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner einen zwischen einer ersten Seite des Hochfrequenz-Package und einer zweiten Seite des Wellenleiter-Bauteils angeordneten Spalt und eine Abschirmstruktur, welche dazu ausgelegt ist: eine relative Bewegung zwischen dem Hochfrequenz-Package und dem Wellenleiter-Bauteil in einer ersten Richtung senkrecht zur ersten Seite des Hochfrequenz-Package zuzulassen, und die Sendesignale und/oder die Empfangssignale derart abzuschirmen, dass eine Ausbreitung der Signale über den Spalt abgeschwächt oder verhindert wird.

公开(公告)号：DE102020110473A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102020110473

申请日：2020-04-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDL FLORIAN ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  GRUENBERGER ROBERT ,  WAECHTER CLAUS ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche angeordnet ist; einen spannungsempfindlichen Sensor, der bei der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, wobei der spannungsempfindliche Sensor empfindlich für mechanische Spannung ist; einen Spannungsentkopplungsgraben, der eine vertikale Ausdehnung hat, die sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der Spannungsentkopplungsgraben vertikal teilweise in das Substrat in Richtung der zweiten Oberfläche, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche erstreckt; und eine Vielzahl von Partikelfiltergräben, die sich vertikal von der zweiten Oberfläche in das Substrat erstrecken, wobei jeder der Vielzahl von Partikelfiltergräben eine longitudinale Ausdehnung aufweist, die sich orthogonal zu der vertikalen Ausdehnung des Spannungsentkopplungsgrabens erstreckt.

公开(公告)号：DE102023204788A1

公开(公告)日：2024-11-28

申请号：DE102023204788

申请日：2023-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  HARTNER WALTER ,  THEUSS HORST ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  SCHALLER RAINER

IPC: G06K19/06 ,  G01S13/02

Abstract: Ein Verfahren zur Authentifizierung eines Gegenstandes umfasst ein Positionieren eines Millimeterwellen-Transceivers relativ zu einem Gegenstand, der eine Meta-Material-Markierung enthält. Ein Sendesignal wird von dem Millimeterwellen-Transceiver in Richtung der Meta-Material-Markierung gesendet, wobei das Sendesignal basierend auf der Meta-Material-Markierung in ein Empfangssignal umgesetzt wird, welches eine erste Charakteristik aufweist und in Richtung des Millimeterwellen-Transceivers abgestrahlt wird. Das Empfangssignal wird durch den Millimeterwellen-Transceiver empfangen und verarbeitet zum Erfassen der ersten Charakteristik. Erste Vergleichsinformationen werden basierend auf der ersten Charakteristik erzeugt und ein Authentifizieren des Gegenstands basierend auf den ersten Vergleichsinformationen wird durchgeführt.

公开(公告)号：DE102011053161B4

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：DE102011053161

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEER GOTTFRIED ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ORT THOMAS ,  PRESSEL KLAUS ,  WAIDHAS BERND ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:mindestens einen Halbleiterchip (104, 106, 202, 306, 308);mindestens eine Leitungsführungsebene (108, 208, 310) mit einer Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904), die voneinander beabstandet parallel zueinander verlaufen;eine erste Isolationsschicht (326), die über dem mindestens einen Halbleiterchip und der mindestens einen Leitungsführungsebene (108, 208, 310) angeordnet ist; undeine Umverteilungsschicht (234, 334), die über der ersten Isolationsschicht (326) angeordnet ist und folgendes aufweist:eine erste Verbindungsleitung (218), die mit einer der Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904) und dem mindestens einen Halbleiterchip (104, 202, 306) elektrisch gekoppelt ist; undeine zweite Verbindungsleitung (220), die mit der einen der Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904) und mit einem zweiten Halbleiterchip (106, 308) oder mit einem ersten externen Kontaktelement (214) elektrisch gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102019112940A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102019112940

申请日：2019-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  WAECHTER CLAUS VON ,  HARTNER WALTER ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Bereitstellen zumindest einer Halbleiterkomponente, wobei jede der zumindest einen Halbleiterkomponente umfasst: einen Halbleiterchip, wobei der Halbleiterchip eine erste Hauptoberfläche und eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche umfasst, und ein über der gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordnetes Opfermaterial. Das Verfahren umfasst ferner ein Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente mit einem Verkapselungsmaterial. Das Verfahren umfasst ferner ein Entfernen des Opfermaterials, wobei über jedem des zumindest einen Halbleiterchips eine Aussparung in dem Verkapselungsmaterial ausgebildet wird. Das Verfahren umfasst ferner ein Anordnen zumindest eines Deckels über der zumindest einen Aussparung, wobei durch die zumindest eine Aussparung und den zumindest einen Deckel über jedem des zumindest einen Halbleiterchips ein geschlossener Hohlraum ausgebildet wird.